飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道的TrenchMOS 晶体管
逻辑电平FET
PHP55N04LT ， PHB55N04LT
PHD55N04LT
1.0E-01
漏极电流ID （ A）
VDS = 5 V
栅 - 源电压，V GS （V）的
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
2.5
3
ID = 55A
TJ = 25℃
VDD = 15 V
1.0E-02
1.0E-03
最低
1.0E-04
典型
最大
1.0E-05
1.0E-06
0
0.5
1
1.5
2
栅 - 源电压，V GS （V）的
5
10
15
20
25
30
栅极电荷QG （ NC）
35
40
45
50
图11 。亚阈值漏电流。
I
D
= F（V
GS ）
;条件：T已
j
= 25 ℃; V
DS
= V
GS
图13 。典型导通栅极电荷特性。
V
GS
= F （Q
G
） ;参数V
DS
源极 - 漏极二极管电流IF （ A）
电容，西塞，科斯，的Crss （PF ）
10000
50
VGS = 0 V
45
40
35
30
西塞
1000
25
20
15
科斯
CRSS
10
5
0
100
0.1
1
10
漏 - 源电压， VDS （V ）
100
0
0.1
0.2
0.3 0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1 1.2
1.3
1.4
1.5
源极 - 漏极电压， VSDS （V ）
TJ = 25℃
175 C
图12 。典型的电容，C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
.
C = F（V
DS
） ;条件： V
GS
= 0 V ; F = 1 MHz的
图14 。典型的反向二极管电流。
I
F
= F（V
SDS
） ;条件： V
GS
= 0 V ;参数T
j
2001年1月
5
启1.000
