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SUP/SUB85N04-04
Vishay Siliconix公司
N通道40 -V （ D- S） 175℃ MOSFET
产品概述
V
（ BR ） DSS
(V)
40
r
DS （ ON）
(W)
0.004 @ V
GS
= 10 V
I
D
(A)
85
a
TO-220AB
D
TO-263
G
的漏极连接到选项卡
G
摹 S
顶视图
订购信息
SUP85N04-04
SUP85N04-04 -E3 （铅（Pb ） - 免费）
S
S
订购信息
SUB85N04-04
SUB85N04-04 -E3 （铅（Pb ） - 免费）
N沟道MOSFET
顶视图
绝对最大额定值（T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 175_C)
漏电流脉冲
雪崩电流
重复性雪崩能量
b
最大功率耗散
b
L = 0.1 mH的
T
C
= 25_C （ TO- 220AB和TO -263 ）
T
A
= 25_C （ TO- 263 ）
d
T
C
= 25_C
T
C
= 125_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
T
J
, T
英镑
极限
40
20
85
a
85
a
240
70
211
250
c
3.75
55
175
单位
V
A
mJ
W
_C
工作结存储温度范围
热电阻额定值
参数
印刷电路板安装（ TO- 263 ）
d
结到环境
J
TI T A双向吨
结到外壳
笔记
一。包装有限。
B 。占空比
v
1%.
。看到SOA曲线电压降额。
。当安装在1 “方形板（ FR-4材料） 。
文档编号： 71125
S- 41261 -REV 。 C， 05 -JUL- 04
www.vishay.com
自由空气（ TO- 220AB ）
R
thJA
R
thJC
符号
极限
40
62.5
0.6
单位
° C / W
C / W
1
SUP/SUB85N04-04
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
V
DS
= 0 V，I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
= 20 V
V
DS
= 40 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
g
通态漏电流
a
I
DSS
I
D（上）
V
DS
= 40 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125_C
V
DS
= 40 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 175_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
r
DS （ ON）
g
fs
V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A，T
J
= 125_C
V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A，T
J
= 175_C
V
DS
= 15 V，I
D
= 30 A
30
120
0.0031
0.004
0.0055
0.007
S
W
40
2
4
100
1
50
250
A
m
mA
V
nA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
c
栅极 - 漏极电荷
c
导通延迟时间
c
上升时间
c
打开-O FF延迟时间
c
下降时间
c
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 30 V ，R
L
= 0.47
W
I
D
^
85 A，V
根
= 10 V ，R
g
= 2.5
W
V
DS
= 30 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 85 A
,
,
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
7620
1325
710
160
40
55
20
115
75
85
35
175
115
130
ns
250
nC
pF
源极 - 漏极二极管额定值和特性（T
C
= 25_C)
b
连续电流
脉冲电流
正向电压
a
反向恢复时间
峰值反向恢复电流
反向恢复电荷
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
I
RM （ REC ）
Q
rr
I
F
= 85 A，V
GS
= 0 V
I
F
= 85 A， di / dt的= 100 A /
A
A / MS
1.1
60
2.6
0.08
85
240
1.4
90
4
0.15
A
V
ns
A
mC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
。独立的工作温度。
www.vishay.com
2
文档编号： 71125
S- 41261 -REV 。 C， 05 -JUL- 04
SUP/SUB85N04-04
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
250
V
GS
= 10到7 V
200
I
D
漏电流（ A）
6V
I
D
漏电流（ A）
200
250
传输特性
150
150
100
100
T
C
= 125_C
50
25_C
55_C
0
50
5V
4V
0
0
2
4
6
8
10
V
DS
漏极至源极电压（ V）
0
1
2
3
4
5
6
7
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
跨
250
T
C
=
55_C
25_C
125_C
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
200
g
fs
跨导（S ）
0.004
0.005
导通电阻与漏电流
V
GS
= 10 V
0.003
150
100
0.002
50
0.001
0
0
20
40
60
80
100
120
0.000
0
20
40
60
80
100
120
I
D
漏电流（ A）
I
D
漏电流（ A）
12000
10000
C
电容（pF）
8000
6000
4000
C
OSS
2000
0
0
C
RSS
8
电容
20
V
DS
= 30 V
I
D
= 85 A
栅极电荷
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
16
C
国际空间站
12
8
4
0
16
24
32
40
0
60
120
180
240
300
V
DS
漏极至源极电压（ V）
Q
g
总栅极电荷（ NC）
www.vishay.com
文档编号： 71125
S- 41261 -REV 。 C， 05 -JUL- 04
3
SUP/SUB85N04-04
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
2.0
导通电阻与结温
100
V
GS
= 10 V
I
D
= 30 A
I
S
源电流（ A）
源极 - 漏极二极管正向电压
1.6
r
DS （ ON）
上Resiistance
（归一化）
1.2
10
T
J
= 150_C
0.8
0.4
T
J
= 25_C
0.0
50
25
0
25
50
75
100
125
150
175
1
0
0.3
0.6
0.9
1.2
T
J
结温（ ° C）
V
SD
源极到漏极电压（V ）
1000
雪崩电流与时间
漏源击穿对比
结温
55
100
I
DAV
(a)
51
V
（ BR ） DSS
(V)
I
AV
（ A） @ T
A
= 25_C
I
D
= 250
mA
47
10
I
AV
（ A） @ T
A
= 150_C
1
43
39
0.1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t
in
（秒）
35
50
25
0
25
50
75
100
125
150
175
T
J
结温（ ° C）
www.vishay.com
4
文档编号： 71125
S- 41261 -REV 。 C， 05 -JUL- 04
SUP/SUB85N04-04
Vishay Siliconix公司
热额定值
最大雪崩和漏极电流
与外壳温度
100
1000
安全工作区
80
I
D
漏电流（ A）
I
D
漏电流（ A）
10
ms
100
有限
由R
DS （ ON）
100
ms
1毫秒
10毫秒
100毫秒
dc
60
10
40
20
1
T
C
= 25_C
单脉冲
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
环境温度（ ℃）
0.1
0.1
1
10
100
V
DS
漏极至源极电压（ V）
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
归瞬态热阻抗，结至外壳
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
10
方波脉冲持续时间（秒）
文档编号： 71125
S- 41261 -REV 。 C， 05 -JUL- 04
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5
SUP/SUB85N04-04
Vishay Siliconix公司
N通道40 -V （ D- S） 175℃ MOSFET
产品概述
V
（ BR ） DSS
(V)
40
r
DS （ ON）
(W)
0.004 @ V
GS
= 10 V
I
D
(A)
85
a
TO-220AB
D
TO-263
G
的漏极连接到选项卡
G
摹 S
顶视图
订购信息
SUP85N04-04
SUP85N04-04 -E3 （铅（Pb ） - 免费）
S
S
订购信息
SUB85N04-04
SUB85N04-04 -E3 （铅（Pb ） - 免费）
N沟道MOSFET
顶视图
绝对最大额定值（T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 175_C)
漏电流脉冲
雪崩电流
重复性雪崩能量
b
最大功率耗散
b
L = 0.1 mH的
T
C
= 25_C （ TO- 220AB和TO -263 ）
T
A
= 25_C （ TO- 263 ）
d
T
C
= 25_C
T
C
= 125_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
T
J
, T
英镑
极限
40
20
85
a
85
a
240
70
211
250
c
3.75
55
175
单位
V
A
mJ
W
_C
工作结存储温度范围
热电阻额定值
参数
印刷电路板安装（ TO- 263 ）
d
结到环境
J
TI T A双向吨
结到外壳
笔记
一。包装有限。
B 。占空比
v
1%.
。看到SOA曲线电压降额。
。当安装在1 “方形板（ FR-4材料） 。
文档编号： 71125
S- 41261 -REV 。 C， 05 -JUL- 04
www.vishay.com
自由空气（ TO- 220AB ）
R
thJA
R
thJC
符号
极限
40
62.5
0.6
单位
° C / W
C / W
1
SUP/SUB85N04-04
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
V
DS
= 0 V，I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
= 20 V
V
DS
= 40 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
g
通态漏电流
a
I
DSS
I
D（上）
V
DS
= 40 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125_C
V
DS
= 40 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 175_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
r
DS （ ON）
g
fs
V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A，T
J
= 125_C
V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A，T
J
= 175_C
V
DS
= 15 V，I
D
= 30 A
30
120
0.0031
0.004
0.0055
0.007
S
W
40
2
4
100
1
50
250
A
m
mA
V
nA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
c
栅极 - 漏极电荷
c
导通延迟时间
c
上升时间
c
打开-O FF延迟时间
c
下降时间
c
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 30 V ，R
L
= 0.47
W
I
D
^
85 A，V
根
= 10 V ，R
g
= 2.5
W
V
DS
= 30 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 85 A
,
,
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
7620
1325
710
160
40
55
20
115
75
85
35
175
115
130
ns
250
nC
pF
源极 - 漏极二极管额定值和特性（T
C
= 25_C)
b
连续电流
脉冲电流
正向电压
a
反向恢复时间
峰值反向恢复电流
反向恢复电荷
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
I
RM （ REC ）
Q
rr
I
F
= 85 A，V
GS
= 0 V
I
F
= 85 A， di / dt的= 100 A /
A
A / MS
1.1
60
2.6
0.08
85
240
1.4
90
4
0.15
A
V
ns
A
mC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
。独立的工作温度。
www.vishay.com
2
文档编号： 71125
S- 41261 -REV 。 C， 05 -JUL- 04
SUP/SUB85N04-04
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
250
V
GS
= 10到7 V
200
I
D
漏电流（ A）
6V
I
D
漏电流（ A）
200
250
传输特性
150
150
100
100
T
C
= 125_C
50
25_C
55_C
0
50
5V
4V
0
0
2
4
6
8
10
V
DS
漏极至源极电压（ V）
0
1
2
3
4
5
6
7
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
跨
250
T
C
=
55_C
25_C
125_C
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
200
g
fs
跨导（S ）
0.004
0.005
导通电阻与漏电流
V
GS
= 10 V
0.003
150
100
0.002
50
0.001
0
0
20
40
60
80
100
120
0.000
0
20
40
60
80
100
120
I
D
漏电流（ A）
I
D
漏电流（ A）
12000
10000
C
电容（pF）
8000
6000
4000
C
OSS
2000
0
0
C
RSS
8
电容
20
V
DS
= 30 V
I
D
= 85 A
栅极电荷
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
16
C
国际空间站
12
8
4
0
16
24
32
40
0
60
120
180
240
300
V
DS
漏极至源极电压（ V）
Q
g
总栅极电荷（ NC）
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文档编号： 71125
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3
SUP/SUB85N04-04
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
2.0
导通电阻与结温
100
V
GS
= 10 V
I
D
= 30 A
I
S
源电流（ A）
源极 - 漏极二极管正向电压
1.6
r
DS （ ON）
上Resiistance
（归一化）
1.2
10
T
J
= 150_C
0.8
0.4
T
J
= 25_C
0.0
50
25
0
25
50
75
100
125
150
175
1
0
0.3
0.6
0.9
1.2
T
J
结温（ ° C）
V
SD
源极到漏极电压（V ）
1000
雪崩电流与时间
漏源击穿对比
结温
55
100
I
DAV
(a)
51
V
（ BR ） DSS
(V)
I
AV
（ A） @ T
A
= 25_C
I
D
= 250
mA
47
10
I
AV
（ A） @ T
A
= 150_C
1
43
39
0.1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t
in
（秒）
35
50
25
0
25
50
75
100
125
150
175
T
J
结温（ ° C）
www.vishay.com
4
文档编号： 71125
S- 41261 -REV 。 C， 05 -JUL- 04
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Vishay Siliconix公司
热额定值
最大雪崩和漏极电流
与外壳温度
100
1000
安全工作区
80
I
D
漏电流（ A）
I
D
漏电流（ A）
10
ms
100
有限
由R
DS （ ON）
100
ms
1毫秒
10毫秒
100毫秒
dc
60
10
40
20
1
T
C
= 25_C
单脉冲
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
环境温度（ ℃）
0.1
0.1
1
10
100
V
DS
漏极至源极电压（ V）
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
归瞬态热阻抗，结至外壳
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
10
方波脉冲持续时间（秒）
文档编号： 71125
S- 41261 -REV 。 C， 05 -JUL- 04
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SUP/SUB85N04-04
Vishay Siliconix公司
N通道40 -V （ D- S） 175℃ MOSFET
产品概述
V
（ BR ） DSS
(V)
40
r
DS （ ON）
(W)
0.004 @ V
GS
= 10 V
I
D
(A)
85
a
TO-220AB
D
TO-263
G
的漏极连接到选项卡
G
摹 S
顶视图
订购信息
SUP85N04-04
SUP85N04-04 -E3 （铅（Pb ） - 免费）
S
S
订购信息
SUB85N04-04
SUB85N04-04 -E3 （铅（Pb ） - 免费）
N沟道MOSFET
顶视图
绝对最大额定值（T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 175_C)
漏电流脉冲
雪崩电流
重复性雪崩能量
b
最大功率耗散
b
L = 0.1 mH的
T
C
= 25_C （ TO- 220AB和TO -263 ）
T
A
= 25_C （ TO- 263 ）
d
T
C
= 25_C
T
C
= 125_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
T
J
, T
英镑
极限
40
20
85
a
85
a
240
70
211
250
c
3.75
55
175
单位
V
A
mJ
W
_C
工作结存储温度范围
热电阻额定值
参数
印刷电路板安装（ TO- 263 ）
d
结到环境
J
TI T A双向吨
结到外壳
笔记
一。包装有限。
B 。占空比
v
1%.
。看到SOA曲线电压降额。
。当安装在1 “方形板（ FR-4材料） 。
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自由空气（ TO- 220AB ）
R
thJA
R
thJC
符号
极限
40
62.5
0.6
单位
° C / W
C / W
1
SUP/SUB85N04-04
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
V
DS
= 0 V，I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
= 20 V
V
DS
= 40 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
g
通态漏电流
a
I
DSS
I
D（上）
V
DS
= 40 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125_C
V
DS
= 40 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 175_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
r
DS （ ON）
g
fs
V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A，T
J
= 125_C
V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A，T
J
= 175_C
V
DS
= 15 V，I
D
= 30 A
30
120
0.0031
0.004
0.0055
0.007
S
W
40
2
4
100
1
50
250
A
m
mA
V
nA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
c
栅极 - 漏极电荷
c
导通延迟时间
c
上升时间
c
打开-O FF延迟时间
c
下降时间
c
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 30 V ，R
L
= 0.47
W
I
D
^
85 A，V
根
= 10 V ，R
g
= 2.5
W
V
DS
= 30 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 85 A
,
,
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
7620
1325
710
160
40
55
20
115
75
85
35
175
115
130
ns
250
nC
pF
源极 - 漏极二极管额定值和特性（T
C
= 25_C)
b
连续电流
脉冲电流
正向电压
a
反向恢复时间
峰值反向恢复电流
反向恢复电荷
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
I
RM （ REC ）
Q
rr
I
F
= 85 A，V
GS
= 0 V
I
F
= 85 A， di / dt的= 100 A /
A
A / MS
1.1
60
2.6
0.08
85
240
1.4
90
4
0.15
A
V
ns
A
mC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
。独立的工作温度。
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2
文档编号： 71125
S- 41261 -REV 。 C， 05 -JUL- 04
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Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
250
V
GS
= 10到7 V
200
I
D
漏电流（ A）
6V
I
D
漏电流（ A）
200
250
传输特性
150
150
100
100
T
C
= 125_C
50
25_C
55_C
0
50
5V
4V
0
0
2
4
6
8
10
V
DS
漏极至源极电压（ V）
0
1
2
3
4
5
6
7
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
跨
250
T
C
=
55_C
25_C
125_C
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
200
g
fs
跨导（S ）
0.004
0.005
导通电阻与漏电流
V
GS
= 10 V
0.003
150
100
0.002
50
0.001
0
0
20
40
60
80
100
120
0.000
0
20
40
60
80
100
120
I
D
漏电流（ A）
I
D
漏电流（ A）
12000
10000
C
电容（pF）
8000
6000
4000
C
OSS
2000
0
0
C
RSS
8
电容
20
V
DS
= 30 V
I
D
= 85 A
栅极电荷
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
16
C
国际空间站
12
8
4
0
16
24
32
40
0
60
120
180
240
300
V
DS
漏极至源极电压（ V）
Q
g
总栅极电荷（ NC）
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典型特征（ 25_C除非另有说明）
2.0
导通电阻与结温
100
V
GS
= 10 V
I
D
= 30 A
I
S
源电流（ A）
源极 - 漏极二极管正向电压
1.6
r
DS （ ON）
上Resiistance
（归一化）
1.2
10
T
J
= 150_C
0.8
0.4
T
J
= 25_C
0.0
50
25
0
25
50
75
100
125
150
175
1
0
0.3
0.6
0.9
1.2
T
J
结温（ ° C）
V
SD
源极到漏极电压（V ）
1000
雪崩电流与时间
漏源击穿对比
结温
55
100
I
DAV
(a)
51
V
（ BR ） DSS
(V)
I
AV
（ A） @ T
A
= 25_C
I
D
= 250
mA
47
10
I
AV
（ A） @ T
A
= 150_C
1
43
39
0.1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t
in
（秒）
35
50
25
0
25
50
75
100
125
150
175
T
J
结温（ ° C）
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热额定值
最大雪崩和漏极电流
与外壳温度
100
1000
安全工作区
80
I
D
漏电流（ A）
I
D
漏电流（ A）
10
ms
100
有限
由R
DS （ ON）
100
ms
1毫秒
10毫秒
100毫秒
dc
60
10
40
20
1
T
C
= 25_C
单脉冲
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
环境温度（ ℃）
0.1
0.1
1
10
100
V
DS
漏极至源极电压（ V）
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
归瞬态热阻抗，结至外壳
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
10
方波脉冲持续时间（秒）
文档编号： 71125
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SR35-6
SC91415BP
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SP6213EC5-3.0/TR
SDC15.TC
SMP1302
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S-812C51AMC-C3F-T2
SRA2206EF
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SN74LV10ADG4
S29AL016M90BFI010
SMBJ5927B
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SB7045330ML
SN65LVDS4RSER
SIHFU430A
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
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操作
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
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    SUB85N04-04
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SUB85N04-04
VISHAY
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TO-263
原装现货上海库存，欢迎查询
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联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
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VISHAY
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电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
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电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：刘经理
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VISHAY
14+
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电话：0755-22669259 83214703
联系人：李先生，夏小姐
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