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MSP3V3

威世通用半导体

额定值和特性曲线

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

150

10

I

PPM

- 峰值脉冲电流， ％I

RSM

t

r

= 10

s

t

r

=

8 s

PEAK

价值

I

PPM

峰值正向电流（ A）

T

J

= 25 °C

脉冲

宽度

(t

d

)

被定义为点

哪里

峰值电流

衰减到第I 50％

PPM

100

1

T

J

= 150 °C

半

价值

- I

PP

I

PPM

2

50

t

d

= 1000

s

t

d

= 20

s

t

d

0

0

1.0

2.0

3.0

4.0

0.1

T

J

= 25 °C

0.01

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

吨 - 时间（ms ）

V

F

- 前进

电压

降（V ）

图1.脉冲波形

图4.典型峰值正向压降与

最大正向电流

100

1000

P

PPM

- 峰值脉冲功率（kW ）

C

J

- 结电容（pF ）

900

800

700

600

500

400

300

200

100

0

1

2

3

4

10

1

0.1

0.01

0.1

1

10

100

1000

10 000

t

d

- 脉冲

宽度

(s)

反向

电压

(V)

图2.额定峰值脉冲功率曲线

图5.典型结电容

70

60

50

40

30

20

10

0

25

50

75

100

125

150

1000

瞬态热阻抗（ ℃/ W）

反向漏电流（ μA ）

100

10

1

0.01

0.1

1

10

100

1000

T

J

- 结温（ ° C）

吨 - 脉冲持续时间（ S）

泄漏电流和图3.相对变化

结温

图6.典型的瞬态热阻抗

文档编号： 88486

修订： 21 - 8 - 08

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