SSM90T03GH,J
N沟道增强模式功率MOSFET
低栅极电荷
简单的驱动要求
快速开关
无铅;符合RoHS标准。
D
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
30V
4m
75A
G
S
描述
该SSM90T03GH是在TO -252封装，其被广泛地用于
商业和工业表面安装的应用程序，并且是非常适合
对于低电压应用，如DC / DC转换器。通孔
版， SSM90T03GJ采用TO- 251 ，适用于低足迹垂直
安装。这些器件采用先进工艺制造，
提供改进的导通电阻和开关性能。
G
D
S
克
S
的TO- 252 （H）的
TO- 251 （J ）
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@ T
C
=25°C
I
D
@ T
C
=100°C
I
DM
P
D
@ T
C
=25°C
E
AS
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流， V
GS
@ 4.5V
连续漏电流， V
GS
@ 4.5V
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
3
存储温度范围
工作结温范围
等级
30
±20
75
63
350
96
0.7
29
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
mJ
°C
°C
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
参数
热阻结案件
热阻结到环境
马克斯。
马克斯。
价值
1.3
110
单位
° C / W
° C / W
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SSM90T03GH,J
电气特性@ T
j
= 25℃ （除非另有规定）
符号
BV
DSS
参数
漏源击穿电压
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
分钟。
30
-
-
-
0.8
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.015
MAX 。单位
-
-
4
6
3
-
1
25
±100
96
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V /°C的
m
m
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
BV
DSS
/
Tj
R
DS （ ON）
击穿电压温度系数
参考至25℃ ，我
D
=1mA
静态漏源导通电阻
2
V
GS
= 10V ，我
D
=45A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=30A
-
-
-
55
-
-
-
60
8.5
38
14
83
66
120
1010
890
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流（T
j
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流（T
j
=150
o
C)
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ，我
D
=30A
V
DS
=30V, V
GS
=0V
V
DS
=24V, V
GS
=0V
V
GS
=±20V
I
D
=40A
V
DS
=24V
V
GS
=4.5V
V
DS
=15V
I
D
=30A
R
G
=3.3 ,V
GS
=10V
R
D
=0.5
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
4090 6540
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
2
反向恢复电荷
测试条件
I
S
= 45A ，V
GS
=0V
I
S
=30A,
V
GS
=0
V
,
dI/dt=100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
51
63
MAX 。单位
1.3
-
-
V
ns
nC
t
rr
Q
rr
注意事项：
1.Pulse宽度有限的安全工作区。
2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％ 。
3.V
DD
= 25V ，L = 100UH中，R
G
=25 , I
AS
=24A.
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