SMG2306A
公司Bauelemente
5 A， 30 V ，R
DS （ ON）
35 mΩ
N沟道增强模式电源Mos.FET
符合RoHS产品
的“-C”后缀指定卤素&无铅
描述
该SMG2306A利用先进的加工技术，以实现尽可能低的导通电阻，极
效率和成本效益的设备。该SMG2306A普遍适用于所有商业工业
应用程序。
特点
能够2.5V栅极驱动
导通电阻的降低
包装尺寸
A
L
漏
B
顶视图
C
门
来源
F
G
H
K
M
J
REF 。
A
B
C
D
E
F
E
D（ TYP 。 ）
毫米
分钟。
马克斯。
2.70
3.10
2.40
2.80
1.40
1.60
0.35
0.50
0
0.10
0.45
0.55
REF 。
G
H
K
J
L
M
毫米
分钟。
马克斯。
1.90 REF 。
1.00
1.30
0.10
0.20
0.40
-
0.85
1.15
0°
10°
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
3
,VGS@4.5V
漏电流
3
,VGS@4.5V
漏电流脉冲
1,
功耗
工作结存储温度范围
符号
V
DS
V
GS
I
D
@Ta=25℃
I
D
@Ta=70℃
I
DM
P
D
@Ta=25℃
TJ ， TSTG
评级
30
±12
5
4
20
1.38
-55 ~ +150
0.01
单位
V
V
A
A
A
W
℃
W/℃
线性降额因子
热数据
参数
热阻结到环境
3
马克斯。
符号
Rthj -A
价值
90
单位
℃/W
01月， 2005年修订版B
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