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NTMFS4120N

功率MOSFET

30 V ， 31 A单N沟道，

SO- 8扁平引脚

特点

低R

DS （ ON）

优化的栅极电荷

低电感SO- 8封装

这些无铅器件

http://onsemi.com

V

（ BR ） DSS

30 V

R

DS （ ON）

典型值

3.5毫瓦@ 10 V

4.2毫瓦@ 4.5 V

D

I

D

最大

（注1 ）

31 A

应用

笔记本电脑，显卡

DC- DC转换器

同步整流

最大额定值

(T

J

= 25 ° C除非另有说明）

参数

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

连续漏电流

（注1 ）

稳定

状态

t

v10

s

功率耗散（注1 ）

稳定

状态

t

v10

s

连续漏电流

（注2 ）

功率耗散（注2 ）

漏电流脉冲

稳定

状态

T

A

= 25°C

T

A

= 85°C

T

A

= 25°C

t

p

= 10

ms

P

D

I

DM

T

J

, T

英镑

I

S

E

AS

I

D

T

A

= 25°C

T

A

= 85°C

T

A

= 25°C

P

D

T

A

= 25°C

6.9

11

8.0

0.9

94

-55

150

7.0

450

W

A

°C

A

mJ

A

符号

V

DSS

V

GS

I

D

价值

30

$20

18

13

31

2.2

W

单位

V

V

A

G

S

记号

图

D

1

SO- 8扁平引脚

CASE 488AA

风格1

4120N

A

Y

WW

G

S

S

S

G

D

4120N

AYWWG

G

D

D

工作结温和存储温度

源电流（体二极管）

单脉冲漏极至源雪崩能源

(V

DD

= 30 V, V

GS

= 10 V，I

PK

= 30 A,

L = 1 mH的，R

G

= 25

W)

无铅焊接温度的目的

（ 1/8“从案例10秒）

=具体设备守则

=大会地点

=年

=工作周

= Pb-Free包装

T

L

260

°C

（注：微球可在任一位置）

热阻最大额定值

参数

结到外壳 - 稳态

结 - 环境 - 稳态（注1 ）

结 - 环境 - 吨

v10

S（注1 ）

结 - 环境 - 稳态（注2 ）

符号

R

QJC

R

qJA

R

qJA

R

qJA

价值

1.7

55.8

18

139.1

单位

° C / W

订购信息

设备

NTMFS4120NT1G

包

SO- 8 FL

（无铅）

SO- 8 FL

（无铅）

航运

1500磁带&卷轴

NTMFS4120NT3G

5000磁带&卷轴

强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大

额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作

工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力

推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。

1.表面安装在FR4板采用1平方焊盘尺寸

（铜面积=在平[ 1盎司]包括痕迹1.127 ）。

2.表面安装在FR4电路板使用推荐的最小焊盘尺寸

（铜面积=平方英寸1.0 ）。

。有关磁带和卷轴规格，

包括部分方向和磁带大小，请

请参阅我们的磁带和卷轴包装规格

宣传册， BRD8011 / D 。

半导体元件工业有限责任公司， 2007年

1

2007年7月 - 第3版

出版订单号：

NTMFS4120N/D

NTMFS4120N

电气特性

(T

J

= 25 ° C除非另有说明）

特征

开关特性

漏极至源极击穿电压

漏极至源极击穿电压

emperature系数

T

零栅极电压漏极电流

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） DSS

/T

J

I

DSS

T

J

= 25°C

T

J

= 125°C

V

GS

= 0 V，I

D

= 250

mA

30

21

1.0

10

100

nA

V

毫伏/°C的

mA

符号

测试条件

民

典型值

最大

单位

V

GS

= 0 V, V

DS

= 24 V

栅极 - 源极漏电流

基本特征

（注3）

栅极阈值电压

负阈值温度系数

漏极至源极导通电阻

I

GSS

V

DS

= 0 V, V

GS

= 20 V

V

GS

= V

DS

, I

D

= 250

mA

V

GS （ TH）

V

GS （ TH）

/T

J

R

DS （ ON）

1.0

7.4

2.5

V

毫伏/°C的

V

GS

= 10 V，I

D

= 26 A

V

GS

= 4.5 V，I

D

= 24 A

3.5

4.2

35

4.5

5.5

mW

正向跨导

g

FS

V

DS

= 15 V，I

D

= 26 A

S

收费，电容和栅极电阻

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷

阈值的栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极电荷

栅极电阻

开关特性

（注4 ）

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

漏源二极管的特性

正向二极管电压

V

SD

V

GS

= 0 V，I

S

= 6.0 A

T

J

= 25°C

T

J

= 125°C

0.74

0.6

36

V

GS

= 0 V ，二

S

/ DT = 100 A / MS ，

I

S

= 6.0 A

18

18

34

nC

ns

1.0

V

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

GS

= 4.5 V, V

DS

= 15 V,

I

D

= 1.0 A，R

G

= 3.0

W

24

32

27

31

ns

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

Q

G（ TOT ）

Q

G（ TH ）

Q

GS

Q

GD

R

G

V

GS

= 4.5 V, V

DS

= 15 V，I

D

= 24 A

V

GS

= 0 V ， F = 1.0兆赫，V

DS

= 24 V

3600

640

380

33

4.4

13

14

1.0

W

50

nC

pF

反向恢复时间

充电时间

放电时间

反向恢复电荷

t

RR

t

a

t

b

Q

RR

3.脉冲测试：脉冲宽度

v

300

女士，

占空比

v

2%.

4.开关的特点是独立的工作结点温度。

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2

NTMFS4120N

典型性能曲线

80

V

GS

= 3.8 V至10 V

I

D,

漏电流（安培）

70

60

50

40

30

20

10

0

0

2

4

6

8

10

V

DS

，漏极至源极电压（伏）

3.0 V

2.8 V

3.2 V

3.4 V

T

J

= 25°C

I

D,

漏电流（安培）

3.6 V

80

70

60

50

40

30

20

10

0

1

T

J

= -55°C

T

J

= 25°C

T

J

= 125°C

3

2

4

V

GS

，栅极至源极电压（伏）

5

V

DS

≥

10 V

图1.区域特征

R

DS （ON ），

漏极至源极电阻（ W）

R

DS （ON ），

漏极至源极电阻（ W）

0.008

0.007

V

GS

= 10 V

T

J

= 125°C

0.007

图2.传输特性

T

J

= 25°C

0.006

V

GS

= 4.5 V

0.005

0.006

0.005

0.004

0.003

T

J

= 25°C

T

J

= -55°C

0.004

V

GS

= 10 V

0.003

0.002

0.001

10

20

30

40

50

60

70

80

0.002

10

20

30

40

50

60

70

80

I

D,

漏电流（安培）

I

D,

漏电流（安培）

图3.导通电阻与漏电流和

温度

1.6

R

DS （ON ），

漏 - 源

电阻（标准化）

I

D

= 26 A

V

GS

= 10 V

1.4

I

DSS

，漏电（ NA）

10000

图4.导通电阻与漏电流和

栅极电压

V

GS

= 0 V

T

J

= 150°C

1.2

1000

T

J

= 125°C

1

0.8

0.6

-50

100

-25

0

25

50

75

100

125

150

5

10

15

20

25

30

T

J

，结温（ ° C）

V

DS

，漏极至源极电压（伏）

图5.导通电阻变化与

温度

图6.漏 - 源极漏电流

与电压

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3

NTMFS4120N

典型性能曲线

VGS ，栅极至源极电压（伏）

6000

T

J

= 25°C

C，电容（pF ）

5000

C

国际空间站

4000

3000

2000

1000

C

OSS

C

RSS

5

QT

4

Q

GS

3

Q

GD

V

GS

2

V

DD

= 15 V

V

GS

= 4.5 V

I

D

= 24 A

T

J

= 25°C

5

20

25

10

15

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

30

35

1

0

0

0

5

10

15

20

25

0

栅极 - 源极或漏极至源极电压（伏）

图7.电容变化

图8.栅极至源极和

漏极至源极电压与总充电

1000

I

S

，源电流（安培）

V

DD

= 15 V

I

D

= 1 A

V

GS

= 4.5 V

T， TIME （ NS ）

45

40

35

30

25

20

15

10

5

0

0.5

0.7

0.9

0.6

0.8

V

SD

，源极到漏极电压（伏）

1.0

V

GS

= 0 V

T

J

= 25°C

100

t

f

t

r

t

D（关闭）

t

D（上）

10

1

10

R

G

，栅极电阻（欧姆）

100

图9.电阻开关时间

变化与栅极电阻

1000

ID ，漏极电流（ AMPS ）

EAS ，单脉冲漏极 - 源

雪崩能量（兆焦耳）

500

450

400

350

300

250

200

150

100

50

0

25

图10.二极管的正向电压与电流

I

D

= 30 A

100

10

ms

10

V

GS

= 20 V

单脉冲

T

C

= 25°C

R

DS （ ON）

极限

热限制

套餐限制

0.1

1

10

100

ms

1毫秒

10毫秒

1

0.1

0.01

dc

100

V

DS

，漏极至源极电压（伏）

50

75

100

125

T

J

，结温（ ° C）

150

图11.最大额定正向偏置

安全工作区

图12.最大雪崩能量VS

开始结温

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4

NTMFS4120N

1

D = 0.5

Rthja （t）的有效瞬态

热阻

0.2

0.1

0.1

0.05

0.02

0.01

0.01

0.001

1E-04

单脉冲

1E-03

1E-02

1E-01

T，时间（秒）

1E+00

1E+01

1E+02

1E+03

图13.热响应

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5

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