Si7846DP
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
1.0
100
雪崩电流与时间
0.5
V
GS （ TH）
方差（ V）
I
D
= 250
mA
I
DAV
(A)
10
中T = 25℃
0.0
- 0.5
1
- 1.0
T = 125°C
- 1.5
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.1
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
T
J
- 温度（℃ ）
时间（秒）
单脉冲功率， Juncion到环境
100
80
功率（W）的
60
40
20
0
0.001
0.01
0.1
时间（秒）
1
10
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
方波脉冲持续时间（秒）
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 52 ° C / W
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
t
1
t
2
10
100
600
www.vishay.com
4
文档编号： 71442
S- 31728 -REV 。 B， 18 - 8 - 03
