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NEC “
S
3.2 V， 2 W ， L&S BAND NE5520279A
中功率硅LD- MOSFET
特点
低成本的塑料表面贴装封装：
5.7
x
5.7
x
1.1毫米MAX
高输出功率：
+32 dBm的典型值
5.7 MAX 。
0.6±0.15
外形尺寸
（以毫米单位）
包装外形79A
（底视图）
4.2 MAX 。
来源
1.5±0.2
来源
0X001
4.4 MAX 。
高功率附加效率：
45 ％典型值在1.8 GHz的
单电源：
2.8 6.0 V
A
0.4±0.15
5.7 MAX 。
0.2±0.1
0.8±0.15
1.0最大。
高线性增益：
10分贝TYP @ 1.8 GHz的
2
门
漏
门
漏
0.8最大。
3.6±0.2
描述
NEC的NE5520279A是横向的N沟道硅功率
扩散MOSFET专门设计的电源放大器器
为移动和
固定的无线应用。死是制造
使用NEC的NEWMOS技术（ NEC的0.6 factured
m
的WSi栅极横向MOSFET ），并装在一个表面安装型
封装。
应用
数字蜂窝电话：
3.2 V DCS1800手机
0.7 GHz的固定无线接入
W- LAN
短距离无线
零售业务RADIO
专用移动无线电设备
电气特性
(T
A
= 25°C)
产品型号
包装外形
实用
特征
符号
P
OUT
G
L
特征
输出功率
线性增益
功率增加外汇基金fi效率
漏电流
栅极 - 源极漏电流
饱和漏极电流
（零电压门漏电流）
栅极阈值电压
跨
漏极至源极击穿电压
热阻
单位
DBM
dB
%
mA
nA
nA
V
S
V
° C / W
15
1.0
1.4
1.3
18
8
40
民
30.5
NE5520279A
79A
典型值
32.0
10
45
800
100
100
1.9
V
GS
= 5.0 V
V
DS
= 6.0 V
V
DS
= 3.5 V，I
DS =
1毫安
V
DS
= 3.5 V，I
DS =
700毫安
I
DSS
= 10
A
通道到案件
最大
测试条件
F = 1.8千兆赫，V
DS
= 3.2 V,
I
DSQ
= 700毫安， P
IN
= 25 dBm时，除
P
IN
= 5 dBm的线性增益
η
添加
I
D
I
GSS
I
DSS
V
TH
g
m
BV
DSS
R
TH
注意事项：
1. DC性能是100 ％的测试。 RF性能，每片晶圆测试几个样品。
晶圆拒收标准的标准设备是1拒绝了几个样品。
2. P
in
= 5 dBm的
电力直流
特征
0.9±0.2
美国加州东部实验室
