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分立半导体
数据表
PDTC114E系列
NPN电阻配备晶体管;
R 1 = 10 k ,R 2 = 10 k
产品speci fi cation
取代2003年的数据04月10日
2004年8月05
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN电阻配备晶体管;
R 1 = 10 k ,R 2 = 10 k
特点
内置偏置电阻
简化的电路设计
减少元件数量
减少取放成本。
应用
通用开关和放大
逆变器和接口电路
电路的驱动程序。
描述
PDTC114E系列
快速参考数据
符号
V
首席执行官
I
O
R1
R2
参数
集电极 - 发射极
电压
输出直流(DC)
偏置电阻
偏置电阻
典型值。
10
10
马克斯。
50
100
单位
V
mA
k
k
NPN电阻配备晶体管(参见“简体外形,
符号和牵制“的包的详细信息) 。
产品概述
类型编号
飞利浦
PDTC114EE
PDTC114EEF
PDTC114EK
PDTC114EM
PDTC114ES
PDTC114ET
PDTC114EU
1. * = P :香港制造。
* = T:在马来西亚进行。
* = W :中国制造。
SOT416
SOT490
SOT346
SOT883
SOT54 ( TO-92 )
SOT23
SOT323
EIAJ
SC-75
SC-89
SC-59
SC-101
SC-43
SC-70
09
09
04
DS
TC114E
*16
(1)
*09
(1)
PDTA114EE
PDTA114EEF
PDTA114EK
PDTA114EM
PDTA114ES
PDTA114ET
PDTA114EU
标识代码
PNP补充
2004年8月05
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN电阻配备晶体管;
R 1 = 10 k ,R 2 = 10 k
简化外形,象征与钉扎
PDTC114E系列
钉扎
类型编号
PDTC114ES
手册, halfpage
简化的外形和符号
1
2
2
R1
1
R2
3
MAM364
描述
BASE
集热器
辐射源
1
2
3
3
PDTC114EE
PDTC114EEF
PDTC114EK
PDTC114ET
PDTC114EU
1
顶视图
2
MDB269
1
2
手册, halfpage
BASE
辐射源
集热器
3
R1
1
R2
3
3
2
PDTC114EM
手册, halfpage
1
2
3
R1
1
3
1
底部视图
MHC506
BASE
辐射源
集热器
3
2
R2
2
2004年8月05
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN电阻配备晶体管;
R 1 = 10 k ,R 2 = 10 k
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
V
I
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
输入电压
积极
I
O
I
CM
P
合计
输出直流(DC)
峰值集电极电流
总功耗
SOT54
SOT23
SOT346
SOT323
SOT416
SOT490
SOT883
T
英镑
T
j
T
AMB
笔记
1.参考标准安装条件。
2.回流焊是唯一推荐的焊接方法。
3.参考SOT883标准安装条件; FR4 60
m
铜带线。
热特性
符号
R
日J-一
SOT54
SOT23
SOT346
SOT323
SOT416
SOT490
SOT883
笔记
1.参考标准安装条件。
2.回流焊是唯一推荐的焊接方法。
3.参考SOT883标准安装条件; FR4 60
m
铜带线。
2004年8月05
4
参数
从结点到环境的热阻
条件
在自由空气
注1
注1
注1
注1
注1
注1和2
注意到图2和3
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
25
°C
注1
注1
注1
注1
注1
注1和2
注意到图2和3
条件
发射极开路
开基
集电极开路
PDTC114E系列
分钟。
马克斯。
50
50
10
+40
10
100
100
500
250
250
200
150
250
250
+150
150
+150
V
V
V
V
V
单位
mA
mA
mW
mW
mW
mW
mW
mW
mW
°C
°C
°C
65
65
价值
250
500
500
625
833
500
500
单位
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN电阻配备晶体管;
R 1 = 10 k ,R 2 = 10 k
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CESAT
V
我(关闭)
V
我(上)
R1
R2
-------
-
R1
C
c
参数
集电极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
发射极 - 基极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
输入截止电压
输入导通电压
输入电阻
电阻率
集电极电容
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 10 V ; F = 1 MHz的
条件
V
CB
= 50 V ;我
E
= 0
V
CE
= 30 V ;我
B
= 0
V
CE
= 30 V ;我
B
= 0; T
j
= 150
°C
V
EB
= 5 V ;我
C
= 0
V
CE
= 5 V ;我
C
= 5毫安
I
C
= 10毫安;我
B
- 0.5毫安
I
C
= 100
A;
V
CE
= 5 V
I
C
= 10毫安; V
CE
= 0.3 V
PDTC114E系列
分钟。
30
2.5
7
0.8
典型值。
1.1
1.8
10
1
马克斯。
100
1
50
400
150
0.8
13
1.2
2.5
单位
nA
A
A
A
mV
V
V
k
pF
2004年8月05
5
分立半导体
数据表
PDTC114E系列
NPN电阻配备晶体管;
R 1 = 10 k ,R 2 = 10 k
产品数据表
取代2003年的数据04月10日
2004年8月05
恩智浦半导体
产品数据表
NPN电阻配备晶体管;
R 1 = 10 k ,R 2 = 10 k
特点
内置偏置电阻
简化的电路设计
减少元件数量
减少取放成本。
应用
通用开关和放大
逆变器和接口电路
电路的驱动程序。
描述
PDTC114E系列
快速参考数据
符号
V
首席执行官
I
O
R1
R2
参数
集电极 - 发射极
电压
输出直流(DC)
偏置电阻
偏置电阻
典型值。
10
10
马克斯。
50
100
单位
V
mA
NPN电阻配备晶体管(参见“简体外形,
符号和牵制“的包的详细信息) 。
产品概述
类型编号
飞利浦
PDTC114EE
PDTC114EEF
PDTC114EK
PDTC114EM
PDTC114ES
PDTC114ET
PDTC114EU
1. * = P :香港制造。
* = T:在马来西亚进行。
* = W :中国制造。
SOT416
SOT490
SOT346
SOT883
SOT54 ( TO-92 )
SOT23
SOT323
EIAJ
SC-75
SC-89
SC-59
SC-101
SC-43
SC-70
09
09
04
DS
TC114E
*16
(1)
*09
(1)
PDTA114EE
PDTA114EEF
PDTA114EK
PDTA114EM
PDTA114ES
PDTA114ET
PDTA114EU
标识代码
PNP补充
2004年8月05
2
恩智浦半导体
产品数据表
NPN电阻配备晶体管;
R 1 = 10 k ,R 2 = 10 k
简化外形,象征与钉扎
PDTC114E系列
钉扎
类型编号
PDTC114ES
手册, halfpage
简化的外形和符号
1
2
2
R1
1
R2
3
MAM364
描述
BASE
集热器
辐射源
1
2
3
3
PDTC114EE
PDTC114EEF
PDTC114EK
PDTC114ET
PDTC114EU
1
顶视图
2
MDB269
1
2
手册, halfpage
BASE
辐射源
集热器
3
R1
1
R2
3
3
2
PDTC114EM
手册, halfpage
1
2
3
R1
1
3
1
底部视图
MHC506
BASE
辐射源
集热器
3
2
R2
2
2004年8月05
3
恩智浦半导体
产品数据表
NPN电阻配备晶体管;
R 1 = 10 k ,R 2 = 10 k
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
V
I
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
输入电压
积极
I
O
I
CM
P
合计
输出直流(DC)
峰值集电极电流
总功耗
SOT54
SOT23
SOT346
SOT323
SOT416
SOT490
SOT883
T
英镑
T
j
T
AMB
笔记
1.参考标准安装条件。
2.回流焊是唯一推荐的焊接方法。
3.参考SOT883标准安装条件; FR4 60
μm
铜带线。
热特性
符号
R
日J-一
SOT54
SOT23
SOT346
SOT323
SOT416
SOT490
SOT883
笔记
1.参考标准安装条件。
2.回流焊是唯一推荐的焊接方法。
3.参考SOT883标准安装条件; FR4 60
μm
铜带线。
2004年8月05
4
参数
从结点到环境的热阻
条件
在自由空气
注1
注1
注1
注1
注1
注1和2
注意到图2和3
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
25
°C
注1
注1
注1
注1
注1
注1和2
注意到图2和3
条件
发射极开路
开基
集电极开路
PDTC114E系列
分钟。
马克斯。
50
50
10
+40
10
100
100
500
250
250
200
150
250
250
+150
150
+150
V
V
V
V
V
单位
mA
mA
mW
mW
mW
mW
mW
mW
mW
°C
°C
°C
65
65
价值
250
500
500
625
833
500
500
单位
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
恩智浦半导体
产品数据表
NPN电阻配备晶体管;
R 1 = 10 k ,R 2 = 10 k
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CESAT
V
我(关闭)
V
我(上)
R1
R2
-------
-
R1
C
c
参数
集电极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
发射极 - 基极截止电流
直流电流增益
输入截止电压
输入导通电压
输入电阻
电阻率
集电极电容
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 10 V ; F = 1 MHz的
条件
V
CB
= 50 V ;我
E
= 0
V
CE
= 30 V ;我
B
= 0
V
CE
= 30 V ;我
B
= 0; T
j
= 150
°C
V
EB
= 5 V ;我
C
= 0
V
CE
= 5 V ;我
C
= 5毫安
I
C
= 100
μA;
V
CE
= 5 V
I
C
= 10毫安; V
CE
= 0.3 V
PDTC114E系列
分钟。
30
2.5
7
0.8
典型值。
1.1
1.8
10
1
马克斯。
100
1
50
400
150
0.8
13
1.2
2.5
单位
nA
μA
μA
μA
mV
V
V
集电极 - 发射极饱和电压I
C
= 10毫安;我
B
- 0.5毫安
pF
2004年8月05
5
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    PDTC114E
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0755-83015506-23947236
联系人:朱先生
地址:广东省深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室
PDTC114E
NXP
24+
9850
原厂原封
100%原装正品,可长期订货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
PDTC114E
NXP/恩智浦
21+
8500
全新原装正品/质量有保证
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
PDTC114E
√ 欧美㊣品
▲10/11+
8747
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