Si7840DP
新产品
Vishay Siliconix公司
N通道30 -V （D -S ）快速开关MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
30
特点
I
D
(A)
18
15
r
DS （ ON）
(W)
0.0095 @ V
GS
= 10 V
0.014 @ V
GS
= 4.5 V
D
TrenchFETr功率MOSFET
D
新的低热阻PowerPAKt
低1.07毫米封装简介
应用
D
DC / DC转换器
D
优化“高端”同步
整流操作
PowerPAKt SO- 8
D
6.15 mm
S
1
2
3
S
S
5.15 mm
G
4
G
D
8
7
6
5
D
D
D
S
N沟道MOSFET
底部视图
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
_
漏电流脉冲
连续源电流（二极管
雪崩电流
雪崩能量
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
L = 0.1 mH的
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
导通）
a
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
10秒]
30
"20
18
稳定状态
单位
V
11
8
40
A
1.6
40
80
mJ
1.9
1.2
-55到150
W
_C
I
D
I
DM
I
S
I
AS
E
AS
14
4.1
5.0
P
D
T
J
, T
英镑
3.2
热电阻额定值
参数
t
v
10秒
最大结点到环境
a
最大结至外壳（漏）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 71624
S- 05804 -REV 。 C， 25 -FEB -02
www.vishay.com
稳定状态
稳定状态
R
thJA
R
thJC
符号
典型
20
52
2.1
最大
25
65
2.6
单位
° C / W
C / W
1
