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4兆位的SPI串行闪存
SST25VF040B
数据表
电规范
所有功能和直流规格的V指定
DD
斜坡大于每100毫秒1V （ 0V率 - 3.0V
在不到300毫秒） 。请参阅表15和图25获取更多信息。
表15 ：建议的系统上电时序
符号
T
PU-READ1
T
PU-WRITE1
参数
V
DD
闵到读操作
V
DD
闵写操作
最低
100
100
单位
s
s
T15.0 1295
1.该参数仅在初步认证和设计或工艺变更可能影响该参数进行测量。
V
DD
V
DD
最大
片选是不允许的。
命令可能不被接受或适当
通过该装置进行解释。
V
DD
民
T
PU- READ
T
PU- WRITE
设备完全访问
时间
1295 PwrUp.0
图25 ：上电时序图
2009硅存储技术公司
S71295-05-000
10/09
27
