EtronTech
钰创机密
特点
快速时钟速率： 200MHz的
差分时钟CK &
CK
双向DQS
DLL使能/禁用EMRS
完全同步操作
管道内部架构
四个内部银行， 1M ×16位的每家银行
可编程的模式和扩展模式寄存器
- CAS延迟： 3
- 突发长度： 2 ， 4 ， 8
- 突发类型：顺序&交错
单个字节写入屏蔽控制
DM写入延迟= 0
自动刷新和自刷新
4096刷新周期/ 64ms的
预充电&主动断电
电源： VDD & VDDQ = 2.5V
±
5%
接口： SSTL_2 I / O接口
包装： 66引脚TSOP II ， 0.65毫米引脚间距
- 无铅和无卤素
EM6A8160TSA
4M ×16的DDR同步DRAM （SDRAM）的
高级（修订版1.2四月/ 2009）
表1.Ordering信息
时钟
数据速率套餐
频率
EM6A8160TSA - 5G的200MHz的400Mbps /引脚TSOPII
产品型号
TS ：表示TSOP II封装
答：指代码
G：表示Pb和卤素的TSOPII封装
图1.引脚分配（顶视图）
VDD
DQ0
VDDQ
DQ1
DQ2
VSSQ
DQ3
DQ4
VDDQ
DQ5
DQ6
VSSQ
DQ7
NC
VDDQ
LDQS
NC
VDD
NC
LDM
WE
CAS
RAS
CS
NC
BA0
BA1
A10/AP
A0
A1
A2
A3
VDD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
VSS
DQ15
VSSQ
DQ14
DQ13
VDDQ
DQ12
DQ11
VSSQ
DQ10
DQ9
VDDQ
DQ8
NC
VSSQ
UDQS
NC
VREF
VSS
UDM
CK
CK
CKE
NC
NC
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
概观
该EM6A8160 SDRAM是高速CMOS双
数据传输速率包含64兆比特的同步DRAM 。这是
在内部配置为四1M ×16的DRAM与
同步接口（所有信号被登记在
在时钟信号的上升沿， CK） 。数据输出出现在
CK的两个上升沿和
CK
。读取和写入访问
到SDRAM是迸发导向;存取开始在
选定位置，并继续为编程数
地点在编程序列。访问开始
一个BankActivate命令的登记中，然后
其次是读或写命令。该EM6A8160
提供可编程的读或写的2,4突发长度
8.一种自动预充电功能可被使能，以提供一个
自定时行预充电时的端部开始该
爆序列。刷新功能，自动或自
刷新易于使用。此外， EM6A8160设有
可编程DLL选项。通过具有可编程
模式寄存器和扩展模式寄存器中，该系统可以
选择最合适的模式，以最大限度地发挥其
性能。这些装置非常适用于应用
需要高内存带宽和高性能。
钰创科技有限公司
6号，科技路。五，新竹科学园区，台湾新竹30078 ， ROC
电话： （ 886 ） -3-5782345
传真： （ 886 ） -3-5778671
钰创科技公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
EtronTech
引脚说明
表2. EM6A8160的脚详细
符号
CK ，
CK
TYPE
输入
描述
EM6A8160TSA
差分时钟：
CK和
CK
是差分时钟输入。所有地址和控制
输入信号被采样， CK和负的正边缘的交叉
边缘
CK
。输入和输出数据被引用到CK的交叉和
CK
（两个
道口方向）
时钟使能：
CKE激活（ HIGH）和停用（ LOW ）的CK信号。如果CKE
变为低电平同步于时钟，内部时钟从下一个暂停
时钟周期和输出的状态和突发地址只要被冻结为所述CKE
仍然很低。当所有银行都处于空闲状态时，去活的时钟控制
进入掉电和自刷新模式。
银行激活：
BA0和BA1定义到银行BankActivate ，读，写，或
BankPrecharge命令被应用。
地址输入：
A0 - A11是在BankActivate指令周期内采样（行
地址A0 - A11）和读/写命令（列地址A0- A7与A10定义
自动预充电） 。
片选：
CS
使（采样为低电平）和禁用（采样为高电平）的
命令解码器。所有的命令都被屏蔽时，
CS
采样为高电平。
CS
提供了在与多家银行系统外的银行选择。这是
的命令代码组成部分。
行地址选通：
该
RAS
信号限定在所述操作指令
与结合
CAS
和
WE
信号和被锁存在的正边缘
CK 。当
RAS
和
CS
断言"LOW"和
CAS
为有效"HIGH ， "或者
在BankActivate命令或预充电命令被选中的
WE
信号。当
WE
为有效"HIGH ， "的BankActivate命令被选中
和由BA指定的银行接通时为有效状态。当
WE
is
置"LOW ， "的预充电命令被选择和存储体指定由BA
在预充电操作之后被切换到空闲状态。
列地址选通：
该
CAS
信号限定在所述操作指令
与结合
RAS
和
WE
信号和被锁存在的正边缘
CK 。当
RAS
举行"HIGH"和
CS
被断言"LOW ， "的列存取是
通过认定开始
CAS
"LOW."然后，读或写命令被选中
主张
WE
"HIGH "或LOW"."
CKE
输入
BA0 ， BA1
A0-A11
输入
输入
CS
输入
RAS
输入
CAS
输入
WE
输入
写使能：
该
WE
信号定义与配合操作命令
该
RAS
和
CAS
信号和被锁存在CK的上升沿。该
WE
输入
用于选择BankActivate或预充电命令和读取或写入
命令。
双向数据选通：
指定计时的输入和输出数据。读数据
频闪是边沿触发。写数据选通提供了一个建立时间和保持时间的数据
和DQM 。 LDQS是DQ0 7 ， UDQS是DQ8 15 。
数据输入掩码：
当DM是写在高采样输入数据被屏蔽
周期。 LDM口罩DQ0 - DQ7 ， UDM口罩DQ8 - DQ15 。
数据I / O ：
的DQ0 - DQ15输入和输出数据与正同步
CK的边和
CK
在I / O是字节屏蔽期间，写操作。
LDQS ，
UDQS
LDM ，
UDM
DQ0 - DQ15
输入/
产量
输入
输入/
产量
钰创机密
3
修订版1.2
2009年4月
EtronTech
操作模式
表3真值表（注（1 ），（ 2））的
命令
BankActivate
BankPrecharge
PrechargeAll
写
写和AutoPrecharge
读
阅读和AutoPrecharge
模式寄存器设置
扩展MRS
无操作
突发停止
设备取消
自动刷新
SelfRefresh入口
SelfRefresh退出
EM6A8160TSA
完全同步操作执行到锁存命令在CK的上升沿。表3
示出了用于该操作的命令的真值表。
状态
CKE
n-1
CKE
n
UDM LDM BA
0,1
A
10
A
0-9,11
CS RAS CAS
WE
空闲
(3)
任何
任何
活跃
(3)
活跃
(3)
活跃
(3)
活跃
(3)
空闲
空闲
任何
活跃
(4)
任何
空闲
空闲
空闲
（ SelfRefresh ）
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
L
H
L
H
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
H
L
H
L
H
L
H
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
L
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
L
V
V
X
V
V
V
V
行地址
L
H
L
H
L
H
X
X
COLUMN
地址
(A0 ~ A7)
COLUMN
地址
(A0 ~ A7)
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
H
H
H
L
L
H
H
X
L
L
X
H
X
H
X
H
X
V
X
H
X
X
H
H
H
L
L
L
L
L
L
H
H
X
L
L
X
H
X
H
X
H
X
V
X
H
X
X
H
L
L
L
L
H
H
L
L
H
L
X
H
H
X
H
X
H
X
H
X
V
X
H
X
X
操作码
操作码
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
L
L
H
L
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
X
预充电掉电模式
条目
预充电掉电模式
出口
主动掉电模式
条目
主动掉电模式
出口
数据输入掩码禁用
数据输入掩码启用（ 5 ）
空闲
任何
（掉电）
活跃
任何
（掉电）
活跃
活跃
H
X
H
H
X
X
X
X
注意：
1， V =有效数据，X =无关， L =低电平， H =高电平
2. CKE
n
信号提供命令时，输入电平。
CKE
n-1
信号被输入一个级别时钟周期中提供的命令之前。
3.这是由BA信号指定银行的状态。
4.设备状态为2， 4，8，脉冲串操作。
5. LDM和UDM可以分别启用。
钰创机密
5
修订版1.2
2009年4月
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