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IS61NSCS25672
IS61NSCS51236
CMOS I / O直流输入特性
符号
V
IH
V
IL
参数
CMOS输入高电压
CMOS输入低电压
V
CCQ
1.8
1.5
1.8
1.5
分钟。
1.2
1.0
–0.3
–0.3
典型值。
—
—
—
—
ISSI
马克斯。
V
CCQ
+ 0.3
V
CCQ
+ 0.3
0.6
0.5
单位
V
V
注意：
对于CMOS输入缓冲器提供的设备。同时兼容1.8 V和1.5 V的I / O驱动程序。
冲测量和定时
超调测和定时
V
IH
V
CC
+ 1.0V
GND
50%
GND - 1.0V
20% t
KC
V
IL
50%
V
CC
20% t
KC
I / O电容（T
A
= 25 ° C，F = 1 MH
Z
)
符号
C
A
C
B
C
CK
C
DQ
C
CQ
参数
地址
控制
时钟
数据
CQ时钟
输入电容
输入电容
输入电容
输出电容
输出电容
测试条件
V
IN
= 0 V
V
IN
= 0 V
V
IN
= 0 V
V
OUT
= 0 V
V
OUT
= 0 V
分钟。
—
—
—
—
—
马克斯。
3.5
3.5
3.5
4.5
4.5
单位
pF
pF
pF
pF
pF
注：这些参数进行采样，而不是100 ％测试。
集成的芯片解决方案，公司 - 1-800-379-4774
超前信息
06/19/01
修订版00A
17
