恩智浦半导体
产品数据表
NPN电阻配备晶体管;
R 1 = 10 k ，R 2 = 10 k
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CESAT
V
我（关闭）
V
我（上）
R1
R2
-------
-
R1
C
c
参数
集电极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
发射极 - 基极截止电流
直流电流增益
输入截止电压
输入导通电压
输入电阻
电阻率
集电极电容
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 10 V ; F = 1 MHz的
条件
V
CB
= 50 V ;我
E
= 0
V
CE
= 30 V ;我
B
= 0
V
CE
= 30 V ;我
B
= 0; T
j
= 150
°C
V
EB
= 5 V ;我
C
= 0
V
CE
= 5 V ;我
C
= 5毫安
I
C
= 100
μA;
V
CE
= 5 V
I
C
= 10毫安; V
CE
= 0.3 V
PDTC114E系列
分钟。
30
2.5
7
0.8
典型值。
1.1
1.8
10
1
马克斯。
100
1
50
400
150
0.8
13
1.2
2.5
单位
nA
μA
μA
μA
mV
V
V
kΩ
集电极 - 发射极饱和电压I
C
= 10毫安;我
B
- 0.5毫安
pF
2004年8月05
5
