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低功耗CMOS SRAM
512K ×8位
产品特点：
的Vcc工作电压： 3.0V 3.6V
低功耗：
20毫安（最大）工作电流
为2uA （典型值） CMOS待机电流
高速存取时间：
25ns的（最大）在Vcc = 3.0V
自动断电，当芯片被取消
三态输出与TTL兼容
数据保持电源电压低至1.2V
易于扩展与CE \\和OE \\选项
UC62LS4008
-20/-25
描述
该UC62LV2008是一款高性能，低功耗
CMOS静态随机存取记忆体组织为524,288
由8位字，并从3.0V至3.6V电源
电压。先进的CMOS技术和电路技术
同时提供高速，低功耗的特点，用
为2uA和最大接入典型CMOS待机电流
在3.0V操作25ns的时间。
易内存扩展，提供使能（ CE \\ ） ，并
低电平有效输出使能（ OE \\ ）和三态输出
驱动程序。
该UC62LS4008具有自动断电功能，
降低功率消耗显著当芯片是
取消选择。
该UC62LS4008是JEDEC标准32个可用
销450mil塑料SOP， 8mmx20.0mm TSOP （I型） ，
和8mmx13.4mm STSOP 。
产品系列
产品系列
UC62LS4008HC
UC62LS4008FC
UC62LS4008GC
UC62LS4008AC
UC62LS4008HI
UC62LS4008FI
UC62LS4008GI
UC62LS4008AI
操作
Tempature
VCC范围
速度
（纳秒）
Vcc=3.0V(Max.)
耗电量
待机
操作
Vcc=3.3V(Typ.)
2uA
Vcc=3.6V(Max.)
20mA
包
TYPE
TSOP-32
SOP-32
STSOP-32
骰子
TSOP-32
SOP-32
STSOP-32
骰子
0℃ ~ 70℃
3.0V ~ 3.6V
20/25
-40℃ ~ 85℃
3.0V ~ 3.6V
20/25
2uA
20mA
销刀豆网络gurations
A17
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
GND
32
1
31
2
30
3
29
4
28
5
27
6
26
7
25
8
9 CS62LS4008FI 24
10 CS62LS4008FC 23
22
11
21
12
20
13
19
14
15
18
16
17
VCC
A15
A18
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
框图
ROW
解码器
ROW
地址
地址输入
卜FF器
CE
WE
OE
A0 - A18
存储阵列
512K ×8位
COL
地址
列解码器
检测放大器
＆放大器;
写入驱动器
X8
I / O缓冲器
控制
输入
卜FF器
控制
块
CE
WE
OE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
DQ2
DQ1
DQ0
A11
A9
A8
A13
WE
A18
A15
VCC
A17
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
CS62LS4008HI
CS62LS4008HC
CS62LS4008GI
CS62LS4008GC
OE
A10
CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
GND
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
U-芯片技术公司有限公司。
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初步
Rev.1.0
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