EtronTech
符号
参数
EM6A8160TSA
-5
民
5
0.45
0.45
最大
12
0.55
0.55
单位
表16.电气AC特性
（ VDD = 2.5V
±
5%, T
A
= 0~70
°C)
t
CK
t
CH
t
CL
t
DQSCK
t
AC
t
DQSQ
t
HZ
t
LZ
t
RPRE
t
RPST
t
DQSS
t
WPRES
t
WPRE
t
WPST
t
DQSH
t
DQSL
t
DSS
t
DSH
t
IS
t
IH
t
DS
t
DH
t
QHS
t
HP
t
QH
t
RC
t
RFC
t
RAS
t
RCDRD
t
RCDWR
t
RP
t
RRD
t
WR
t
WTR
t
CCD
t
MRD
t
DAL
t
IPW
t
DIPW
t
XSRD
t
XSNR
t
PDEX
时钟周期时间
CL = 3
时钟高电平宽度
时钟低电平宽度
DQS进出时间从CK ，
CK
从CK输出访问时间，
CK
DQS -DQ歪斜
DQ &从CK DQS高阻抗的时间/
CK
从CK DQ & DQS低阻抗时间/
CK
阅读序言
阅读后同步
CK到有效DQS-中
DQS -的建立时间
DQS写序言
DQS写后同步
在高电平脉冲宽度DQS
在低电平脉冲宽度DQS
DQS下降沿到CK建立时间
DQS从CK下降沿保持时间
地址和控制输入建立时间
地址和控制输入保持时间
快速压摆率
慢转换速率
快速压摆率
慢转换速率
ns
t
CK
t
CK
ns
ns
ns
ns
ns
t
CK
t
CK
t
CK
ns
t
CK
t
CK
t
CK
t
CK
t
CK
t
CK
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
CK
t
CK
t
CK
t
CK
ns
ns
t
CK
ns
ns
-0.6
-0.7
-
-
-0.7
0.9
0.4
0.72
0
0.25
0.4
0.35
0.35
0.2
0.2
0.6
0.7
0.6
0.7
0.4
0.4
-
t
CLmin
或T
chmin
t
HP
- t
QHS
60
70
40
18
18
18
10
15
2
1
2
7
2.2
1.75
200
75
t
CK
+ t
IS
0.6
0.7
0.4
0.7
0.7
1.1
0.6
1.25
-
-
0.6
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
-
-
-
-
70K
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
DQ & DM设置时间DQS
DQ & DM保持时间DQS
数据保持倾斜因子
时钟半周期
从DQS DQ / DQS输出保持时间
行周期时间
刷新行周期时间
行活动时间
激活到读延迟
积极撰写延迟
行预充电时间
行有效至行主动延迟
写恢复时间
内部写读命令延迟
上校地址上校地址的延迟
模式寄存器设置循环时间
自动预充电写恢复+预充电
CNTROL和地址输入脉冲宽度
DQ & DM输入脉冲宽度（每个输入）
自刷新退出读命令延迟
退出自刷新非读命令
掉电退出时间
钰创机密
12
修订版1.2
2009年4月
