恩智浦半导体
PMP4201V ; PMP4201G ; PMP4201Y
NPN / NPN匹配的双晶体管
6.热特性
表7中。
符号
R
号（j -a）的
热特性
参数
从热阻
结到环境
SOT666
SOT353
SOT363
每个器件
R
号（j -a）的
从热阻
结到环境
SOT666
SOT353
SOT363
[1]
[2]
条件
在自由空气
[1][2]
[1]
[1]
民
典型值
最大
单位
每个晶体管
-
-
-
-
-
-
625
625
625
K / W
K / W
K / W
在自由空气
[1][2]
[1]
[1]
-
-
-
-
-
-
416
416
416
K / W
K / W
K / W
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡和标准的足迹。
再溢流焊接是唯一推荐的焊接方法。
7.特点
表8 。
特征
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定编
符号
I
CBO
参数
集电极 - 基极截止
当前
条件
V
CB
= 30 V;
I
E
= 0 A
V
CB
= 30 V;
I
E
= 0 A;
T
j
= 150
°C
I
EBO
h
FE
发射极 - 基极截止
当前
直流电流增益
V
EB
= 5 V;
I
C
= 0 A
V
CE
= 5 V;
I
C
= 10
A
V
CE
= 5 V;
I
C
= 2毫安
V
CESAT
集电极 - 发射极
饱和电压
I
C
= 10毫安;
I
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安;
I
B
= 5毫安
V
BESAT
基极 - 发射极饱和我
C
= 10毫安;
电压
I
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安;
I
B
= 5毫安
[1]
民
-
-
典型值
-
-
最大
15
5
单位
nA
A
每个晶体管
-
-
200
-
-
-
-
-
250
290
50
200
760
910
100
-
450
200
400
-
-
nA
mV
mV
mV
mV
[1]
PMP4201V_G_Y_4
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师04 - 2009年8月28日
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