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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符P型号页 > 首字符P的型号第611页 > PA04A
功率运算放大器
PA04 PA04A
M I C R T E C H N 0 1 摹
HTTP://WWW.APEXMICROTECH.COM
（ 800 ） 546 - APEX
(800) 546-2739
特点
高内部功耗 - 200瓦
高电压，大电流 - 200V ， 20A
高压摆率 - 50V / μs的
4线电流限制感应
低失真
外部休眠模式控制
可选的升压输入
评估套件 - SEE EK04
PA04
美国
TE9493
1
1
BEO
应用
声纳换能器驱动
线性和旋转电机驱动
YOKE /磁场激励
可编程电源到
±95V
音频，高达400W
典型用途
高功率带宽和高电压输出
PA04允许通过谐振电路驱动声纳换能器
包括换能器和一个匹配变压器。负载
回路电阻出现的PA04 。控制逻辑关断
放大器处于睡眠模式。
R
f
描述
该PA04是一种高电压MOSFET功率运算
扩增fi er扩展权力扩增的性能极限
在压摆率和功率带宽，同时保持较高的网络连接器
电流和功率耗散额定值。
在PA04是一个高度灵活的放大器。睡眠模式
功能允许超低静态电流的待机操作
化或负载保护通过禁用整个放大器。促进
电压输入允许放大器的小信号部分
操作在较高的电压低于高电流输出级。
该放大器器然后偏置达到接近线性摆幅
电源电压高电流额外的外汇基金fi cient操作。
外部补偿裁缝性能用户的需求。一
四线感应技术允许精确的电流限制
无需考虑内部或外部毫
寄生电阻在输出线。
符合JEDEC MO- 127 12针电源浸封装（见
包装纲要）是密封的，并从分离
内部电路。使用可压缩的热敏垫圈会
无效产品的保修期。
控制
逻辑
ULTRA-
SONIC
DRIVE
R
i
1
2
12
PA04
11
10
7
R
CL
调谐
变压器
声纳换能器驱动
外部连接
等效原理图
睡觉
12
9
+V
BOOST
Q10
D1
Q5
D2
D3
Q12
D5
In
1
D6
+ IN
2
Q17
Q19
D7
COMP D8
3
Q21
Q22
4
–V
BOOST
5
COMP
Q20
6 -Vs
Q26
Q18
D9
10
I
LIM
7
OUT
Q7
D4
Q13
Q6
I
LIM
11
VS + 8
-INPUT
+输入
COMP
R
C
C C
COMP
-V
BOOST
1
2
3
4
5
6
顶部
意见
12
11
10
9
8
7
睡觉
电流限制
电流限制
+V
BOOST
*
+电源
产量
*
- 供应
Q14 Q15
相位补偿
收益
1
>3
≥10
C
C
470pF
220pF
100pF
R
C
120
120
120
C
C
额定满电源电压
*请参阅“升压操作”的段落。
APEX微技术有限公司
电话（ 520 ） 690-8600 传真（ 520 ） 888-3329 令（ 520 ） 690-8601 电子邮件prodlit@apexmicrotech.com
PA04 PA04A
绝对最大额定值
电源电压+ V
S
为±V
S
升压
输出电流，内部SOA
功耗，内部
输入电压，差分
输入电压，共模
温度，焊针 - 10S
温度，结
2
温度，贮藏
工作温度范围，案例
PA04
测试条件
1
绝对最大额定值
特定网络阳离子
200V
电源电压+ 20V
20A
200W
±20V
±V
S
300°C
150°C
-65到+ 150°C
-55到+ 125°C
PA04A
最大
民
典型值
最大
单位
特定网络阳离子
参数
输入
失调电压，初始
失调电压与温度
失调电压，与电源
失调电压，与电源
偏置电流，初始
偏置电流与电源
偏置电流，初始
输入阻抗，直流
输入电容
共模电压范围
共模抑制， DC
输入噪声
收益
开环， @ 15Hz的
增益带宽积
功率带宽
相位裕度
产量
电压摆幅
电压摆幅
电流，峰值
建立时间0.1 ％
压摆率
容性负载
阻力
电源
电压
整个温度范围
当前，静态，升压电源
当前，静态总
当前，静态总，睡眠模式全温度范围
热
电阻，交流，结到管壳
3
电阻，直流，结到管壳
阻力
4
，结点到空气
温度范围内的情况下
注意事项：
*
1.
2.
3.
4.
整个温度范围内， F>60Hz
整个温度范围内， F<60Hz
整个温度范围
满足全系列规格
±15
I
O
= 15A
V
BOOST
= VS + 5V ，我
O
= 20A
A
V
= 1， 10V步骤中，R
L
= 4
A
V
= 10, C
C
= 100pF电容，R
C
= 120
整个温度范围内，A
V
= +1
整个温度范围内，C
C
= 100pF的
I
O
= 10A
R
L
= 4.5, V
O
= 180V P-P
C
C
= 100pF电容，R
C
= 120
整个温度范围
94
整个温度范围
整个温度范围
民
典型值
整个温度范围
全温。范围内，V
CM
=
±20V
100kHz的带宽，R
S
= 1K
±V
B
-8
86
5
30
15
30
10
.01
10
10
11
13
98
10
102
2
90
60
10
50
50
50
*
*
2
10
*
10
5
*
5
*
*
*
*
*
*
*
*
5
30
20
20
mV
μV/°C
V/V
μV / W
pA
PA / V
pA
pF
V
dB
μVRMS
dB
兆赫
千赫
°
*
±V
S
-8.8
±V
S
-7.5
±V
S
-6.8
±V
S
-5.5
20
2.5
40
50
10
2
*
*
*
*
*
*
*
*
*
V
V
A
s
V / μs的
nF
±75
30
70
3
.3
.5
12
±100
40
90
5
.4
.6
85
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
V
mA
mA
mA
° C / W
° C / W
° C / W
°C
–25
*
PA04A的规格是相同的向左在适用柱规格为PA04 。
除非另有说明：T已
C
= 25°C, C
C
= 470pF的，R
C
= 120欧姆。直流输入规格
±
值给出。电源
电压是典型的投资评级。
±V
BOOST
=
±V
S
.
在最大结温长期运行会导致降低产品寿命。减免内部功耗
实现高平均无故障时间。为指导，请参阅散热器数据表。
等级的情况发生的速率的两个输出晶体管之间的输出电流交替比60赫兹速度更快。
在PA04必须使用散热片或静态功耗可驱动单元结温超过150 ° C以上。
该PA04是从MOSFET晶体管构成。 ESD处理程序必须得到遵守。
内部基材中含有氧化铍（ BeO的） 。不要打破封印。如果不慎破裂，不粉碎，机，或
受温度超过850℃ ，以避免产生有毒烟雾。
小心
APEX微技术有限公司
5980北香农路亚利桑那州图森85741 美国应用热线： 1 （ 800 ） 546-2739
典型性能
图的
PA04 PA04A
电源抑制PSR （分贝）
内部功耗， P（ W）
200
功率降额
电源抑制
100
80
60
40
20
0
10
60
压摆率
150
T = T
C
100
压摆率SR （V /μs的）
40
4Ω负载
20
50
T = T
A
0
0
25
50
75 100 125
温度， T（℃ ）
150
100 1K 10K 100K 1M 10M
频率f（赫兹）
R
C
= 120
0
300
400
500
100
200
EXT 。补偿电容C
C
（PF ）
开环增益响应， A（分贝）
120
小信号增益
0
小信号相位
开环相位，
Φ
(°)
R
C
= 120
R
L
= 4
电压降从供给，V
S
–V
O
(V)
输出电压摆幅
12
10
8
6
4
2
0
V
BOOST
= V
S
ST
V
BOO
C
C
=
C
C
–45
80
F
0p
10
=
F
0p
47
–90
C
C
= 470pF的
C
C
= 220PF
C
C
= 100pF的
= V
S
40
C
C
=
0
22
pF
–135
0
1
R
C
= 120
R
L
= 4
10 100 1K 10K 100K的1M 10M
频率， FF（赫兹）
+ 5V
–180
1
10
100 1K 10K 100K 1M 10M
频率f （ HZ）
5
10
15
输出电流，I
O
(A)
20
共模抑制， CMR （分贝）
共模抑制
7.5
脉冲响应
输出电压V
O
(V)
A
V
= +1
5
2.5
0
C
C
= 470pF的
电流限制
标准化的电流限值（ ％ ）
130
120
110
100
90
80
70
60
–50 –25 0 25 50 75 100 125
外壳温度，T
C
(°C)
200
180
150
120
100
80
60
40
R
C
=120
R
L
= 4.0
20K
50K .2M .6M
频率f （ HZ）
1M
100
80
60
40
20
0
10
–2.5
–5
–7.5
100
1K
10K 100K
频率f （ HZ）
1M
0
5
10
15
20
时间t （微秒）
25
30
.2
.1
谐波失真
A
V
= 10
R
L
=4
C
C
= 100pF电容，R
C
= 120
-VS
= 62V
W
00
归一化静态电流，我
Q
(X)
1.2
静态电流
输出电压V
O
(V
PP
)
功率响应
失真， THD （ ％ ）
=3
P
.05
.02
.01
O
1.1
C
C
C
C
C
C
pF
70
=4
pF
20
=2
pF
00
=1
1.0
P
O
= 1W
.005
.002
=
P
O
20
0W
.9
.001
30
100 300 1K 3K 10K 30K
频率f （ HZ）
.8
50
100
150
30
200
总电源电压，V
S
(V)
20
10K
APEX微技术有限公司
电话（ 520 ） 690-8600 传真（ 520 ） 888-3329 令（ 520 ） 690-8601 电子邮件prodlit@apexmicrotech.com
PA04 PA04A
一般
请阅读“一般操作注意事项”节
化，其中包括稳定性，耗材，散热，安装，
限流， SOA的解释，和特异性阳离子interpreta-
化。附加信息可以在应用程序中找到
注释。有关封装外形信息，散热片，并
安装硬件，请参阅“附件和包装
机械数据“手册的部分。该EK04评估显
ATION套件使得原型电路瞬间通过提供
EK04PC原型电路板， MS05配接插座， HS11
散热器和硬件工具包。
操作
注意事项
睡眠模式操作
在睡眠模式下，引脚12 （休眠）被连接到引脚9 （ + V
BOOST
).
这将禁用放大器的内部参考和扩增
费里关闭除3 mA的电流涓流流动
进针12针12应保持开放，如果睡眠模式是不
所需。
几种可能的电路可以建拍到的优点
此模式。在图2A中的小信号继电器由一个逻辑驱动的
门。这消除了需要处理的常见
模式电压上存在遮断电路由于睡眠
模式被引用到+ V
BOOST
电压。
在图2B中，电路是用来水平平移的睡眠
模式输入信号。差分输入激活休眠模式
用差分逻辑电平信号，并且允许普通模式
电压
±V
BOOST
.
逻辑
K1
9
+V
BOOST
电流限制
两限流线条感都可以直接连接
整个限流检测电阻。
对于目前的限
正常工作针11必须被连接到放大器
输出侧和销10连接到的负载侧
限流电阻，R
CL
如示于图1 。
这
连接将绕过任何寄生电阻，反相，形成
通过插座和焊点以及内部放大器的损失。
限流电阻器可能无法在任何位置
输出电路以外的地方，如图1所示。
限流电阻器的值可以计算为
如下所示：
.76
R
CL
=
I
极限
R
f
12
睡觉
图2A 。休眠模式的电路。
560
470
Q1
1K
Q2
–V
BOOST
9
+V
BOOST
图1 。
电流限制。
12
Ri
输入
10
1
CL
2
CL
PA04
11
7
R
P
R
CL
+
睡觉
逻辑
输入
470
R
L
-
安全工作区（ SOA ）
这种权力运作扩增的MOSFET输出级
费里有两个明显的局限性：
1. MOSFET的几何形状的电流处理能力
与引线键合。
2.输出MOSFET的结温。
注意：
输出级进行保护，防止瞬态反激式。
然而，对于防止持续，高能量
反激式，外部快速恢复二极管应使用。
20
t=
图2B 。
休眠模式的电路。
升压操作
与V
BOOST
特色的小信号阶段
扩增fi er是在更高的电源电压低于操作
扩增fi er的高电流输出级。 + V
BOOST
（引脚9）和
–V
BOOST
（引脚5）被连接到的小信号电路
放大器。 + V
S
（引脚8）和-V
S
（引脚6 ）被连接到所述高
电流输出级。一个额外的5V在V
BOOST
销是
足以使小信号级，以驱动输出
晶体管进入饱和状态而提高输出电压
必要时摆动额外的外汇基金fi cient操作。当关闭
摆动到供电轨不需要+ V
BOOST
和+ V
S
引脚必须绑在一起，以及在-V
BOOST
和-V
S
销。升压电压引脚不能在电压低于
在V
S
销。
t=
10
m
s
10
D
输出电流（A ）
1m
s
C
5.0
D
C
Tc
D
C
Tc
85
Tc
=
=
25
°C
2.0
=
°C
12
5°
赔偿金
外部补偿组件
C
和R
C
是
连接到引脚3和4单位增益稳定，可以实现
在任何补偿容量大于330 pF的与在
至少有60度的相位裕度。在更高的收益更多的相位
移可以在大多数设计中，补偿被容忍
电容可以相应地减少，从而导致更高的
带宽和压摆率。使用典型工作曲线为
指导，以选择C
C
和R
C
对于该应用程序。
C
1.0
.5
.2
2
100
5
10
20
50
供应输出差分（ V）
200
此数据表已经被仔细检查，被认为是可靠的，但是，没有承担责任的可能不准确或遗漏。所有规格如有变更，恕不另行通知。
PA04U REV 。我1997年12月1997顶点微技术公司
PA04,
I
PA04A
0：N
F
F
r
r
o
o
m
m
P ，R 0 ú T I
N N 0伏一
T I
nnova
PA04 PA04A
PA04 PA04A
功率运算放大器
特点
高内部功耗 - 200瓦
高电压，高电流 - 200V ， 20A
高压摆率 - 50V / μS
4线电流限制感应
低失真
外部休眠模式控制
可选的升压输入
评估套件 - SEE EK09
应用
超声波换能器驱动
线性和旋转电机驱动
YOKE /磁场激励
可编程电源至± 95V
音频，高达400W
典型用途
12-PIN DIP
包装样式CR
高功率带宽和高电压输出
PA04允许通过谐振电路驱动声纳换能器
包括换能器和一个匹配变压器。负载
回路电阻出现的PA04 。控制逻辑关断
放大器处于睡眠模式。
R
f
描述
该PA04是一种高电压MOSFET功率运算
扩增fi er扩展权力扩增的性能极限
在压摆率和功率带宽，同时保持较高的网络连接器
电流和功率耗散额定值。
在PA04是一个高度灵活的放大器。睡眠模式
功能允许超低静态电流的待机操作
化或负载保护通过禁用整个放大器。促进
电压输入允许放大器的小信号部分
操作在较高的电压低于高电流输出级。
该放大器器然后偏置达到接近线性摆幅
电源电压高电流额外的外汇基金fi cient操作。
外部补偿裁缝性能用户的需求。
一个四线感应技术使精准电流限制
无需考虑内部或外部毫
寄生电阻在输出线。
符合JEDEC MO- 127 12针电源浸封装（见
包装纲要）是密封的，并从分离
内部电路。使用可压缩的热敏垫圈
将导致产品的保修期。
控制
逻辑
ULTRA-
SONIC
DRIVE
R
i
1
2
12
PA04
11
10
7
R
CL
调谐
变压器
声纳换能器驱动
外部连接
-INPUT
+输入
COMP
C R
C
C
等效原理图
12
9
睡觉
+V
BOOST
D1
Q10
D2
D3
Q5
Q12
D5
In
1
D6
+ IN
2
Q17
D7
COMP D8
3
Q21
–V
BOOST
5
Q22
4
COMP
Q20
6 -Vs
Q26
Q19
Q18
D9
10
I
LIM
7
OUT
Q7
D4
Q13
Q6
I
LIM
11
VS + 8
睡觉
1
2
3
4
5
6
冠捷
12
11
10
9
8
7
电流限制
电流限制
+V
BOOST
COMP
-V
BOOST
*
+电源
产量
*
- 供应
Q14 Q15
相位补偿
收益
C
C
R
C
1
470pF
120Ω
>3
220pF
120Ω
≥10
100pF
120Ω
C
C
额定满电源电压
*请参阅“升压操作”的段落。
PA04U
http://www.cirrus.com
版权所有 Cirrus Logic公司， 2009年公司
（版权所有）
2009年5月
1
APEX - PA04UREVL
PA04 PA04A
绝对最大额定值
P ，R 0 ü （C T） I N N 2 O V A T I nF的R 0米
特定网络阳离子
参数
输入
失调电压，初始
失调电压与温度
失调电压，与电源
失调电压，与电源
偏置电流，初始
偏置电流与电源
偏置电流，初始
输入阻抗，直流
输入电容
共模电压范围
共模抑制， DC
输入噪声
收益
开环， @ 15Hz的
增益带宽积
功率带宽
相位裕度
产量
电压摆幅
电压摆幅
电流，峰值
建立时间0.1 ％
压摆率
容性负载
阻力
电源电压+ V
S
为±V
S
升压
输出电流，内部SOA
功耗，内部
输入电压，差分
输入电压，共模
温度，焊针 - 10S
温度，结
2
温度，贮藏
工作温度范围，案例
测试条件
1
民
PA04
典型值
5
30
15
30
10
.01
10
10
11
13
98
10
102
2
90
60
±V
S
-8.8 ±V
S
-7.5
±V
S
-6.8 ±V
S
-5.5
20
2.5
40
50
10
2
±15
±75
30
70
3
.3
.5
12
–25
±100
40
90
5
.4
.6
85
最大
10
50
50
50
200V
电源电压+ 20V
20A
200W
±20V
±V
S
300°C
150°C
-65到+ 150°C
-55到+ 125°C
民
PA04A
典型值
2
10
*
10
5
*
5
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
最大
5
30
20
20
单位
mV
μV/°C
V/V
μV / W
pA
PA / V
pA
Ω
pF
V
dB
μVRMS
dB
兆赫
千赫
°
V
V
A
s
V / μs的
nF
Ω
V
mA
mA
mA
° C / W
° C / W
° C / W
°C
整个温度范围
整个温度范围
整个温度范围
全温。范围内，V
CM
= ±20V
100kHz的带宽，R
S
= 1KΩ
整个温度范围内，C
C
= 100pF的
I
O
= 10A
R
L
= 4.5Ω, V
O
= 180V P-P
C
C
= 100pF电容，R
C
= 120Ω
整个温度范围
I
O
= 15A
V
BOOST
= VS + 5V ，我
O
= 20A
A
V
= 1， 10V步骤中，R
L
= 4Ω
A
V
= 10, C
C
= 100pF电容，R
C
= 120Ω
整个温度范围内，A
V
= +1
±V
B
-8
86
*
*
94
*
电源
电压
整个温度范围
当前，静态，升压电源
当前，静态总
当前，静态总，睡眠模式全温度范围
热
电阻，交流，结到管壳
3
电阻，直流，结到管壳
阻力
4
，结点到空气
温度范围内的情况下
整个温度范围内， F>60Hz
整个温度范围内， F<60Hz
整个温度范围
满足全系列规格
注： * PA04A的规格是相同的向左在适用柱规格为PA04 。
1.除非另有说明：T已
C
= 25°C, C
C
= 470pF的，R
C
= 120欧姆。直流输入特定网络阳离子±值给出。电源电压
年龄是典型的投资评级。 ±V
BOOST
= ±V
S
.
在最大结温2.长期运行会导致降低产品寿命。减免内部功耗来
实现高平均无故障时间。为指导，请参阅散热器数据表。
3.等级的情况发生的速度两个输出晶体管之间的输出电流交替超过60 Hz的速度更快。
4. PA04必须使用散热片或静态功率可以驱动单元的结温小于150℃以上。
小心
该PA04是从MOSFET晶体管构成。 ESD处理程序必须得到遵守。
内部基材中含有氧化铍（ BeO的） 。不要打破封印。如果不慎破裂，不粉碎，机，或
受温度超过850℃ ，以避免产生有毒烟雾。
2
PA04U
P ，R 0 ü （C T） I N N 2 O V A T I nF的R 0米
PA04 PA04A
电源抑制
60
电源抑制PSR （分贝）
内部功耗， P（ W）
200
功率降额
100
80
60
40
20
压摆率
150
T = T
C
100
压摆率SR （V / S）
40
4Ω负载
20
50
T = T
A
0
0
25
50
75 100 125
温度T
C
(°C)
150
0
10
100
1K 10K 100K 1M
频率f（赫兹）
10M
R
C
= 120Ω
0
300
400
500
100
200
EXT 。补偿电容C
C
（PF ）
12
10
8
6
4
2
V
OS
BO
T
开环增益响应， A（分贝）
开环相位， Ф （ ° ）
R
C
= 120Ω
R
L
= 4Ω
80
–45
–90
C
C
= 470pF的
C
C
= 220PF
C
C
= 100pF的
电压降从供给，V
S
–V
O
(V)
120
小信号增益
0
小信号相位
输出电压摆幅
=
C
C
=
C
C
47
0p
F
10
0p
F
40
= V
S
=
C
C
22
0p
F
–135
0
1
R
C
= 120Ω
R
L
= 4Ω
10
100 1K 10K 100K 1M 10M
频率， FF（赫兹）
–180
1
10
100 1K 10K 100K 1M 10M
频率f （ HZ）
V
0
ST
BOO
= V
S
+ 5V
20
5
10
15
输出电流，I
O
(A)
共模抑制， CMR （分贝）
A
V
= +1
C
C
= 470pF的
标准化的电流限值（ ％ ）
100
共模抑制
输出电压V
O
(V)
7.5
5
2.5
0
–2.5
–5
–7.5
脉冲响应
130
120
110
100
90
80
70
电流限制
80
60
40
20
0
10
100
1K
10K 100K
频率f （ HZ）
1M
0
5
10
15
20
时间t （微秒）
25
30
60
25 50
–50 –25 0
75 100 125
外壳温度，T
C
(°C)
200
180
150
120
100
80
60
40
R
C
=120Ω
R
L
= 4.0Ω
20K
.6M
50K .2M
频率f （ HZ）
1M
P
.05
.02
.01
.005
.002
.001
30
O
1.1
输出电压V
O
(V
P-P
)
失真， THD （ ％ ）
=3
.1
A
V
= 10
R
L
= 4Ω
C
C
= 100pF电容，R
C
= 120Ω
V
S
= 62V
归一化静态电流，我
Q
(X)
.2
谐波失真
00
W
1.2
静态电流
功率响应
C
C
C
C
=2
C
C
=4
=1
1.0
70
pF
00
pF
20
pF
P
O
= 1W
20
0W
=
P
O
.9
100
3K 10K
300 1K
频率f （ HZ）
30K
.8
30
200
50
100
150
总电源电压，V
S
(V)
20
10K
PA04U
3
PA04 PA04A
一般
P ，R 0 ü （C T） I N N 2 O V A T I nF的R 0米
休眠模式操作
在睡眠模式下，引脚12 （休眠）被连接到引脚9 （ + V
BOOST
).
这将禁用放大器的内部参考和上午
plifier关闭除3 mA的涓流电流
流入引脚12引脚12应保留，如果在睡眠模式开启
不是必需的。
几种可能的电路可以建拍到的优点
此模式。在图2A中的小信号继电器由一个逻辑驱动的
门。这消除了需要处理的常见
模式电压上存在遮断电路由于睡眠
模式被引用到+ V
BOOST
电压。
在图2B中，电路是用来水平平移的睡眠
模式输入信号。差分输入激活休眠模式
用差分逻辑电平信号，并且允许普通模式
电压±V
BOOST
.
逻辑
K1
9
+V
BOOST
请仔细阅读使用说明1 "General工作CON-
siderations"覆盖稳定，耗材，散热，
安装，限流， SOA的解释，和特异性阳离子
解释。访问www.cirrus.com设计工具，帮助
自动执行任务，如计算的稳定性，内部电源
散热，电流限制;散热器的选择;先端精密
电力公司的完整的应用笔记库;技术研讨会
工作簿;及评估工具包。
电流限制
两限流线条感都可以直接连接
整个限流检测电阻。对于目前的限
正常工作针11必须连接到放大器输出端
侧面和10脚连接到电流限制负载侧
电阻R
CL
如图1所示。该连接将绕过
任何寄生电阻，反相，由插座和焊料形成
关节以及内部放大器的损失。限流
电阻器可以不放在任何地方，在输出电路除外
其中，如图1所示。
限流电阻器的值可以计算为
如下所示：
.76
R
CL
=
I
极限
R
f
图1 。
电流限制。
Ri
输入
1
10
CL
2
PA04
11
CL
7
12
睡觉
图2A 。休眠模式的电路。
560Ω
470Ω
9
+V
BOOST
+
Q1
1KΩ
Q2
–V
BOOST
12
睡觉
逻辑
R
P
R
CL
R
L
-
输入
470Ω
安全工作区（ SOA ）
这种权力运作扩增的MOSFET输出级
费里有两个明显的局限性：
1. MOSFET的几何形状的电流处理能力
与引线键合。
2.输出MOSFET的结温。
注：输出级进行保护，防止瞬态反激
回来了。然而，对于防止持续，高
反激能量，外部快速恢复二极管应
被使用。
20
10
输出电流（A ）
图2B 。睡眠模式电路。
升压操作
与V
BOOST
特色的小信号阶段
扩增fi er是在更高的电源电压低于操作
扩增fi er的高电流输出级。 + V
BOOST
（引脚9）和
–V
BOOST
（引脚5）被连接到的小信号电路
该扩增fi er 。 + V
S
（引脚8）和-V
S
（引脚6）被连接到
高电流输出级。一个额外的5V在V
BOOST
引脚
是足以使小信号级，以驱动输出
晶体管进入饱和状态而提高输出电压
必要时摆动额外的外汇基金fi cient操作。当关闭
摆动到供电轨不需要+ V
BOOST
和+ V
S
引脚必须绑在一起，以及在-V
BOOST
和-V
S
销。升压电压引脚不能在电压较低
比V
S
销。
SOA
t=
D
D
D
C
T
C
T
C
=
5.0
C
T
1m
s
10
m
s
°C
t=
C
=
C
2.0
1.0
.5
=
85
25
12
°C
赔偿金
外部补偿组件
C
和R
C
是CON-
连接至引脚3和4单位增益稳定，可以实现
在任何补偿容量大于330 pF的与在
至少有60度的相位裕度。在更高的收益更多的相位
移可以在大多数设计中，补偿被容忍
电容可以相应地减少，从而导致更高的
带宽和压摆率。使用典型工作曲线为
指导，以选择C
C
和R
C
对于该应用程序。
5°
C
.2
2
100 200
5
10
20
50
供应输出差分（ V）
4
PA04U
P ，R 0 ü （C T） I N N 2 O V A T I nF的R 0米
PA04 PA04A
联系Cirrus Logic公司支持
对于所有的Apex精密电源产品的问题和咨询，请拨打免费电话800-546-2739在北美。
通过电子邮件查询，请联络apex.support@cirrus.com 。
国际客户还可以通过联系当地的Cirrus Logic公司的销售代表请求支持。
要找到离您最近的一个，去www.cirrus.com
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更改，恕不另行通知，并提供"AS IS"没有任何形式（明示或暗示）的担保。建议客户获得相关的最新版本
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ERTY或环境损害（ “关键应用”）。 CIRRUS产品并非设计，授权或担保BE
适合于在产品外科手术植入人体，汽车安全或安全设备，生命支持的精良
UCTS或其它关键应用。作者CIRRUS在这类应用产品夹杂物的理解，充分处于客
Tomer的风险和Cirrus声明，也没有明示，法定或暗示的担保，包括对隐含担保
适销性，特定目的，对任何CIRRUS产品，是用在这种的方式进行。如果
客户或客户的客户使用或允许的CIRRUS产品中使用在关键应用中，客户同意，
通过这样的使用，完全赔偿CIRRUS及其官员，董事，雇员，经销商和代理等引发任何一切
责任，包括律师费和成本，这可能导因于或起源于均与这些用途。
Cirrus Logic公司，卷云，而Cirrus Logic公司的标志设计，顶点精密电源，顶点与顶点精密电源的标识设计是Cirrus Logic ， Inc.的商标。
所有其他品牌和产品名称本文档中可能是其各自所有者的商标或服务标志。
PA04U
5
功率运算放大器
PA04 PA04A
M I C R T E C H N 0 1 摹
HTTP://WWW.APEXMICROTECH.COM
（ 800 ） 546 - APEX
(800) 546-2739
特点
高内部功耗 - 200瓦
高电压，大电流 - 200V ， 20A
高压摆率 - 50V / μs的
4线电流限制感应
低失真
外部休眠模式控制
可选的升压输入
评估套件 - SEE EK04
PA04
美国
TE9493
1
1
BEO
应用
声纳换能器驱动
线性和旋转电机驱动
YOKE /磁场激励
可编程电源到
±95V
音频，高达400W
典型用途
高功率带宽和高电压输出
PA04允许通过谐振电路驱动声纳换能器
包括换能器和一个匹配变压器。负载
回路电阻出现的PA04 。控制逻辑关断
放大器处于睡眠模式。
R
f
描述
该PA04是一种高电压MOSFET功率运算
扩增fi er扩展权力扩增的性能极限
在压摆率和功率带宽，同时保持较高的网络连接器
电流和功率耗散额定值。
在PA04是一个高度灵活的放大器。睡眠模式
功能允许超低静态电流的待机操作
化或负载保护通过禁用整个放大器。促进
电压输入允许放大器的小信号部分
操作在较高的电压低于高电流输出级。
该放大器器然后偏置达到接近线性摆幅
电源电压高电流额外的外汇基金fi cient操作。
外部补偿裁缝性能用户的需求。一
四线感应技术允许精确的电流限制
无需考虑内部或外部毫
寄生电阻在输出线。
符合JEDEC MO- 127 12针电源浸封装（见
包装纲要）是密封的，并从分离
内部电路。使用可压缩的热敏垫圈会
无效产品的保修期。
控制
逻辑
ULTRA-
SONIC
DRIVE
R
i
1
2
12
PA04
11
10
7
R
CL
调谐
变压器
声纳换能器驱动
外部连接
等效原理图
睡觉
12
9
+V
BOOST
Q10
D1
Q5
D2
D3
Q12
D5
In
1
D6
+ IN
2
Q17
Q19
D7
COMP D8
3
Q21
Q22
4
–V
BOOST
5
COMP
Q20
6 -Vs
Q26
Q18
D9
10
I
LIM
7
OUT
Q7
D4
Q13
Q6
I
LIM
11
VS + 8
-INPUT
+输入
COMP
R
C
C C
COMP
-V
BOOST
1
2
3
4
5
6
顶部
意见
12
11
10
9
8
7
睡觉
电流限制
电流限制
+V
BOOST
*
+电源
产量
*
- 供应
Q14 Q15
相位补偿
收益
1
>3
≥10
C
C
470pF
220pF
100pF
R
C
120
120
120
C
C
额定满电源电压
*请参阅“升压操作”的段落。
APEX微技术有限公司
电话（ 520 ） 690-8600 传真（ 520 ） 888-3329 令（ 520 ） 690-8601 电子邮件prodlit@apexmicrotech.com
PA04 PA04A
绝对最大额定值
电源电压+ V
S
为±V
S
升压
输出电流，内部SOA
功耗，内部
输入电压，差分
输入电压，共模
温度，焊针 - 10S
温度，结
2
温度，贮藏
工作温度范围，案例
PA04
测试条件
1
绝对最大额定值
特定网络阳离子
200V
电源电压+ 20V
20A
200W
±20V
±V
S
300°C
150°C
-65到+ 150°C
-55到+ 125°C
PA04A
最大
民
典型值
最大
单位
特定网络阳离子
参数
输入
失调电压，初始
失调电压与温度
失调电压，与电源
失调电压，与电源
偏置电流，初始
偏置电流与电源
偏置电流，初始
输入阻抗，直流
输入电容
共模电压范围
共模抑制， DC
输入噪声
收益
开环， @ 15Hz的
增益带宽积
功率带宽
相位裕度
产量
电压摆幅
电压摆幅
电流，峰值
建立时间0.1 ％
压摆率
容性负载
阻力
电源
电压
整个温度范围
当前，静态，升压电源
当前，静态总
当前，静态总，睡眠模式全温度范围
热
电阻，交流，结到管壳
3
电阻，直流，结到管壳
阻力
4
，结点到空气
温度范围内的情况下
注意事项：
*
1.
2.
3.
4.
整个温度范围内， F>60Hz
整个温度范围内， F<60Hz
整个温度范围
满足全系列规格
±15
I
O
= 15A
V
BOOST
= VS + 5V ，我
O
= 20A
A
V
= 1， 10V步骤中，R
L
= 4
A
V
= 10, C
C
= 100pF电容，R
C
= 120
整个温度范围内，A
V
= +1
整个温度范围内，C
C
= 100pF的
I
O
= 10A
R
L
= 4.5, V
O
= 180V P-P
C
C
= 100pF电容，R
C
= 120
整个温度范围
94
整个温度范围
整个温度范围
民
典型值
整个温度范围
全温。范围内，V
CM
=
±20V
100kHz的带宽，R
S
= 1K
±V
B
-8
86
5
30
15
30
10
.01
10
10
11
13
98
10
102
2
90
60
10
50
50
50
*
*
2
10
*
10
5
*
5
*
*
*
*
*
*
*
*
5
30
20
20
mV
μV/°C
V/V
μV / W
pA
PA / V
pA
pF
V
dB
μVRMS
dB
兆赫
千赫
°
*
±V
S
-8.8
±V
S
-7.5
±V
S
-6.8
±V
S
-5.5
20
2.5
40
50
10
2
*
*
*
*
*
*
*
*
*
V
V
A
s
V / μs的
nF
±75
30
70
3
.3
.5
12
±100
40
90
5
.4
.6
85
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
V
mA
mA
mA
° C / W
° C / W
° C / W
°C
–25
*
PA04A的规格是相同的向左在适用柱规格为PA04 。
除非另有说明：T已
C
= 25°C, C
C
= 470pF的，R
C
= 120欧姆。直流输入规格
±
值给出。电源
电压是典型的投资评级。
±V
BOOST
=
±V
S
.
在最大结温长期运行会导致降低产品寿命。减免内部功耗
实现高平均无故障时间。为指导，请参阅散热器数据表。
等级的情况发生的速率的两个输出晶体管之间的输出电流交替比60赫兹速度更快。
在PA04必须使用散热片或静态功耗可驱动单元结温超过150 ° C以上。
该PA04是从MOSFET晶体管构成。 ESD处理程序必须得到遵守。
内部基材中含有氧化铍（ BeO的） 。不要打破封印。如果不慎破裂，不粉碎，机，或
受温度超过850℃ ，以避免产生有毒烟雾。
小心
APEX微技术有限公司
5980北香农路亚利桑那州图森85741 美国应用热线： 1 （ 800 ） 546-2739
典型性能
图的
PA04 PA04A
电源抑制PSR （分贝）
内部功耗， P（ W）
200
功率降额
电源抑制
100
80
60
40
20
0
10
60
压摆率
150
T = T
C
100
压摆率SR （V /μs的）
40
4Ω负载
20
50
T = T
A
0
0
25
50
75 100 125
温度， T（℃ ）
150
100 1K 10K 100K 1M 10M
频率f（赫兹）
R
C
= 120
0
300
400
500
100
200
EXT 。补偿电容C
C
（PF ）
开环增益响应， A（分贝）
120
小信号增益
0
小信号相位
开环相位，
Φ
(°)
R
C
= 120
R
L
= 4
电压降从供给，V
S
–V
O
(V)
输出电压摆幅
12
10
8
6
4
2
0
V
BOOST
= V
S
ST
V
BOO
C
C
=
C
C
–45
80
F
0p
10
=
F
0p
47
–90
C
C
= 470pF的
C
C
= 220PF
C
C
= 100pF的
= V
S
40
C
C
=
0
22
pF
–135
0
1
R
C
= 120
R
L
= 4
10 100 1K 10K 100K的1M 10M
频率， FF（赫兹）
+ 5V
–180
1
10
100 1K 10K 100K 1M 10M
频率f （ HZ）
5
10
15
输出电流，I
O
(A)
20
共模抑制， CMR （分贝）
共模抑制
7.5
脉冲响应
输出电压V
O
(V)
A
V
= +1
5
2.5
0
C
C
= 470pF的
电流限制
标准化的电流限值（ ％ ）
130
120
110
100
90
80
70
60
–50 –25 0 25 50 75 100 125
外壳温度，T
C
(°C)
200
180
150
120
100
80
60
40
R
C
=120
R
L
= 4.0
20K
50K .2M .6M
频率f （ HZ）
1M
100
80
60
40
20
0
10
–2.5
–5
–7.5
100
1K
10K 100K
频率f （ HZ）
1M
0
5
10
15
20
时间t （微秒）
25
30
.2
.1
谐波失真
A
V
= 10
R
L
=4
C
C
= 100pF电容，R
C
= 120
-VS
= 62V
W
00
归一化静态电流，我
Q
(X)
1.2
静态电流
输出电压V
O
(V
PP
)
功率响应
失真， THD （ ％ ）
=3
P
.05
.02
.01
O
1.1
C
C
C
C
C
C
pF
70
=4
pF
20
=2
pF
00
=1
1.0
P
O
= 1W
.005
.002
=
P
O
20
0W
.9
.001
30
100 300 1K 3K 10K 30K
频率f （ HZ）
.8
50
100
150
30
200
总电源电压，V
S
(V)
20
10K
APEX微技术有限公司
电话（ 520 ） 690-8600 传真（ 520 ） 888-3329 令（ 520 ） 690-8601 电子邮件prodlit@apexmicrotech.com
PA04 PA04A
一般
请阅读“一般操作注意事项”节
化，其中包括稳定性，耗材，散热，安装，
限流， SOA的解释，和特异性阳离子interpreta-
化。附加信息可以在应用程序中找到
注释。有关封装外形信息，散热片，并
安装硬件，请参阅“附件和包装
机械数据“手册的部分。该EK04评估显
ATION套件使得原型电路瞬间通过提供
EK04PC原型电路板， MS05配接插座， HS11
散热器和硬件工具包。
操作
注意事项
睡眠模式操作
在睡眠模式下，引脚12 （休眠）被连接到引脚9 （ + V
BOOST
).
这将禁用放大器的内部参考和扩增
费里关闭除3 mA的电流涓流流动
进针12针12应保持开放，如果睡眠模式是不
所需。
几种可能的电路可以建拍到的优点
此模式。在图2A中的小信号继电器由一个逻辑驱动的
门。这消除了需要处理的常见
模式电压上存在遮断电路由于睡眠
模式被引用到+ V
BOOST
电压。
在图2B中，电路是用来水平平移的睡眠
模式输入信号。差分输入激活休眠模式
用差分逻辑电平信号，并且允许普通模式
电压
±V
BOOST
.
逻辑
K1
9
+V
BOOST
电流限制
两限流线条感都可以直接连接
整个限流检测电阻。
对于目前的限
正常工作针11必须被连接到放大器
输出侧和销10连接到的负载侧
限流电阻，R
CL
如示于图1 。
这
连接将绕过任何寄生电阻，反相，形成
通过插座和焊点以及内部放大器的损失。
限流电阻器可能无法在任何位置
输出电路以外的地方，如图1所示。
限流电阻器的值可以计算为
如下所示：
.76
R
CL
=
I
极限
R
f
12
睡觉
图2A 。休眠模式的电路。
560
470
Q1
1K
Q2
–V
BOOST
9
+V
BOOST
图1 。
电流限制。
12
Ri
输入
10
1
CL
2
CL
PA04
11
7
R
P
R
CL
+
睡觉
逻辑
输入
470
R
L
-
安全工作区（ SOA ）
这种权力运作扩增的MOSFET输出级
费里有两个明显的局限性：
1. MOSFET的几何形状的电流处理能力
与引线键合。
2.输出MOSFET的结温。
注意：
输出级进行保护，防止瞬态反激式。
然而，对于防止持续，高能量
反激式，外部快速恢复二极管应使用。
20
t=
图2B 。
休眠模式的电路。
升压操作
与V
BOOST
特色的小信号阶段
扩增fi er是在更高的电源电压低于操作
扩增fi er的高电流输出级。 + V
BOOST
（引脚9）和
–V
BOOST
（引脚5）被连接到的小信号电路
放大器。 + V
S
（引脚8）和-V
S
（引脚6 ）被连接到所述高
电流输出级。一个额外的5V在V
BOOST
销是
足以使小信号级，以驱动输出
晶体管进入饱和状态而提高输出电压
必要时摆动额外的外汇基金fi cient操作。当关闭
摆动到供电轨不需要+ V
BOOST
和+ V
S
引脚必须绑在一起，以及在-V
BOOST
和-V
S
销。升压电压引脚不能在电压低于
在V
S
销。
t=
10
m
s
10
D
输出电流（A ）
1m
s
C
5.0
D
C
Tc
D
C
Tc
85
Tc
=
=
25
°C
2.0
=
°C
12
5°
赔偿金
外部补偿组件
C
和R
C
是
连接到引脚3和4单位增益稳定，可以实现
在任何补偿容量大于330 pF的与在
至少有60度的相位裕度。在更高的收益更多的相位
移可以在大多数设计中，补偿被容忍
电容可以相应地减少，从而导致更高的
带宽和压摆率。使用典型工作曲线为
指导，以选择C
C
和R
C
对于该应用程序。
C
1.0
.5
.2
2
100
5
10
20
50
供应输出差分（ V）
200
此数据表已经被仔细检查，被认为是可靠的，但是，没有承担责任的可能不准确或遗漏。所有规格如有变更，恕不另行通知。
PA04U REV 。我1997年12月1997顶点微技术公司
功率运算放大器
PA04 PA04A
M I C R T E C H N 0 1 摹
HTTP://WWW.APEXMICROTECH.COM
（ 800 ） 546 - APEX
(800) 546-2739
特点
高内部功耗 - 200瓦
高电压，大电流 - 200V ， 20A
高压摆率 - 50V / μs的
4线电流限制感应
低失真
外部休眠模式控制
可选的升压输入
评估套件 - SEE EK04
PA04
美国
TE9493
1
1
BEO
应用
声纳换能器驱动
线性和旋转电机驱动
YOKE /磁场激励
可编程电源到
±95V
音频，高达400W
典型用途
高功率带宽和高电压输出
PA04允许通过谐振电路驱动声纳换能器
包括换能器和一个匹配变压器。负载
回路电阻出现的PA04 。控制逻辑关断
放大器处于睡眠模式。
R
f
描述
该PA04是一种高电压MOSFET功率运算
扩增fi er扩展权力扩增的性能极限
在压摆率和功率带宽，同时保持较高的网络连接器
电流和功率耗散额定值。
在PA04是一个高度灵活的放大器。睡眠模式
功能允许超低静态电流的待机操作
化或负载保护通过禁用整个放大器。促进
电压输入允许放大器的小信号部分
操作在较高的电压低于高电流输出级。
该放大器器然后偏置达到接近线性摆幅
电源电压高电流额外的外汇基金fi cient操作。
外部补偿裁缝性能用户的需求。一
四线感应技术允许精确的电流限制
无需考虑内部或外部毫
寄生电阻在输出线。
符合JEDEC MO- 127 12针电源浸封装（见
包装纲要）是密封的，并从分离
内部电路。使用可压缩的热敏垫圈会
无效产品的保修期。
控制
逻辑
ULTRA-
SONIC
DRIVE
R
i
1
2
12
PA04
11
10
7
R
CL
调谐
变压器
声纳换能器驱动
外部连接
等效原理图
睡觉
12
9
+V
BOOST
Q10
D1
Q5
D2
D3
Q12
D5
In
1
D6
+ IN
2
Q17
Q19
D7
COMP D8
3
Q21
Q22
4
–V
BOOST
5
COMP
Q20
6 -Vs
Q26
Q18
D9
10
I
LIM
7
OUT
Q7
D4
Q13
Q6
I
LIM
11
VS + 8
-INPUT
+输入
COMP
R
C
C C
COMP
-V
BOOST
1
2
3
4
5
6
顶部
意见
12
11
10
9
8
7
睡觉
电流限制
电流限制
+V
BOOST
*
+电源
产量
*
- 供应
Q14 Q15
相位补偿
收益
1
>3
≥10
C
C
470pF
220pF
100pF
R
C
120
120
120
C
C
额定满电源电压
*请参阅“升压操作”的段落。
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PA04 PA04A
绝对最大额定值
电源电压+ V
S
为±V
S
升压
输出电流，内部SOA
功耗，内部
输入电压，差分
输入电压，共模
温度，焊针 - 10S
温度，结
2
温度，贮藏
工作温度范围，案例
PA04
测试条件
1
绝对最大额定值
特定网络阳离子
200V
电源电压+ 20V
20A
200W
±20V
±V
S
300°C
150°C
-65到+ 150°C
-55到+ 125°C
PA04A
最大
民
典型值
最大
单位
特定网络阳离子
参数
输入
失调电压，初始
失调电压与温度
失调电压，与电源
失调电压，与电源
偏置电流，初始
偏置电流与电源
偏置电流，初始
输入阻抗，直流
输入电容
共模电压范围
共模抑制， DC
输入噪声
收益
开环， @ 15Hz的
增益带宽积
功率带宽
相位裕度
产量
电压摆幅
电压摆幅
电流，峰值
建立时间0.1 ％
压摆率
容性负载
阻力
电源
电压
整个温度范围
当前，静态，升压电源
当前，静态总
当前，静态总，睡眠模式全温度范围
热
电阻，交流，结到管壳
3
电阻，直流，结到管壳
阻力
4
，结点到空气
温度范围内的情况下
注意事项：
*
1.
2.
3.
4.
整个温度范围内， F>60Hz
整个温度范围内， F<60Hz
整个温度范围
满足全系列规格
±15
I
O
= 15A
V
BOOST
= VS + 5V ，我
O
= 20A
A
V
= 1， 10V步骤中，R
L
= 4
A
V
= 10, C
C
= 100pF电容，R
C
= 120
整个温度范围内，A
V
= +1
整个温度范围内，C
C
= 100pF的
I
O
= 10A
R
L
= 4.5, V
O
= 180V P-P
C
C
= 100pF电容，R
C
= 120
整个温度范围
94
整个温度范围
整个温度范围
民
典型值
整个温度范围
全温。范围内，V
CM
=
±20V
100kHz的带宽，R
S
= 1K
±V
B
-8
86
5
30
15
30
10
.01
10
10
11
13
98
10
102
2
90
60
10
50
50
50
*
*
2
10
*
10
5
*
5
*
*
*
*
*
*
*
*
5
30
20
20
mV
μV/°C
V/V
μV / W
pA
PA / V
pA
pF
V
dB
μVRMS
dB
兆赫
千赫
°
*
±V
S
-8.8
±V
S
-7.5
±V
S
-6.8
±V
S
-5.5
20
2.5
40
50
10
2
*
*
*
*
*
*
*
*
*
V
V
A
s
V / μs的
nF
±75
30
70
3
.3
.5
12
±100
40
90
5
.4
.6
85
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
V
mA
mA
mA
° C / W
° C / W
° C / W
°C
–25
*
PA04A的规格是相同的向左在适用柱规格为PA04 。
除非另有说明：T已
C
= 25°C, C
C
= 470pF的，R
C
= 120欧姆。直流输入规格
±
值给出。电源
电压是典型的投资评级。
±V
BOOST
=
±V
S
.
在最大结温长期运行会导致降低产品寿命。减免内部功耗
实现高平均无故障时间。为指导，请参阅散热器数据表。
等级的情况发生的速率的两个输出晶体管之间的输出电流交替比60赫兹速度更快。
在PA04必须使用散热片或静态功耗可驱动单元结温超过150 ° C以上。
该PA04是从MOSFET晶体管构成。 ESD处理程序必须得到遵守。
内部基材中含有氧化铍（ BeO的） 。不要打破封印。如果不慎破裂，不粉碎，机，或
受温度超过850℃ ，以避免产生有毒烟雾。
小心
APEX微技术有限公司
5980北香农路亚利桑那州图森85741 美国应用热线： 1 （ 800 ） 546-2739
典型性能
图的
PA04 PA04A
电源抑制PSR （分贝）
内部功耗， P（ W）
200
功率降额
电源抑制
100
80
60
40
20
0
10
60
压摆率
150
T = T
C
100
压摆率SR （V /μs的）
40
4Ω负载
20
50
T = T
A
0
0
25
50
75 100 125
温度， T（℃ ）
150
100 1K 10K 100K 1M 10M
频率f（赫兹）
R
C
= 120
0
300
400
500
100
200
EXT 。补偿电容C
C
（PF ）
开环增益响应， A（分贝）
120
小信号增益
0
小信号相位
开环相位，
Φ
(°)
R
C
= 120
R
L
= 4
电压降从供给，V
S
–V
O
(V)
输出电压摆幅
12
10
8
6
4
2
0
V
BOOST
= V
S
ST
V
BOO
C
C
=
C
C
–45
80
F
0p
10
=
F
0p
47
–90
C
C
= 470pF的
C
C
= 220PF
C
C
= 100pF的
= V
S
40
C
C
=
0
22
pF
–135
0
1
R
C
= 120
R
L
= 4
10 100 1K 10K 100K的1M 10M
频率， FF（赫兹）
+ 5V
–180
1
10
100 1K 10K 100K 1M 10M
频率f （ HZ）
5
10
15
输出电流，I
O
(A)
20
共模抑制， CMR （分贝）
共模抑制
7.5
脉冲响应
输出电压V
O
(V)
A
V
= +1
5
2.5
0
C
C
= 470pF的
电流限制
标准化的电流限值（ ％ ）
130
120
110
100
90
80
70
60
–50 –25 0 25 50 75 100 125
外壳温度，T
C
(°C)
200
180
150
120
100
80
60
40
R
C
=120
R
L
= 4.0
20K
50K .2M .6M
频率f （ HZ）
1M
100
80
60
40
20
0
10
–2.5
–5
–7.5
100
1K
10K 100K
频率f （ HZ）
1M
0
5
10
15
20
时间t （微秒）
25
30
.2
.1
谐波失真
A
V
= 10
R
L
=4
C
C
= 100pF电容，R
C
= 120
-VS
= 62V
W
00
归一化静态电流，我
Q
(X)
1.2
静态电流
输出电压V
O
(V
PP
)
功率响应
失真， THD （ ％ ）
=3
P
.05
.02
.01
O
1.1
C
C
C
C
C
C
pF
70
=4
pF
20
=2
pF
00
=1
1.0
P
O
= 1W
.005
.002
=
P
O
20
0W
.9
.001
30
100 300 1K 3K 10K 30K
频率f （ HZ）
.8
50
100
150
30
200
总电源电压，V
S
(V)
20
10K
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PA04 PA04A
一般
请阅读“一般操作注意事项”节
化，其中包括稳定性，耗材，散热，安装，
限流， SOA的解释，和特异性阳离子interpreta-
化。附加信息可以在应用程序中找到
注释。有关封装外形信息，散热片，并
安装硬件，请参阅“附件和包装
机械数据“手册的部分。该EK04评估显
ATION套件使得原型电路瞬间通过提供
EK04PC原型电路板， MS05配接插座， HS11
散热器和硬件工具包。
操作
注意事项
睡眠模式操作
在睡眠模式下，引脚12 （休眠）被连接到引脚9 （ + V
BOOST
).
这将禁用放大器的内部参考和扩增
费里关闭除3 mA的电流涓流流动
进针12针12应保持开放，如果睡眠模式是不
所需。
几种可能的电路可以建拍到的优点
此模式。在图2A中的小信号继电器由一个逻辑驱动的
门。这消除了需要处理的常见
模式电压上存在遮断电路由于睡眠
模式被引用到+ V
BOOST
电压。
在图2B中，电路是用来水平平移的睡眠
模式输入信号。差分输入激活休眠模式
用差分逻辑电平信号，并且允许普通模式
电压
±V
BOOST
.
逻辑
K1
9
+V
BOOST
电流限制
两限流线条感都可以直接连接
整个限流检测电阻。
对于目前的限
正常工作针11必须被连接到放大器
输出侧和销10连接到的负载侧
限流电阻，R
CL
如示于图1 。
这
连接将绕过任何寄生电阻，反相，形成
通过插座和焊点以及内部放大器的损失。
限流电阻器可能无法在任何位置
输出电路以外的地方，如图1所示。
限流电阻器的值可以计算为
如下所示：
.76
R
CL
=
I
极限
R
f
12
睡觉
图2A 。休眠模式的电路。
560
470
Q1
1K
Q2
–V
BOOST
9
+V
BOOST
图1 。
电流限制。
12
Ri
输入
10
1
CL
2
CL
PA04
11
7
R
P
R
CL
+
睡觉
逻辑
输入
470
R
L
-
安全工作区（ SOA ）
这种权力运作扩增的MOSFET输出级
费里有两个明显的局限性：
1. MOSFET的几何形状的电流处理能力
与引线键合。
2.输出MOSFET的结温。
注意：
输出级进行保护，防止瞬态反激式。
然而，对于防止持续，高能量
反激式，外部快速恢复二极管应使用。
20
t=
图2B 。
休眠模式的电路。
升压操作
与V
BOOST
特色的小信号阶段
扩增fi er是在更高的电源电压低于操作
扩增fi er的高电流输出级。 + V
BOOST
（引脚9）和
–V
BOOST
（引脚5）被连接到的小信号电路
放大器。 + V
S
（引脚8）和-V
S
（引脚6 ）被连接到所述高
电流输出级。一个额外的5V在V
BOOST
销是
足以使小信号级，以驱动输出
晶体管进入饱和状态而提高输出电压
必要时摆动额外的外汇基金fi cient操作。当关闭
摆动到供电轨不需要+ V
BOOST
和+ V
S
引脚必须绑在一起，以及在-V
BOOST
和-V
S
销。升压电压引脚不能在电压低于
在V
S
销。
t=
10
m
s
10
D
输出电流（A ）
1m
s
C
5.0
D
C
Tc
D
C
Tc
85
Tc
=
=
25
°C
2.0
=
°C
12
5°
赔偿金
外部补偿组件
C
和R
C
是
连接到引脚3和4单位增益稳定，可以实现
在任何补偿容量大于330 pF的与在
至少有60度的相位裕度。在更高的收益更多的相位
移可以在大多数设计中，补偿被容忍
电容可以相应地减少，从而导致更高的
带宽和压摆率。使用典型工作曲线为
指导，以选择C
C
和R
C
对于该应用程序。
C
1.0
.5
.2
2
100
5
10
20
50
供应输出差分（ V）
200
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