位置：首页 > IC型号导航 > 首字符E型号页 > 首字符E的型号第784页 > EDS6416AHBH-75TT-E > EDS6416AHBH-75TT-E PDF资料 > EDS6416AHBH-75TT-E PDF资料1第35页
EDS6416AHBH-TT
读命令预充电命令间隔（同一银行）
当预充电命令在同一家银行为读命令它之前，最低执行
两个指令之间的时间间隔为一个时钟。然而，由于输出缓存器，然后后变为高阻
时钟定义的
lHZP ，
有将被中断，如果在预充电中断的脉冲串读出的数据输出的情况下
命令是在突发读取输入。读取由突发读取的所有数据，时钟定义的
LEP
必须保证为
的间隔从最终数据输出到预充电命令的执行。
CLK
命令
读
PRE / PALL
DQ
出A0
出A1
出A2
出A3
CL=2
LEP
= -1周期
EO
CLK
命令
DQ
CLK
命令
DQ
CLK
命令
DQ
读到预充电命令间隔（同一银行） ：输出所有数据（ CL = 2 ， BL = 4 ）
读
PRE / PALL
出A0
出A1
出A2
出A3
读到预充电命令间隔（同一银行） ：输出所有数据（ CL = 3 ， BL = 4 ）
读到预充电命令间隔（同一银行） ：要停止输出数据（ CL = 2 ， BL = 1 ， 2 ， 4 ， 8 ）
读到预充电命令间隔（同一银行） ：要停止输出数据（ CL = 3 ， BL = 1 ， 2 ， 4 ， 8 ）
数据表E0718E20 （版本2.0 ）
L
读
读
CL=3
LEP
= -2周期
od
Pr
PRE / PALL
高-Z
出A0
lHZP
= 2
PRE / PALL
高-Z
出A0
lHZP
=3
t
uc
35
