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MURS120
威世通用半导体
表面贴装塑料超快整流器
特点
玻璃钝化结
适合自动放置
超快反向恢复时间
低开关损耗,效率高
高正向浪涌能力
符合MSL等级1 ,符合per J -STD- 020 , LF最大
260℃峰值
DO- 214AA ( SMB )
浸焊260 ° C, 40秒
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
典型应用
用于高频整流用和
开关模式转换器随心所欲的应用
和逆变器为消费,计算机和
电信。
机械数据
案例:
DO- 214AA ( SMB )
环氧符合UL 94V- 0阻燃等级
终端:
雾锡镀线索,每焊
J- STD- 002和JESD22- B102
E3后缀消费档次,满足JESD 201级
1A晶须测试, HE3后缀为高可靠性等级
( AEC Q101标准) ,符合JESD 201 2级
晶须测试
极性:
颜色频带端为负极
主要特征
I
F( AV )
V
RRM
I
FSM
t
rr
V
F
T
J
马克斯。
1.0 A
200 V
40 A
25纳秒
0.71 V
175 °C
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
参数
器件标识代码
最大重复峰值反向电压
工作峰值反向电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流(图1 )
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷
工作结存储温度范围
T
L
= 155 °C
T
L
= 145 °C
V
RRM
V
RWM
V
DC
I
F( AV )
I
FSM
T
J
, T
英镑
符号
价值
MD
200
200
200
1.0
2.0
40
- 65 + 175
V
V
V
A
A
°C
单位
文档编号: 88687
修订: 27 - 8 - 07
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PDD-Americas@vishay.com , PDD-Asia@vishay.com , PDD-Europe@vishay.com
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1
MURS120
威世通用半导体
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
参数
最大正向电压
(1)
最大瞬时反向电流
额定阻断电压DC
(1)
最大反向恢复时间
最大反向恢复时间
最大正向恢复时间
注意:
( 1 )脉冲测试:吨
p
= 300微秒,占空比
2 %
测试条件
I
F
= 1.0 A
T
J
= 25 °C
T
J
= 150 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 150 °C
I
F
= 0.5 A,I
R
= 1.0 A,I
rr
= 0.25 A
I
F
= 1.0 A, di / dt的= 50 A / μs的,
V
R
= 30 V,I
rr
= 10 % I
RM
I
F
= 1.0 A, di / dt的= 100 A / μs的,
恢复到1.0 V
符号
V
F
I
R
t
rr
t
rr
t
fr
价值
0.875
0.71
2.0
50
25
35
25
单位
V
A
ns
ns
ns
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
参数
典型热阻结到环境
符号
R
θJL
价值
13
单位
° C / W
订购信息
(例)
首选的P / N
MURS120-E3/52T
MURS120-E3/5BT
MURS120HE3/52T
(1)
MURS120HE3/5BT
(1)
注意:
( 1 )汽车级AEC Q101标准
单位重量(g )
0.096
0.096
0.096
0.096
首选包装代码
52T
5BT
52T
5BT
基地数量
750
3200
750
3200
配送方式
直径7"塑料带和卷轴
直径13"塑料带和卷轴
直径7"塑料带和卷轴
直径13"塑料带和卷轴
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
6.0
50
正向平均整流电流( A)
5.0
峰值正向浪涌电流( A)
0
25
50
75
40
4.0
30
3.0
20
2.0
1.0
10
0
100
125
150
175
0
1
10
100
铅温度( ℃)
环,在60赫兹的
图1.正向电流降额曲线
图2.最大非重复峰值正向浪涌电流
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2
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文档编号: 88687
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MURS120
威世通用半导体
100
1000
T
J
= 25 °C
F = 1.0 MHz的
V
SIG
= 50 MVP -P
正向电流(A )
10
T
J
= 125 °C
T
J
= 100 °C
1
结电容(pF )
100
0.1
T
J
= 25 °C
0.01
0.2
10
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0.1
1
10
100
正向
电压
(V)
反向
电压
(V)
图3.典型正向特性
图5.典型结电容
100
瞬时反向漏
电流( μA )
10
T
J
= 175 °C
1
T
J
= 100 °C
0.1
T
J
= 25 °C
0.01
0.001
0
20
40
60
80
100
百分比额定峰值反向
电压
(%)
图4.典型的反向漏电特性
包装外形尺寸
以英寸(毫米)
DO- 214AA ( SMB )
阴极带
贴装焊盘布局
0.085 ( 2.159 )最大。
0.086 (2.20)
0.077 (1.95)
0.155 (3.94)
0.130 (3.30)
0.086 ( 2.18 )最低。
0.180 (4.57)
0.160 (4.06)
0.012 (0.305)
0.006 (0.152)
0.096 (2.44)
0.084 (2.13)
0.060 (1.52)
0.030 (0.76)
0.008 (0.2)
0 (0)
0.220 (5.59)
0.205 (5.21)
0.060 ( 1.52 )最低。
0.220 REF 。
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日前,Vishay
放弃
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另有明确指示。使用或销售Vishay产品的客户没有明确表示在这样的使用
应用这样做完全由自己承担风险,并同意全额赔偿日前,Vishay的产生或造成的任何损坏
从上述使用或销售。请Vishay授权人员联系,以获得有关书面条款和条件
产品专为此类应用。
产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号: 91000
修订: 18 -JUL- 08
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
    -
    -
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电话:0755-83209630 82519391
联系人:许小姐
地址:深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
MURS120-E3/52T
TI/德州仪器
24+
18650
QFN
原装新到货,公司现货
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
MURS120-E3/52T
VISHAY/威世
20+
16800
DO-214AA(SMB)
全新原装正品/质量有保证
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电话:0755-23612326
联系人:唐
地址:福田区振兴路华康大厦1栋519室
MURS120-E3/52T
VISHAY
1825+
73784
DO214AA
原装正品 钻石品质 假一赔十
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联系人:唐
地址:福田区振兴路华康大厦1栋519室
MURS120-E3/52T
VISHAY
1827+
74390
DO214AA
原装正品 钻石品质 假一赔十
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联系人:唐
地址:福田区振兴路华康大厦1栋519室
MURS120-E3/52T
VISHAY
1813+
74390
DO214AA
原装正品 钻石品质 假一赔十
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电话:13410941925
联系人:李先生【原装正品,可开发票】
地址:深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋1511A12
MURS120-E3/52T
VISHAY/威世
24+
6750
DO-214AA-2
原装正品现货,可开增值税专用发票
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电话:0755-83242658
联系人:廖先生
地址:广东深圳市福田区华强北路赛格科技园4栋西3楼3A31-32室★十佳优质供应商★
MURS120-E3/52T
ON
24+
10000
SMB
100%原装正品,只做原装正品
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电话:0755-82561519
联系人:李先生
地址:深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
MURS120-E3/52T
VISHAY/威世
2417+
20000
SMBDO-214AA
原装正品实单价格可谈
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电话:0755-82561519
联系人:李先生
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VISHAY
2414+
6750
DO-214AA-2
市场最低价支持实单!不要问什么货!只有原装!
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联系人:林
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Vishay
23+
12000
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