恩智浦半导体
PMP4201V ; PMP4201G ; PMP4201Y
NPN / NPN匹配的双晶体管
4.标记
表5 。
PMP4201V
PMP4201G
PMP4201Y
[1]
* = - ：香港制造
* = P ：香港制造
* = T：在马来西亚
* = W ：中国制造
标记代码
标识代码
[1]
EA
R7*
S7*
类型编号
5.极限值
表6 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
合计
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
总功耗
SOT666
SOT353
SOT363
每个器件
P
合计
总功耗
SOT666
SOT353
SOT363
T
j
T
AMB
T
英镑
[1]
[2]
条件
发射极开路
开基
集电极开路
单脉冲;
t
p
≤
1毫秒
T
AMB
≤
25
°C
[1][2]
[1]
[1]
民
-
-
-
-
-
最大
50
45
6
100
200
单位
V
V
V
mA
mA
每个晶体管
-
-
-
200
200
200
mW
mW
mW
T
AMB
≤
25
°C
[1][2]
[1]
[1]
-
-
-
-
65
65
300
300
300
150
+150
+150
mW
mW
mW
°C
°C
°C
结温
环境温度
储存温度
设备安装在一FR4印刷电路板（PCB） ，单面铜，镀锡和标准
足迹。
再溢流焊接是唯一推荐的焊接方法。
PMP4201V_G_Y_4
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师04 - 2009年8月28日
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