BUZ 31L
H
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
=
(T
j
)
参数：
I
D
= 7 A,
V
GS
= 5 V
0.65
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
=
(T
j
)
参数：
V
GS
=
V
DS
,
I
D
= 1毫安
4.6
0.55
V
4.0
R
DS （ ON）
0.50
0.45
V
GS （ TH）
3.6
3.2
0.40
2.8
0.35
2.4
0.30
98%
98%
2.0
0.25
典型值
典型值
1.6
0.20
2%
1.2
0.15
0.10
0.8
0.05
0.4
0.00
-60
-20
20
60
100
C
160
0.0
-60
-20
20
60
100
C
160
T
j
T
j
典型值。电容
C
=
f
(V
DS
)
参数： V
GS
= 0V,
f
= 1MHz的
10
1
反向二极管的正向特性
I
F
=
(V
SD
)
参数：
T
j
, t
p
= 80 s
10
2
nF
C
A
I
F
10
0
C
国际空间站
10
1
C
OSS
10
-1
C
RSS
10
0
T
j
= 25°C （典型值）
T
j
= 150℃ （典型值）
T
j
= 25 C (98%)
T
j
= 150 C (98%)
10
-2
0
5
10
15
20
25
30
V
V
DS
40
10
-1
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
V
3.0
V
SD
修订版2.4
第7页
2009-11-10
