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SSM40P03GH,J
P沟道增强型功率MOSFET
D
低栅极电荷
简单的驱动要求
快速开关
G
S
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
-30V
28m
-30A
描述
该SSM40P03H是在TO -252封装，其被广泛地用于
商业和工业表面安装的应用程序，并且是非常适合
对于低电压应用，如DC / DC转换器。通孔
版本，采用TO- 251的SSM40P03J ，可用于低足迹垂直
安装。这些器件采用先进工艺制造，
提供改进的导通电阻和开关性能。
克
S
的TO- 252 （H）的
无铅引脚镀层（二级互连）
G
D
S
TO- 251 （J ）
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@ T
C
=25°C
I
D
@ T
C
=100°C
I
DM
P
D
@ T
C
=25°C
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
等级
-30
±20
-30
-18
-120
31.3
0.25
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
°C
°C
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
参数
热阻结案件
热阻结到环境
马克斯。
马克斯。
价值
4.0
110
单位
° C / W
° C / W
2005年2月16日Rev.2.2
www.SiliconStandard.com
1 5
SSM40P03GH,J
电气特性@ T
j
=25
o
C（除非另有说明）
符号
BV
DSS
参数
漏源击穿电压
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=-250uA
分钟。
-30
-
-
-
-1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-0.02
-
-
-
20
-
-
-
14
3
9
12
56
30
57
915
280
195
-
-1
-25
±100
22
-
-
-
-
-
-
1465
-
-
MAX 。单位
-
-
28
50
V
V /°C的
m
m
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
BV
DSS
/
Tj
R
DS （ ON）
击穿电压温度系数
参考至25℃ ，我
D
=-1mA
静态漏源导通电阻
2
V
GS
= -10V ，我
D
=-18A
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-14A
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流（T
j
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流（T
j
=150
o
C)
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250uA
V
DS
= -10V ，我
D
=-18A
V
DS
=-30V, V
GS
=0V
V
DS
=-24V, V
GS
=0V
V
GS
= ±20V
I
D
=-18A
V
DS
=-24V
V
GS
=-4.5V
V
DS
=-15V
I
D
=-18A
R
G
=3.3
,
V
GS
=-10V
R
D
=0.8
V
GS
=0V
V
DS
=-25V
f=1.0MHz
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
2
测试条件
I
S
= -18A ，V
GS
=0V
I
S
= -18A ，V
GS
=0V,
dI/dt=-100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
30
21
MAX 。单位
-1.2
-
-
V
ns
nC
反向恢复电荷
注意事项：
1.Pulse宽度有限的安全工作区。
2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％ 。
2005年2月16日Rev.2.2
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2 5
SSM40P03GH,J
120
100
-10V
100
-10V
T
A
=150
o
C
80
T
A
= 25
o
C
-7.0V
-I
D
，漏电流（ A）
-7.0V
-I
D
，漏电流（ A）
80
60
60
-5.0V
-4.5V
-5.0V
40
40
-4.5V
20
20
V
G
= -3.0 V
0
0
2
4
6
8
0
2
4
6
V
G
= -3.0 V
0
8
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
50
1.6
45
I
D
= -14 A
T
C
=25°C
归一化
DS （ ON）
1.4
I
D
=-1 8 A
V
G
=-10V
40
R
DS （ ON）
(m )
1.2
35
1.0
30
0.8
25
20
0.6
2
4
6
8
10
-50
0
50
100
150
-V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
j
，结温（ C）
o
图3.导通电阻与栅极电压
图4.归一导通电阻
- 结温
2.5
18
15
2.0
12
归-V
GS （ TH）
(V)
-I
S
(A)
1.5
9
T
j
=150
o
C
T
j
=25
o
C
1.0
6
0.5
3
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0.0
-50
0
50
100
150
-V
SD
，源极到漏极电压（V ）
T
j
，结温（ C）
o
图5.正向特性
反向二极管
2005年2月16日Rev.2.2
图6.栅极阈值电压与
结温
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3 5
SSM40P03GH,J
f=1.0MHz
12
10000
-V
GS
，门源电压（ V）
10
V
DS
=- 24 V
I
D
=-1 8 A
8
6
C（ pF）的
1000
C
国际空间站
4
2
C
OSS
C
RSS
100
0
5
10
15
20
25
30
1
5
9
13
17
21
25
29
0
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
1000.0
1
归热响应（R
thJC
)
占空比系数= 0.5
100.0
100us
1ms
10.0
0.2
0.1
-I
D
(A)
0.1
0.05
10ms
1.0
P
DM
t
0.02
T
c
=25 C
单脉冲
o
100ms
1s
DC
T
0.01
单脉冲
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJC
+ T
C
0.1
0.1
1
10
100
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
T，脉冲宽度（S ）
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
V
DS
90%
V
G
Q
G
-4.5V
Q
GS
Q
GD
10%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
收费
Q
图11.开关时间波形
2005年2月16日Rev.2.2
图12.栅极电荷波形
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4 5
SSM40P03GH,J
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使用。硅标准保留其认为有必要在此所述的任何原因，任何产品进行更改的权利，包括
无需在可靠性，功能或设计限制的增强。没有获发牌照，无论明示或暗示，就
使用本文或使用本文所提供的任何信息描述的任何产品，任何专利或其他知识产权
硅标准公司或任何第三方。
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