IRFR430A ， IRFU430A ， SiHFR430A ， SiHFU430A
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
24
6.5
13
单身
D
特点
500
1.7
低栅极电荷Q
g
结果简单驱动
需求
改进的门，雪崩和动态dv / dt的
耐用性
可用的
RoHS指令*
柔顺
充分界定电容和雪崩电压
和电流
有效的C
OSS
特定网络版
铅（Pb） ，免费提供
DPAK
(TO-252)
IPAK
(TO-251)
G
应用
开关模式电源（SMPS ）
·不间断电源
S
N沟道
MOSFET
高速电源开关
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
DPAK （ TO- 252 ）
IRFR430APbF
SiHFR430A-E3
IRFR430A
SiHFR430A
DPAK （ TO- 252 ）
IRFR430ATRPbF
a
SiHFR430AT-E3
a
IRFR430ATR
a
SiHFR430AT
a
DPAK （ TO- 252 ）
IRFR430ATRLPbF
a
SiHFR430ATL-E3
a
IRFR430ATRL
a
SiHFR430ATL
a
DPAK （ TO- 252 ）
IRFR430ATRRPbF
a
SiHFR430ATR-E3
a
IRFR430ATRR
a
SiHFR430ATR
a
IPAK （ TO- 251 ）
IRFU430APbF
SiHFU430A-E3
IRFU430A
SiHFU430A
记
一。请参阅设备的方向。
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
脉冲漏
当前
a
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
E
AS
I
AR
E
AR
T
C
= 25 °C
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
10秒
极限
500
± 30
5.0
3.2
20
0.91
130
5.0
11
110
3.0
- 55至+ 150
300
d
W / ℃，
mJ
A
mJ
W
V / ns的
°C
A
单位
V
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
b
重复性雪崩电流
a
重复性雪崩
能源
a
最大功率耗散
峰值二极管恢复的dv / dt
c
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
笔记
a.
b.
c.
d.
重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
起始物为
J
= 25 ° C，L = 11 mH的，R
G
= 25
Ω,
I
AS
= 5.0 A（见图12 ） 。
I
SD
≤
5.0 A， di / dt的
≤
320 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
150 °C.
1.6毫米的情况。
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
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S- 81366 -REV 。 A， 07 -JUL- 08
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IRFR430A ， IRFU430A ， SiHFR430A ， SiHFU430A
Vishay Siliconix公司
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
案件到水槽，平面，脂表面
最大结至外壳（漏）
符号
R
thJA
R
乡镇卫生院
R
thJC
典型值。
-
0.50
-
马克斯。
62
-
1.1
° C / W
单位
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
漏源导通电阻
正向跨导
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
有效输出电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向电流
a
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
向前开启时间
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
MOSFET符号
展示
整体反转
P - N结二极管
D
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
ΔV
DS
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= ± 30 V
V
DS
= 500 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 400 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125 °C
V
GS
= 10 V
I
D
= 3.0 A
b
V
DS
= 50 V，I
D
= 3.0 A
500
-
2.0
-
-
-
-
2.3
-
0.60
-
-
-
-
-
-
-
-
4.5
± 100
25
250
1.7
-
V
V /°C的
V
nA
A
Ω
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
F = 1.0兆赫，见图。五
V
DS
= 1.0 V，F = 1.0 MHz的
V
GS
= 10 V
V
DS
= 400 V ， F = 1.0 MHz的
V
DS
= 0 V至400 V
c
V
GS
= 10 V
I
D
= 5.0 A，V
DS
= 400 V,
参见图。 6和13
b
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
490
75
4.5
750
25
51
-
-
-
8.7
27
17
16
-
-
-
-
-
-
24
6.5
13
-
-
-
-
ns
nC
pF
pF
V
DD
= 250 V，I
D
= 5.0 A,
R
G
= 15
Ω,
R
D
= 50
Ω,
参见图。 10
b
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
410
1.4
5.0
A
20
1.5
620
2.1
V
ns
C
G
S
T
J
= 25 ° C，I
S
= 5.0 A，V
GS
= 0 V
b
T
J
= 25 ° C，I
F
= 5.0 A， di / dt的= 100 A / μs的
b
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
和L
D
)
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。脉冲宽度
≤
300微秒;占空比
≤
2 %.
c. C
OSS
EFF 。是一个固定的电容，赋予相同的充电时间为C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
DS
.
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IRFR430A ， IRFU430A ， SiHFR430A ， SiHFU430A
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典型特征
25 ℃，除非另有说明
100
VGS
顶部
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
100.00
10
ID ，漏极 - 源极电流（ Α ）
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
10.00
T J = 150℃
1
1.00
0.1
4.5V
0.01
0.10
T J = 25°C
VDS = 100V
20μs的脉冲宽度
4.0
6.0
8.0
10.0
12.0
14.0
16.0
20μs的脉冲宽度
TJ = 25°C
0.001
0.1
1
10
100
0.01
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图。 1 - 典型的输出特性
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
图。 3 - 典型的传输特性
100
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
10
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
顶部
3.0
I
D
= 5.0A
2.5
2.0
1
（归一化）
1.5
4.5V
0.1
1.0
20μs的脉冲宽度
TJ = 150℃
0.01
0.1
1
10
100
0.5
V
GS
= 10V
0.0
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图。 2 - 典型的输出特性
T
J
，结温
(
°
C)
图。 4 - 归通电阻与温度的关系
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IRFR430A ， IRFU430A ， SiHFR430A ， SiHFU430A
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10000
100
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
西塞= C + Cgd的，C
gs
DS短路
CRSS = C
gd
COSS = C + Cgd的
ds
1000
C，电容（pF ）
西塞
I
SD
，反向漏电流（ A）
10
100
科斯
T
J
= 150
°
C
1
T = 25
°
C
J
10
CRSS
1
1
10
100
1000
V
GS
= 0 V
0.1
0.2
0.5
0.8
1.1
1.4
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图。 5 - 典型的电容与漏 - 源极电压
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
图。 7 - 典型的源漏二极管正向电压
12
I
D
=
5.0A
100
V
DS
= 400V
V
DS
= 250V
V
DS
= 100V
在这一领域
限于由R DS （ ON）
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
10
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
10
7
100μsec
1
1msec
TC = 25°C
TJ = 150℃
单脉冲
10
100
5
2
10msec
1000
10000
0
0
4
8
12
16
20
0.1
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图。 6 - 典型栅极电荷与栅极至源极电压
VDS ，漏toSource电压（V ）
图。 8 - 最高安全工作区
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IRFR430A ， IRFU430A ， SiHFR430A ， SiHFU430A
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5.5
V
DS
V
GS
R
D
D.U.T.
+
-
V
DD
4.4
R
G
10
V
I
D
，漏电流（ A）
3.3
脉冲
宽度
≤
1
s
占空比
≤
0.1
%
2.2
图。 10A - 开关时间测试电路
V
DS
1.1
90
%
0.0
25
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度
( ° C)
10
%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
图。 9 - 最大漏极电流与外壳温度
10
图。 10B - 开关时间波形
(Z
thJC
)
1
D = 0.50
热响应
0.20
0.10
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
（热反应）
注意事项：
1.占空比系数D =
2.峰值牛逼
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
t
1
/ t
2
+T
C
1
P
DM
t
1
t
2
J
= P
DM
X Z
thJC
0.1
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图。 11 - 最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
15
V
V
DS
t
p
V
DS
L
司机
R
G
20
V
t
p
D.U.T
I
AS
0.01
Ω
+
A
-
V
DD
I
AS
图。 12A - 非钳位感应测试电路
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图。 12B - 松开电感的波形
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IRFR430A ， IRFU430A ， SiHFR430A ， SiHFU430A
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
24
6.5
13
单身
D
特点
500
1.7
低栅极电荷Q
g
结果简单驱动
需求
改进的门，雪崩和动态dv / dt的
耐用性
可用的
RoHS指令*
柔顺
充分界定电容和雪崩电压
和电流
有效的C
OSS
特定网络版
铅（Pb） ，免费提供
DPAK
(TO-252)
IPAK
(TO-251)
G
应用
开关模式电源（SMPS ）
·不间断电源
S
N沟道
MOSFET
高速电源开关
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
DPAK （ TO- 252 ）
IRFR430APbF
SiHFR430A-E3
IRFR430A
SiHFR430A
DPAK （ TO- 252 ）
IRFR430ATRPbF
a
SiHFR430AT-E3
a
IRFR430ATR
a
SiHFR430AT
a
DPAK （ TO- 252 ）
IRFR430ATRLPbF
a
SiHFR430ATL-E3
a
IRFR430ATRL
a
SiHFR430ATL
a
DPAK （ TO- 252 ）
IRFR430ATRRPbF
a
SiHFR430ATR-E3
a
IRFR430ATRR
a
SiHFR430ATR
a
IPAK （ TO- 251 ）
IRFU430APbF
SiHFU430A-E3
IRFU430A
SiHFU430A
记
一。请参阅设备的方向。
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
a
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
b
重复性雪崩电流
a
重复性雪崩能量
a
最大功率耗散
峰值二极管恢复的dv / dt
c
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
笔记
a.
b.
c.
d.
重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
起始物为
J
= 25 ° C，L = 11 mH的，R
G
= 25
Ω,
I
AS
= 5.0 A（见图12 ） 。
I
SD
≤
5.0 A， di / dt的
≤
320 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
150 °C.
1.6毫米的情况。
10秒
T
C
= 25 °C
E
AS
I
AR
E
AR
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
极限
500
± 30
5.0
3.2
20
0.91
130
5.0
11
110
3.0
- 55至+ 150
300
d
W / ℃，
mJ
A
mJ
W
V / ns的
°C
A
单位
V
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IRFR430A ， IRFU430A ， SiHFR430A ， SiHFU430A
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
案件到水槽，平面，脂表面
最大结至外壳（漏）
符号
R
thJA
R
乡镇卫生院
R
thJC
典型值。
-
0.50
-
马克斯。
62
-
1.1
° C / W
单位
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
漏源导通电阻
正向跨导
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
有效输出电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向电流
a
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
向前开启时间
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
MOSFET符号
展示
整体反转
P - N结二极管
D
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
ΔV
DS
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= ± 30 V
V
DS
= 500 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 400 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125 °C
V
GS
= 10 V
I
D
= 3.0 A
b
V
DS
= 50 V，I
D
= 3.0 A
500
-
2.0
-
-
-
-
2.3
-
0.60
-
-
-
-
-
-
-
-
4.5
± 100
25
250
1.7
-
V
V /°C的
V
nA
A
Ω
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
F = 1.0兆赫，见图。五
V
DS
= 1.0 V，F = 1.0 MHz的
V
GS
= 10 V
V
DS
= 400 V ， F = 1.0 MHz的
V
DS
= 0 V至400 V
c
V
GS
= 10 V
I
D
= 5.0 A，V
DS
= 400 V,
参见图。 6和13
b
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
490
75
4.5
750
25
51
-
-
-
8.7
27
17
16
-
-
-
-
-
-
24
6.5
13
-
-
-
-
ns
nC
pF
pF
V
DD
= 250 V，I
D
= 5.0 A,
R
G
= 15
Ω,
R
D
= 50
Ω,
参见图。 10
b
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
410
1.4
5.0
A
20
1.5
620
2.1
V
ns
C
G
S
T
J
= 25 ° C，I
S
= 5.0 A，V
GS
= 0 V
b
T
J
= 25 ° C，I
F
= 5.0 A， di / dt的= 100 A / μs的
b
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
和L
D
)
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。脉冲宽度
≤
300微秒;占空比
≤
2 %.
c. C
OSS
EFF 。是一个固定的电容，赋予相同的充电时间为C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
DS
.
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2
IRFR430A ， IRFU430A ， SiHFR430A ， SiHFU430A
典型特征
25 ℃，除非另有说明
100
VGS
顶部
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
100.00
10
ID ，漏极 - 源极电流（ Α ）
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
10.00
T J = 150℃
1
1.00
0.1
4.5V
0.01
0.10
T J = 25°C
VDS = 100V
20μs的脉冲宽度
4.0
6.0
8.0
10.0
12.0
14.0
16.0
20μs的脉冲宽度
TJ = 25°C
0.001
0.1
1
10
100
0.01
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图。 1 - 典型的输出特性
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
图。 3 - 典型的传输特性
100
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
10
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
顶部
3.0
I
D
= 5.0A
2.5
2.0
1
（归一化）
1.5
4.5V
0.1
1.0
20μs的脉冲宽度
TJ = 150℃
0.01
0.1
1
10
100
0.5
V
GS
= 10V
0.0
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图。 2 - 典型的输出特性
T
J
，结温
(
°
C)
图。 4 - 归通电阻与温度的关系
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3
IRFR430A ， IRFU430A ， SiHFR430A ， SiHFU430A
10000
100
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
西塞= C + Cgd的，C
gs
DS短路
CRSS = C
gd
COSS = C + Cgd的
ds
1000
C，电容（pF ）
西塞
I
SD
，反向漏电流（ A）
10
100
科斯
T
J
= 150
°
C
1
T = 25
°
C
J
10
CRSS
1
1
10
100
1000
V
GS
= 0 V
0.1
0.2
0.5
0.8
1.1
1.4
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图。 5 - 典型的电容与漏 - 源极电压
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
图。 7 - 典型的源漏二极管正向电压
12
I
D
=
5.0A
100
V
DS
= 400V
V
DS
= 250V
V
DS
= 100V
在这一领域
限于由R DS （ ON）
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
10
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
10
7
100μsec
1
1msec
TC = 25°C
TJ = 150℃
单脉冲
10
100
5
2
10msec
1000
10000
0
0
4
8
12
16
20
0.1
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图。 6 - 典型栅极电荷与栅极至源极电压
VDS ，漏toSource电压（V ）
图。 8 - 最高安全工作区
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4
IRFR430A ， IRFU430A ， SiHFR430A ， SiHFU430A
5.5
V
DS
V
GS
R
D
D.U.T.
+
-
V
DD
4.4
R
G
10
V
I
D
，漏电流（ A）
3.3
脉冲
宽度
≤
1
s
占空比
≤
0.1
%
2.2
图。 10A - 开关时间测试电路
V
DS
1.1
90
%
0.0
25
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度
( ° C)
10
%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
图。 9 - 最大漏极电流与外壳温度
10
图。 10B - 开关时间波形
(Z
thJC
)
1
D = 0.50
热响应
0.20
0.10
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
（热反应）
注意事项：
1.占空比系数D =
2.峰值牛逼
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
t
1
/ t
2
+T
C
1
P
DM
t
1
t
2
J
= P
DM
X Z
thJC
0.1
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图。 11 - 最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
15
V
V
DS
t
p
V
DS
L
司机
R
G
20
V
t
p
D.U.T
I
AS
0.01
Ω
+
A
-
V
DD
I
AS
图。 12A - 非钳位感应测试电路
图。 12B - 松开电感的波形
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5
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