飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道的TrenchMOS 晶体管
逻辑电平FET
热阻
符号参数
R
日J- MB
R
日J-一
热阻结
安装基座
热阻结
到环境
条件
PHP55N04LT ， PHB55N04LT
PHD55N04LT
分钟。
-
典型值。马克斯。单位
-
60
50
1.45
-
-
K / W
K / W
K / W
SOT78封装，在自由空气
SOT404和SOT428封装，印刷电路板
安装，占用空间最小
-
-
雪崩限值
符号参数
W
DSS
条件
分钟。
-
马克斯。
60
单位
mJ
漏源不重复的我
D
= 25 A; V
DD
≤
15 V;
非钳位电感关断V
GS
= 5 V ;
GS
= 50
;
T
mb
= 25 C
能源
电气特性
T
j
= 25 ° C除非另有说明
符号参数
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TO ）
R
DS （ ON）
漏源击穿
电压
栅极阈值电压
漏极 - 源极导通状态
阻力
条件
V
GS
= 0 V ;我
D
= 0.25毫安;
T
j
= -55C
V
DS
= V
GS
; I
D
= 1毫安
T
j
= 175C
T
j
= -55C
V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A
V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A（ SOT428封装）
V
GS
= 5 V ;我
D
= 25 A
V
GS
= 5 V ;我
D
= 25 A;牛逼
j
= 175C
正向跨导
V
DS
= 25 V ;我
D
= 25 A
门源漏电流V
GS
=
±5
V; V
DS
= 0 V
零栅压漏
V
DS
= 25 V; V
GS
= 0 V;
当前
T
j
= 175C
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极（米勒）电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
内部排水电感
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反馈电容
I
D
= 55 A; V
DD
= 15 V; V
GS
= 5 V
分钟。
35
32
1
0.5
-
-
-
-
-
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。马克斯。单位
-
-
1.5
-
-
11
14
15
-
28
10
0.05
-
20
8
9
7
56
57
38
3.5
4.5
7.5
1230
354
254
-
-
2
-
2.3
14
16
18
34
-
100
10
500
-
-
-
15
80
80
50
-
-
-
-
-
-
V
V
V
V
V
m
m
m
m
S
nA
A
A
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
nH
nH
nH
pF
pF
pF
g
fs
I
GSS
I
DSS
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
t
D ON
t
r
t
D OFF
t
f
L
d
L
d
L
s
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
DD
= 15 V ;我
D
= 25 A;
V
GS
= 10 V ;
G
= 5
阻性负载
测量标签，模具中心
从测得的漏导致的模具中心
（ SOT78封装）
从源铅源测量
焊盘
V
GS
= 0 V; V
DS
= 20V; F = 1 MHz的
2001年1月
2
启1.000
