SSM4500GM
P沟道
25
25
T
A
=25
o
C
20
-I
D
，漏电流（ A）
-I
D
，漏电流（ A）
4.5V
4.0V
3.5V
3.0V
T
A
=150
o
C
20
4.5V
4.0V
3.5V
3.0V
15
15
10
V
GS
=2. 5 V
10
V
GS
=2. 5 V
5
5
0
0
1
2
3
4
5
0
0
1
2
3
4
5
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
100
1.8
90
I
D
=-2.2A
T
A
=25
℃
归一化
DS （ ON）
1.6
I
D
=-2.2A
V
GS
= -4.5V
80
1.4
R
DS （ ON）
(m
Ω
)
70
1.2
60
1
50
0.8
40
30
0.6
2
3
4
5
-50
0
50
100
150
-V
GS
(V)
T
j
，结温（ C）
o
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
1
100.00
0.8
10.00
1.00
T
j
=150
o
C
T
j
=25
o
C
-V
GS （ TH）
(V)
1.3
1.5
0.6
-I
S
(A)
0.4
0.10
0.2
0.01
0
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
-50
0
50
100
150
-V
SD
(V)
T
j
，结温（
o
C)
图5.正向特性
反向二极管
2008年2月13日Rev.1.00
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
6
www.SiliconStandard.com
