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MURS120
威世通用半导体
100
1000
T
J
= 25 °C
F = 1.0 MHz的
V
SIG
= 50 MVP -P
正向电流（A ）
10
T
J
= 125 °C
T
J
= 100 °C
1
结电容（pF ）
100
0.1
T
J
= 25 °C
0.01
0.2
10
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0.1
1
10
100
正向
电压
(V)
反向
电压
(V)
图3.典型正向特性
图5.典型结电容
100
瞬时反向漏
电流（ μA ）
10
T
J
= 175 °C
1
T
J
= 100 °C
0.1
T
J
= 25 °C
0.01
0.001
0
20
40
60
80
100
百分比额定峰值反向
电压
(%)
图4.典型的反向漏电特性
包装外形尺寸
以英寸（毫米）
DO- 214AA （ SMB ）
阴极带
贴装焊盘布局
0.085 （ 2.159 ）最大。
0.086 (2.20)
0.077 (1.95)
0.155 (3.94)
0.130 (3.30)
0.086 （ 2.18 ）最低。
0.180 (4.57)
0.160 (4.06)
0.012 (0.305)
0.006 (0.152)
0.096 (2.44)
0.084 (2.13)
0.060 (1.52)
0.030 (0.76)
0.008 (0.2)
0 (0)
0.220 (5.59)
0.205 (5.21)
0.060 （ 1.52 ）最低。
0.220 REF 。
文档编号： 88687
修订： 27 - 8 - 07
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