SSM4500GM
N型和P沟道增强
MODE POWER MOSFET
产品概述
D2
N-CH BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
G2
S2
20V
30mΩ
6A
-20V
50mΩ
-5A
简单的驱动要求
低导通电阻
快速开关
D2
D1
D1
P- CH BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
SO-8
S1
G1
描述
从硅标准公司先进的功率MOSFET
提供设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和成本效益。
在SO -8封装的普遍首选的所有commercial-
工业表面贴装应用，并适用于低电压
应用，如DC / DC转换器。
G1
D1
D2
G2
S1
S2
无铅;符合RoHS标准
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25℃
I
D
@T
A
=70℃
I
DM
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
连续漏电流
3
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
20
±12
6
4.8
20
2.0
0.016
-55到150
-55到150
等级
N沟道
P沟道
-20
±12
-5
-4
-20
V
V
A
A
A
W
W/℃
℃
℃
单位
热数据
符号
Rthj -A
参数
热阻结到环境
3
马克斯。
价值
62.5
单位
℃/W
2008年2月13日Rev.1.00
www.SiliconStandard.com
1
