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4兆位的SPI串行闪存
SST25VF040B
数据表
表9 ：直流工作特性（ 25VF040B - 80 -XX- xxxE ）
范围
符号
I
DDR
I
DDR3
I
DDW
I
SB
I
LI
I
LO
V
IL
V
IH
V
OL
V
OL2
V
OH
参数
读电流
读电流
编程和擦除电流
待机电流
输入漏电流
输出漏电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出低电压
输出高电压
V
DD
-0.2
0.7 V
DD
0.2
0.4
民
最大
12
20
30
20
1
1
0.8
单位
mA
mA
mA
A
A
A
V
V
V
V
V
测试条件
CE＃ = 0.1 V
DD
/0.9 V
DD
@ 33兆赫， SO =开
CE＃ = 0.1 V
DD
/0.9 V
DD
@ 80兆赫， SO =开
CE＃ = V
DD
CE＃ = V
DD
, V
IN
=V
DD
或V
SS
V
IN
= GND到V
DD
, V
DD
=V
DD
最大
V
OUT
= GND到V
DD
, V
DD
=V
DD
最大
V
DD
=V
DD
民
V
DD
=V
DD
最大
I
OL
= 100 μA ，V
DD
=V
DD
民
I
OL
= 1.6毫安， V
DD
=V
DD
民
I
OH
= -100 μA ，V
DD
=V
DD
民
T9.0 1295
表10 ：建议的系统上电时序
符号
T
PU- READ
1
1
参数
V
DD
闵到读操作
V
DD
闵写操作
最低
10
10
单位
s
s
T10.0 1295
T
PU- WRITE
1.该参数仅在初步认证和设计或工艺变更可能影响该参数进行测量。
表11 ：电容
(T
A
= 25 ° C，F = 1 MHz，其他引脚开路）
参数
C
OUT1
C
IN1
描述
输出引脚电容
输入电容
测试条件
V
OUT
= 0V
V
IN
= 0V
最大
12 pF的
6 pF的
T11.0 1295
1.该参数仅在初步认证和设计或工艺变更可能影响该参数进行测量。
表12 ：可靠性特性
符号
N
END1
T
DR1
I
LTH1
参数
耐力
数据保留
闭锁
最小规格
10,000
100
100 + I
DD
单位
周期
岁月
mA
测试方法
JEDEC标准A117
JEDEC标准A103
JEDEC标准78
T12.0 1295
1.该参数仅在初步认证和设计或工艺变更可能影响该参数进行测量。
2009硅存储技术公司
S71295-05-000
10/09
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