CDCE937
CDCEL937
SLAS564F - 2007年8月 - 修订2010年3月
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封装热阻的TSSOP （ PW ）封装
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
参数
气流
（ LFM ）
0
150
T
JA
热阻结到环境
200
250
500
T
JC
T
JB
R
QJT
R
QJB
(1)
热阻结到外壳
热阻结到董事会
热阻结到顶部
热阻结到下
—
—
—
—
TSSOP20
° C / W
89
75
74
74
69
31
55
0.8
49
封装的热阻抗的计算按照JESD 51 JEDEC2S2P （高K板） 。
推荐工作条件
民
V
DD
V
O
V
IL
V
IH
V
我（脱粒）
V
IS
V
我（CLK）
I
OH
/I
OL
C
L
T
A
器件的电源电压
YX输出电源电压CDCE937 ， VDDOUT
YX输出电源电压CDCEL937 ， VDDOUT
低电平输入电压LVCMOS
高电平输入电压LVCMOS
输入电压阈值LVCMOS
输入电压范围为S0
输入电压范围S1，S2， SDA，SCL ; V
我（脱粒）
= 0.5 V
DD
输入电压范围CLK
输出电流（ VDDOUT = 3.3 V ）
输出电流（ VDDOUT = 2.5 V）
输出电流（ VDDOUT = 1.8 V ）
输出负载LVCMOS
工作自由空气的温度
–40
0
0
0
0.7 V
DD
0.5 V
DD
1.9
3.6
1.9
±12
±10
±8
10
85
pF
°C
mA
1.7
2.3
1.7
喃
1.8
最大
1.9
3.6
1.9
0.3 V
DD
V
V
V
V
V
V
单位
V
推荐的石英/ VCXO规格
(1)
民
f
XTAL
ESR
f
PR
C
0
/C
1
C
L
(1)
(2)
晶振输入频率范围（基本模式）
等效串联电阻
牵引范围（0V
≤
VCTRL
≤
1.8 V)
(2)
频率控制电压， VCTRL
Pullability比
片上，在XIN和XOUT负载电容
0
±120
0
±150
V
DD
220
20
pF
8
喃
27
最大
32
100
单位
兆赫
PPM
V
有关VCXO配置，推荐水晶的详细信息，请参阅申请报告（ SCAA085 ） 。
牵引范围取决于晶型，片上晶体负载电容和PCB杂散电容;最小的牵引范围± 120 ppm的
适用于晶体中的申请报告（ SCAA085 ）上市。
EEPROM规格
民
EEcyc
EEret
EEPROM的编程周期
数据保留
1000
10
典型值
最大
单位
周期
岁月
4
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