Si7846DP
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.10
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
3000
2500
- 电容（pF ）
2000
1500
1000
500
0
0
10
20
30
40
50
0
30
60
90
120
150
C
RSS
C
OSS
0.00
电容
0.08
0.06
V
GS
= 10 V
0.04
C
国际空间站
0.02
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
20
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 75 V
I
D
= 5 A
16
2.5
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 5 A
2.0
12
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
30
45
60
1.5
8
1.0
4
0.5
0
0
15
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
0.0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
50
0.15
导通电阻与栅极至源极电压
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.12
I
D
= 5 A
0.09
I
S
- 源电流（ A）
T
J
= 150_C
10
0.06
T
J
= 25_C
0.03
1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71442
S- 31728 -REV 。 B， 18 - 8 - 03
www.vishay.com
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