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SSM90T03GH,J
电气特性@ T
j
= 25℃ (除非另有规定)
符号
BV
DSS
参数
漏源击穿电压
测试条件
V
GS
= 0V时,我
D
=250uA
分钟。
30
-
-
-
0.8
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.015
MAX 。单位
-
-
4
6
3
-
1
25
±100
96
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V /°C的
m
m
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
BV
DSS
/
Tj
R
DS ( ON)
击穿电压温度系数
参考至25℃ ,我
D
=1mA
静态漏源导通电阻
2
V
GS
= 10V ,我
D
=45A
V
GS
= 4.5V ,我
D
=30A
-
-
-
55
-
-
-
60
8.5
38
14
83
66
120
1010
890
V
GS ( TH)
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流(T
j
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流(T
j
=150
o
C)
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ,我
D
=30A
V
DS
=30V, V
GS
=0V
V
DS
=24V, V
GS
=0V
V
GS
=±20V
I
D
=40A
V
DS
=24V
V
GS
=4.5V
V
DS
=15V
I
D
=30A
R
G
=3.3 ,V
GS
=10V
R
D
=0.5
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极( "Miller" )充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
4090 6540
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
2
反向恢复电荷
测试条件
I
S
= 45A ,V
GS
=0V
I
S
=30A,
V
GS
=0
V
,
dI/dt=100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
51
63
MAX 。单位
1.3
-
-
V
ns
nC
t
rr
Q
rr
注意事项:
1.Pulse宽度有限的安全工作区。
2.Pulse宽度<300us ,占空比<2 % 。
3.V
DD
= 25V ,L = 100UH中,R
G
=25 , I
AS
=24A.
2005年5月17日Rev.2.4
www.SiliconStandard.com
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