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RJK2006DPJ ， RJK2006DPE ， RJK2006DPF

硅N沟道MOS FET

高速电源开关

REJ03G0512-0100

Rev.1.00

Jan.14.2005

特点

低导通电阻

低漏电流

高速开关

概要

LDPAK

RJK2006DPE

RJK2006DPF

RJK2006DPJ

1.门

2.漏

3.源

4.漏

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

体漏二极管反向漏电流峰值

雪崩电流

雪崩能量

散热通道

通道到外壳的热阻

通道温度

储存温度

注意事项： 1， PW

≤

占空比

≤

2.价值在Tc = 25℃

3. STCH = 25 ° C，总胆固醇

≤

150°C

符号

DSS

GSS

D（脉冲）注1

DR （脉冲）注1

APNote3

ARNote3

PCH

Note2

θch -C

总胆固醇

TSTG

评级

200

±30

100

48.6

100

1.25

150

-55到+150

单位

° C / W

°C

Rev.1.00 ， Jan.14.2005 ，第1页4

RJK2006DPJ ， RJK2006DPE ， RJK2006DPF

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

门源漏电流

门源截止电压

正向转移导纳

静态漏源导通状态

阻力

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

门源费

栅漏电荷

体漏二极管的正向电压

体漏二极管的反向恢复时间

体漏二极管反向恢复

收费

注： 4.脉冲测试

符号

（ BR ） DSS

DSS

GSS

GS （ OFF ）

| YFS |

DS （ ON）

西塞

科斯

CRSS

TD （上）

TD （关闭）

QGS

QGD

TRR

QRR

民

200

—

3.0

—

典型值

—

0.052

1800

330

180

100

1.0

150

0.8

最大

—

±0.1

4.5

—

0.059

—

1.5

—

单位

测试条件

= 10 mA时， V

= 0

= 200 V, V

= 0

±30

V, V

= 0

= 10 V，I

= 1毫安

= 20 A，V

= 10 V

Note4

= 20 A，V

= 10 V

Note4

= 25 V

= 0

F = 1 MHz的

= 20 A

= 10 V

= 5

RG = 10

= 160 V

= 10 V

= 40 A

= 40 A，V

= 0

Note4

= 40 A，V

= 0

DIF / DT = 100 A / μs的

Rev.1.00 ， Jan.14.2005 ， 4个2页

RJK2006DPJ ， RJK2006DPE ， RJK2006DPF

包装尺寸

RJK2006DPJ

截至， 2003年1月

单位：mm

(1.4)

4.44 ± 0.2

10.2 ± 0.3

1.3 ± 0.15

11.3 ± 0.5

0.3

10.0

+ 0.5

–

8.6 ± 0.3

1.3 ± 0.2

1.37 ± 0.2

0.76 ± 0.1

2.54 ± 0.5

11.0 ± 0.5

0.2

0.86

+ 0.1

–

2.49 ± 0.2

0.4 ± 0.1

封装代码

JEDEC

JEITA

质谱（参考值）

LDPAK （L）的

—

1.40 g

RJK2006DPE

截至， 2003年1月

单位：mm

4.44 ± 0.2

10.2 ± 0.3

(1.4)

8.6 ± 0.3

0.3

10.0

+ 0.5

–

(1.5)

2.49 ± 0.2

0.2

0.1

+ 0.1

–

7.8

7.0

2.2

1.37 ± 0.2

0.3

3.0

+ 0.5

–

1.3 ± 0.2

2.54 ± 0.5

0.2

0.86

+ 0.1

–

0.4 ± 0.1

2.54 ± 0.5

封装代码

JEDEC

JEITA

质谱（参考值）

LDPAK （S） - （1）

—

1.30 g

Rev.1.00 ， Jan.14.2005 ， 4 3页

1.7

1.3 ± 0.15

7.8

6.6

RJK2006DPJ ， RJK2006DPE ， RJK2006DPF

RJK2006DPF

截至， 2003年1月

单位：mm

4.44 ± 0.2

10.2 ± 0.3

(1.4)

8.6 ± 0.3

0.3

10.0

+ 0.5

–

2.49 ± 0.2

(2.3)

0.2

0.1

+ 0.1

–

(1.5)

7.8

7.0

2.2

1.37 ± 0.2

1.3 ± 0.2

2.54 ± 0.5

0.4 ± 0.1

0.3

5.0

+ 0.5

–

0.86

+ 0.2

– 0.1

2.54 ± 0.5

封装代码

JEDEC

JEITA

质谱（参考值）

LDPAK （S） - （2）

—

1.35 g

订购信息

部件名称

RJK2006DPE-TL-E

QUANTITY

1000件

TAPING

中海集装箱

注：对于某些牌号，产量可能被终止。请联系瑞萨销售办事处，检查状态

订购产品之前生产。

Rev.1.00 ， Jan.14.2005 ， 4 4页

1.7

1.3 ± 0.15

7.8

6.6

销售战略规划事业部。

保持安全第一在你的电路设计！

立邦大厦， 2-6-2 ， Ohte酒店町，千代田区，东京100-0004 ，日本

1.瑞萨科技投入的最大精力投入到制造半导体产品的质量和可靠性，但总是有可能的麻烦

他们可能会发生。麻烦半导体可能会导致人身伤害，火灾或财产损失。

还记得让你的电路设计时，适当的措施，如替代性，辅助电路（一）配售充分考虑到安全性给予，

（ⅱ）利用针对任何故障或事故不燃材料或（iii）预防。

对于这些材料的注意事项

1.这些材料的目的是作为一个参考，帮助我们的客户在瑞萨科技产品的选择最适合客户的

应用;不传达任何许可下的任何知识产权，或任何其他权利，属于瑞萨科技公司或第三方。

2.瑞萨科技公司不承担任何损害任何第三方的权利，或者侵犯在使用任何产品的数据概不负责，始发，

图，表，程序，算法或电路的应用中包含这些材料的例子。

3.包含在这些资料，包括产品数据，图，表，程序和算法的所有信息表示在时间上的产品信息

公布这些材料，并受到了瑞萨科技公司，恕不另行通知更改，由于产品改进或其他原因。这是

因此，建议客户联系瑞萨科技公司或授权的瑞萨科技产品经销商最新产品

购买此列出产品之前的信息。

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瑞萨科技公司不承担任何损失，责任或其他损失，这些不准确或错误上涨不承担任何责任。

另请注意公布的瑞萨科技公司通过各种方式的信息，包括瑞萨科技半导体

主页（ http://www.renesas.com ）。

4.当使用任何包含在这些资料，包括产品数据，图，表，程序和算法的部分或全部信息，请您务必

制作上的信息和产品的适用性作出最后决定之前评估的所有信息作为一个整体系统。瑞萨科技公司承担

对于任何损害，责任或此处包含的信息所导致的其他损失不承担任何责任。

5.瑞萨科技半导体没有设计或制造用于在设备或系统中使用的是根据情况使用在人类生活

是潜在的威胁。考虑到使用的时候请联系瑞萨科技公司或授权的瑞萨科技产品经销商

本文所包含的任何具体目的，诸如装置或系统的交通，车辆，医疗，航空航天，核，或海底中继器产品

使用。

6.瑞萨科技公司的事先书面批准，不得翻印或者复制全部或部分这些材料。

7.如果这些产品或技术受日本出口管制限制，所以一定要根据许可由日本政府和出口

不能导入超过核定目的地之外的国家。

禁止任何转移或再出口违反出口管制法律和日本和/或目的地国家的相关规定。

8.请与瑞萨科技公司对这些材料的详细信息或其中包含的产品。

瑞萨销售办事处

请参阅"http ： //www.renesas.com/en/network"最新的信息和详细信息。

瑞萨科技美国公司

霍尔格450路，圣何塞，加利福尼亚95134-1368 ，U.S.A

联系电话： <1> （ 408 ） 382-7500 ，传真： <1> （ 408 ） 382-7501

瑞萨科技欧洲公司

郡王草地，压榨板路，伯恩结束，白金汉郡， SL8 5FH ，英国

联系电话： <44> （ 1628 ） 585-100 ，传真： <44> （ 1628 ） 585-900

瑞萨科技

（香港）有限公司

7楼，北塔，世界金融中心，海港城，广东道1 ，尖沙咀，九龙，香港

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有限公司

10楼， 99号， Fushing北路，台北，台湾

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http://www.renesas.com

后记3.2.0