BC846 BC850 ...
静态特性
100
I
C
（毫安） ，集电极电流
I
C
（毫安） ，集电极电流
基射极电压上
100
80
I
B
=400 A
I
B
=350 A
I
B
=300 A
I
B
=250 A
I
B
=200 A
V
CE
=2V
10
60
40
I
B
=150 A
I
B
=100 A
1
20
I
B
=50 A
0.1
0
0
4
8
12
16
20
V
BE
（ V）中，基 - 发射极电压
V
CE
（V ） ，集电极 - 发射极电压
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
10000
V
CE
=5V
h
FE
直流电流增益
f
T
（兆赫） ，电流增益带宽积
直流电流增益
电流增益带宽积
1000
V
CE
=5V
1000
100
100
10
10
1
10
100
1000
I
C
（毫安） ，集电极电流
1
0.1
1
10
100
I
C
（毫安） ，集电极电流
V
BE （ SAT ）
,V
CE （ SAT ）
， （ V）饱和电压
基射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
10000
I
C
=10I
B
COB （PF ） ，电容
集电极输出电容
100
f=1MHz
1000
V
BE （ SAT ）
10
100
1
V
CE （ SAT ）
10
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
1000
V
CB
（V ） ，集电极 - 基极电压
I
C
（毫安） ，集电极电流
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 21/06/2006
