SSM40P03GH,J
P沟道增强型功率MOSFET
D
低栅极电荷
简单的驱动要求
快速开关
G
S
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
-30V
28m
-30A
描述
该SSM40P03H是在TO -252封装，其被广泛地用于
商业和工业表面安装的应用程序，并且是非常适合
对于低电压应用，如DC / DC转换器。通孔
版本，采用TO- 251的SSM40P03J ，可用于低足迹垂直
安装。这些器件采用先进工艺制造，
提供改进的导通电阻和开关性能。
克
S
的TO- 252 （H）的
无铅引脚镀层（二级互连）
G
D
S
TO- 251 （J ）
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@ T
C
=25°C
I
D
@ T
C
=100°C
I
DM
P
D
@ T
C
=25°C
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
等级
-30
±20
-30
-18
-120
31.3
0.25
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
°C
°C
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
参数
热阻结案件
热阻结到环境
马克斯。
马克斯。
价值
4.0
110
单位
° C / W
° C / W
2005年2月16日Rev.2.2
www.SiliconStandard.com
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