图25-2 。
算法随机修改数据
开始
提供的地址
页面修改
主内存页
缓冲转让
(53H)
如果规划修改多个
当前字节存储在
闪存阵列的页
缓冲区写
(84H)
主存储器页编程
通过缓存
(82H)
缓冲区主
存储器页编程
(83H)
自动换页REWRITE
(58H)
(2)
增量PAGE
(2)
地址指针
结束
注意事项：
1.要保持数据的完整性，一个数据闪存部门的每一页都必须更新/内每1万改写至少一次
累计页擦除和编程操作。
2.页地址指针，必须保持以表明哪个页面将被改写。自动页重写命令
必须使用由页地址指针所指定的地址。
3.其他算法可以用来重写闪存阵列的部分。低功耗应用可能会选择等待，直到万
累计页擦除和编程操作改写部门的所有页面之前积累。见应用
笔记AN- 4 （ “使用Atmel的串行数据闪存” ）了解更多详情。
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AT45DB011D
3639E–DFLASH–5/08
