Si7840DP
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.020
2500
Vishay Siliconix公司
电容
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.016
- 电容（pF ）
V
GS
= 4.5 V
0.012
V
GS
= 10 V
0.008
2000
C
国际空间站
1500
1000
C
OSS
0.004
500
C
RSS
0.000
0
8
16
24
32
40
0
0
4
8
12
16
20
I
D
- 漏极电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
10
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 15 V
I
D
= 18 A
1.8
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 18 A
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
12
18
24
30
8
1.6
1.4
6
1.2
4
1.0
2
0.8
0
0
6
0.6
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
=结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
0.05
40
0.04
导通电阻与栅极至源极电压
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
I
S
- 源电流（ A）
10
T
J
= 150_C
I
D
= 18 A
0.03
0.02
T
J
= 25_C
0.01
1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71624
S- 05804 -REV 。 C， 25 -FEB -02
www.vishay.com
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