
PA04 PA04A
一般
P ,R 0 ü (C T) I N N 2 O V A T I nF的R 0米
休眠模式操作
在睡眠模式下,引脚12 (休眠)被连接到引脚9 ( + V
BOOST
).
这将禁用放大器的内部参考和上午
plifier关闭除3 mA的涓流电流
流入引脚12引脚12应保留,如果在睡眠模式开启
不是必需的。
几种可能的电路可以建拍到的优点
此模式。在图2A中的小信号继电器由一个逻辑驱动的
门。这消除了需要处理的常见
模式电压上存在遮断电路由于睡眠
模式被引用到+ V
BOOST
电压。
在图2B中,电路是用来水平平移的睡眠
模式输入信号。差分输入激活休眠模式
用差分逻辑电平信号,并且允许普通模式
电压±V
BOOST
.
逻辑
K1
9
+V
BOOST
请仔细阅读使用说明1 "General工作CON-
siderations"覆盖稳定,耗材,散热,
安装,限流, SOA的解释,和特异性阳离子
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电流限制
两限流线条感都可以直接连接
整个限流检测电阻。对于目前的限
正常工作针11必须连接到放大器输出端
侧面和10脚连接到电流限制负载侧
电阻R
CL
如图1所示。该连接将绕过
任何寄生电阻,反相,由插座和焊料形成
关节以及内部放大器的损失。限流
电阻器可以不放在任何地方,在输出电路除外
其中,如图1所示。
限流电阻器的值可以计算为
如下所示:
.76
R
CL
=
I
极限
R
f
图1 。
电流限制。
Ri
输入
1
10
CL
2
PA04
11
CL
7
12
睡觉
图2A 。休眠模式的电路。
560Ω
470Ω
9
+V
BOOST
+
Q1
1KΩ
Q2
–V
BOOST
12
睡觉
逻辑
R
P
R
CL
R
L
-
输入
470Ω
安全工作区( SOA )
这种权力运作扩增的MOSFET输出级
费里有两个明显的局限性:
1. MOSFET的几何形状的电流处理能力
与引线键合。
2.输出MOSFET的结温。
注:输出级进行保护,防止瞬态反激
回来了。然而,对于防止持续,高
反激能量,外部快速恢复二极管应
被使用。
20
10
输出电流(A )
图2B 。睡眠模式电路。
升压操作
与V
BOOST
特色的小信号阶段
扩增fi er是在更高的电源电压低于操作
扩增fi er的高电流输出级。 + V
BOOST
(引脚9)和
–V
BOOST
(引脚5)被连接到的小信号电路
该扩增fi er 。 + V
S
(引脚8)和-V
S
(引脚6)被连接到
高电流输出级。一个额外的5V在V
BOOST
引脚
是足以使小信号级,以驱动输出
晶体管进入饱和状态而提高输出电压
必要时摆动额外的外汇基金fi cient操作。当关闭
摆动到供电轨不需要+ V
BOOST
和+ V
S
引脚必须绑在一起,以及在-V
BOOST
和-V
S
销。升压电压引脚不能在电压较低
比V
S
销。
SOA
t=
D
D
D
C
T
C
T
C
=
5.0
C
T
1m
s
10
m
s
°C
t=
C
=
C
2.0
1.0
.5
=
85
25
12
°C
赔偿金
外部补偿组件
C
和R
C
是CON-
连接至引脚3和4单位增益稳定,可以实现
在任何补偿容量大于330 pF的与在
至少有60度的相位裕度。在更高的收益更多的相位
移可以在大多数设计中,补偿被容忍
电容可以相应地减少,从而导致更高的
带宽和压摆率。使用典型工作曲线为
指导,以选择C
C
和R
C
对于该应用程序。
5°
C
.2
2
100 200
5
10
20
50
供应输出差分( V)
4
PA04U