SUP/SUB85N04-04
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
250
V
GS
= 10到7 V
200
I
D
漏电流（ A）
6V
I
D
漏电流（ A）
200
250
传输特性
150
150
100
100
T
C
= 125_C
50
25_C
55_C
0
50
5V
4V
0
0
2
4
6
8
10
V
DS
漏极至源极电压（ V）
0
1
2
3
4
5
6
7
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
跨
250
T
C
=
55_C
25_C
125_C
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
200
g
fs
跨导（S ）
0.004
0.005
导通电阻与漏电流
V
GS
= 10 V
0.003
150
100
0.002
50
0.001
0
0
20
40
60
80
100
120
0.000
0
20
40
60
80
100
120
I
D
漏电流（ A）
I
D
漏电流（ A）
12000
10000
C
电容（pF）
8000
6000
4000
C
OSS
2000
0
0
C
RSS
8
电容
20
V
DS
= 30 V
I
D
= 85 A
栅极电荷
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
16
C
国际空间站
12
8
4
0
16
24
32
40
0
60
120
180
240
300
V
DS
漏极至源极电压（ V）
Q
g
总栅极电荷（ NC）
www.vishay.com
文档编号： 71125
S- 41261 -REV 。 C， 05 -JUL- 04
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