SIPMOS
功率晶体管
BUZ 31L
H
N沟道
增强型
雪崩额定值
逻辑电平
。根据IEC61249-2-21的无卤素
销1
销2
3脚
G
TYPE
D
无铅
S
V
DS
I
D
R
DS （上
)
包
BUZ 31 L
H
200 V
13.5 A
0.2
PG-TO220-3
是的
最大额定值
参数
符号
值
单位
连续漏电流
I
D
13.5
A
T
C
= 28 C
漏电流脉冲
I
Dpuls
54
T
C
= 25 C
雪崩电流，通过限制
T
JMAX
雪崩能量，通过定期的限制
T
JMAX
雪崩能量，单脉冲
I
AR
E
AR
E
AS
13.5
9
mJ
I
D
= 13.5 A,
V
DD
= 50 V,
R
GS
= 25
L
= 1.65 mH的，
T
j
= 25 C
门源电压
静电放电敏感度HBM按照MIL -STD 883
功耗
200
V
GS
±
20
1级
V
P
合计
95
W
T
C
= 25 C
工作温度
储存温度
热电阻，片式案例
热电阻，芯片到环境
DIN湿度类别， DIN 40 040
IEC气候类型， DIN IEC 68-1
T
j
T
英镑
R
thJC
R
thJA
-55 ... + 150
-55 ... + 150
C
≤
1.32
75
K / W
E
55 / 150 / 56
修订版2.4
第1页
2009-11-10
