NTMFS4120N
功率MOSFET
30 V ， 31 A单N沟道，
SO- 8扁平引脚
特点
低R
DS （ ON）
优化的栅极电荷
低电感SO- 8封装
这些无铅器件
http://onsemi.com
V
（ BR ） DSS
30 V
R
DS （ ON）
典型值
3.5毫瓦@ 10 V
4.2毫瓦@ 4.5 V
D
I
D
最大
（注1 ）
31 A
应用
笔记本电脑，显卡
DC- DC转换器
同步整流
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流
（注1 ）
稳定
状态
t
v10
s
功率耗散（注1 ）
稳定
状态
t
v10
s
连续漏电流
（注2 ）
功率耗散（注2 ）
漏电流脉冲
稳定
状态
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
t
p
= 10
ms
P
D
I
DM
T
J
, T
英镑
I
S
E
AS
I
D
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
P
D
T
A
= 25°C
6.9
11
8.0
0.9
94
-55
150
7.0
450
W
A
°C
A
mJ
A
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
30
$20
18
13
31
2.2
W
单位
V
V
A
G
S
记号
图
D
1
SO- 8扁平引脚
CASE 488AA
风格1
4120N
A
Y
WW
G
S
S
S
G
D
4120N
AYWWG
G
D
D
工作结温和存储温度
源电流（体二极管）
单脉冲漏极至源雪崩能源
(V
DD
= 30 V, V
GS
= 10 V，I
PK
= 30 A,
L = 1 mH的，R
G
= 25
W)
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“从案例10秒）
=具体设备守则
=大会地点
=年
=工作周
= Pb-Free包装
T
L
260
°C
（注：微球可在任一位置）
热阻最大额定值
参数
结到外壳 - 稳态
结 - 环境 - 稳态（注1 ）
结 - 环境 - 吨
v10
S（注1 ）
结 - 环境 - 稳态（注2 ）
符号
R
QJC
R
qJA
R
qJA
R
qJA
价值
1.7
55.8
18
139.1
单位
° C / W
订购信息
设备
NTMFS4120NT1G
包
SO- 8 FL
（无铅）
SO- 8 FL
（无铅）
航运
1500磁带&卷轴
NTMFS4120NT3G
5000磁带&卷轴
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.表面安装在FR4板采用1平方焊盘尺寸
（铜面积=在平[ 1盎司]包括痕迹1.127 ） 。
2.表面安装在FR4电路板使用推荐的最小焊盘尺寸
（铜面积=平方英寸1.0 ） 。
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2007年
1
2007年7月 - 第3版
出版订单号：
NTMFS4120N/D
