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RJK2006DPJ ， RJK2006DPE ， RJK2006DPF
硅N沟道MOS FET
高速电源开关
REJ03G0512-0100
Rev.1.00
Jan.14.2005
特点
低导通电阻
低漏电流
高速开关
概要
LDPAK
D
4
4
4
G
1
1
2
3
1
S
3
RJK2006DPE
2
3
RJK2006DPF
RJK2006DPJ
2
1.门
2.漏
3.源
4.漏
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
体漏二极管反向漏电流峰值
雪崩电流
雪崩能量
散热通道
通道到外壳的热阻
通道温度
储存温度
注意事项： 1， PW
≤
10
s,
占空比
≤
1%
2.价值在Tc = 25℃
3. STCH = 25 ° C，总胆固醇
≤
150°C
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）注1
I
DR
I
DR （脉冲）注1
I
APNote3
E
ARNote3
PCH
Note2
θch -C
总胆固醇
TSTG
评级
200
±30
40
100
40
100
27
48.6
100
1.25
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
A
mJ
W
° C / W
°C
°C
Rev.1.00 ， Jan.14.2005 ，第1页4
