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数据表
64M位SDRAM
WTR （宽温度范围）
EDS6416AHBH -TT （ 4M字
×
16比特）
特定网络阳离子
密度： 64M位
组织
100万字
×
16位
×
4银行
包装： 60球FBGA
无铅（符合RoHS）
电源： VDD ， VDDQ
=
3.3V
±
0.3V
时钟频率： 133MHz的（最大）
四大银行内部的并发操作
接口： LVTTL
脉冲串长度（BL） ： 1，2， 4，8，整页
突发类型（BT） ：
顺序（ 1，2， 4，8，全页）
交织（1， 2，4， 8）
/ CAS延迟（CL） ：2,3
预充电：对于每个突发自动预充电操作
ACCESS
刷新：自动刷新，自刷新
刷新周期： 4096次/ 64ms的
平均更新周期：值为15.6μs
工作环境温度范围
TA = -20 ° C至+ 85°C
销刀豆网络gurations
/ XXX表示低电平有效的信号。
60球FBGA
1
A
VSS
B
DQ14
C
DQ13 VDDQ
D
DQ12
E
DQ10
F
DQ9
G
DQ8
H
NU
VSS
VDD
NU
J
NU
NU
DQ7
VDDQ
VSSQ
DQ6
VSSQ
VDDQ
DQ5
DQ11
DQ4
DQ3
VSSQ
DQ2
VSSQ
VDDQ
DQ1
DQ15
DQ0
VDD
2
3
4
5
6
7
EO
特点
单脉冲/ RAS
突发读/写操作和突发读/写单
操作能力
通过UDQM和LDQM控制字节
工作温度范围宽
TA = -20 ° C至+ 85°C
一号文件E0718E20 （版本2.0 ）
发布日期2005年12月（K ）日本
日本印刷
网址： http://www.elpida.com
L
od
Pr
NU
UDQM
K
L
NU
CLK
CKE
NU
M
A11
A9
N
A8
A7
P
A6
A5
R
VSS
A4
LDQM
/ WE
/ RAS
/ CAS
NC
/ CS
BA1
BA0
A0
A10
A2
A1
A3
VDD
（ TOP VIEW ）
CKE
CLK
VDD
VSS
VDDQ
VSSQ
NC
*1
NU
*2
时钟使能
时钟输入
电源内部电路
地上的内部电路
电源电路DQ
地面DQ电路
无连接
不可用
A0到A11
BA0 ， BA1
DQ0到DQ15
/ CS
/ RAS
/ CAS
/ WE
LDQM ， UDQM
地址输入
银行选择地址
数据输入/输出
芯片选择
行地址选通
列地址选通
写使能
输入/输出的掩码
注： 1 。没有内部连接。
2.不要连接。内部连接。
本产品成为了EOL的， 2007年4月。
Elpida
内存方面， 2005年公司
t
uc
