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HMT164S6BFR6C
HMT112S6BFR6C
HMT125S6BFR8C
2.2输入/输出功能描述
符号
CK0/CK0
CK1/CK1
TYPE
极性
功能
系统时钟输入。所有的地址和命令行进行采样，在十字架上
点CK的上升沿和CK的下降沿。延迟锁定环（DLL ）税务局局长
扣器从所述时钟输入和输出时序驱动的读操作是同步的
认列于输入时钟。
激活DDR3 SDRAM CK信号为高电平时，并停用CK信号时，
输入
交叉点
CKE [1 ：0]的
输入
高电平有效
低。通过取消激活时钟， CKE低启动省电模式或自
刷新模式。
使相关的DDR3 SDRAM命令解码器时低，禁用
S[1:0]
输入
低电平有效
命令解码器高时。当指令译码器被禁止，新的COM
要求主要被忽略，但以前的行动仍在继续。等级0被选中S0 ;秩
1被选择为S1 。
RAS ， CAS ， WE
BA [ 2 ：0]的
ODT [1：0 ]
输入
输入
输入
低电平有效
-
高电平有效
当在CK的上升沿和CK的下降沿的交叉点取样，显
的NAL CAS ，RAS和WE定义的操作由SDRAM中执行。
其中8个DDR3 SDRAM内部银行被激活选择。
断言片上终结了DQ ， DM ， DQS和DQS信号，如果通过启用
DDR3 SDRAM模式寄存器。
在一个银行激活命令周期，当在采样定义的行地址
交叉点CK的上升沿和CK的下降沿。在读或
写指令周期中，当在所述交叉点取样限定的列地址
的CK的上升沿和CK的下降沿。除了列地址，
AP的用于调用autoprecharge操作在脉冲串的末端的读或写
A [ 9 ： 0 ] ， A10 / AP ，
A11 ， A12 / BC ，
A[15:13]
输入
-
周期。如果AP高， autoprecharge选择和BA0禁令规定，银行要
预充电。如果AP低， autoprecharge被禁用。在预充电命令
周期，则AP配合使用BA0 -禁令，哪家银行（ S）来控制
预充电。如果AP高，所有银行都将不管的状态预充电BA0-
潘基文输入。如果AP是低，则BA0禁用来哪家银行定义为预充电。
A12 （BC ）阅读过程中进行采样和写入命令，以确定是否破灭斩
（上thefly ）将被执行（ HIGH ，不爆裂斩;低，爆切碎）
DQ [63： 0]
DM [7：0 ]
IN / OUT
输入
-
高电平有效
数据输入/输出管脚。
数据写入掩模，与一个数据字节相关联。在写模式下， DM工作
通过允许一个字节掩码要写入输入数据，如果它是低，但块的写
操作，如果它是高的。在读模式下， DM线没有任何效果。
数据选通信号，用一个数据字节相关，来源与数据传输。在
DQS [7： 0]，
DQS [7：0 ]
写入模式下，数据选通由控制器源和被集中在数据
IN / OUT
交叉点
窗口。在读模式中，数据选通由DDR3 SDRAM的源和发送
在数据窗口中的前缘。 DQS信号是互补的，而且时机
相对于各自的DQS和DQS的交叉点。
修订版0.5 / 2009年9月
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