新产品

MSP3V3

威世通用半导体

表面贴装牛逼

RANS

Z

ORB

瞬态电压抑制器

特点

非常低调 - 0.68 mm典型的高度

适合自动放置

氧化物平面芯片结

只有单向极性

峰值脉冲功率： 100 W（ 10/1000微秒）

ESD能力：

15千伏（空气） ， 8千伏（接触）

符合MSL等级1 ，符合per J - STD-020C标准， LF最大

260℃峰值

按照RoHS 2002/95 / EC组件

和WEEE 2002/96 / EC

无卤

机械数据

案例：

MicroSMP

塑封料符合UL 94V- 0可燃性

投资评级。

底座P / N - E3 - 符合RoHS标准，商用级

底座P / NHE3 - 符合RoHS标准，高可靠性/

汽车级（ AEC- Q101标准）

底座P / N - M3 - 无卤素，符合RoHS标准，

商业级

底座P / NHM3 - 无卤素，符合RoHS标准，

高可靠性/汽车级（ AEC- Q101标准）

终端：

雾锡镀线索，每焊

J- STD- 002和JESD22- B102

E3和M3后缀符合JESD 201级1A晶须

测试， HE3和HM3后缀符合JESD 201 2级

晶须测试

极性：

色环表示阴极结束

ESMP

TM

系列

顶视图

底部视图

MicroSMP

主要特征

V

WM

P

PPM

I

FSM

T

J

马克斯。

3.3 V

100 W

25 A

150 °C

典型应用

使用对电压敏感的电子设备保护

诱发感性负载开关瞬变和

照明在芯片， MOSFET ，传感器单元的信号线

专门为保护3.3 V提供敏感

设备免受瞬态过电压。

最大额定值

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

参数

峰值脉冲功率耗散

(1)(2)

峰值脉冲电流具有10/1000 μs的波形（图1）

峰值脉冲电流具有一个8/20 μs的波形（图1）

不重复峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波

(2)

功率耗散T

L

= 120 °C

(2)

工作结存储温度范围

注意事项：

（1）非重复性的电流脉冲，每个图1

（2）装在6.0× 6.0毫米铜垫给每个终端

符号

P

PPM

I

PPM

I

PPM

I

FSM

P

D

T

J

, T

英镑

价值

100

13.7

75

25

1.0

- 55至+ 150

单位

W

A

A

A

W

°C

文档编号： 88486

修订： 21 - 8 - 08

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