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SUD50N04-05L
新产品
Vishay Siliconix公司
N沟道40 V（D -S）， 175_C的MOSFET
产品概述
V
（ BR ） DSS
(V)
40
特点
I
D
(A)
c
115
102
r
DS （ ON）
(W)
0.0054 @ V
GS
= 10 V
0.0069 @ V
GS
= 4.5 V
D
TrenchFETr功率MOSFET，
D
175_C结温
应用
D
汽车如：
高边开关
电机驱动
阀门驱动器
D
TO-252
G
的漏极连接到选项卡
G
D
S
S
N沟道MOSFET
顶视图
订购信息： SUD50N04-05L -E3
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 175_C)
漏电流脉冲
单脉冲雪崩电流
单脉冲重复雪崩能量
a
功耗
工作结存储温度范围
L = 0 1毫亨
0.1
T
C
= 25_C
T
C
= 25_C
T
C
= 100_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
AS
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
极限
40
"20
115
c
81
c
100
50
125
136
55
175
单位
V
A
mJ
W
_C
热电阻额定值
参数
结到环境
b
J
TI T A双向吨
结到外壳
t
v
10秒
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJC
典型
15
40
0.85
最大
18
50
1.1
单位
° C / W
C / W
注意事项：
一。占空比
v
1%.
B 。表面装在1 “ FR4板。
。基于最大允许结温。套餐限制电流为50 A.
文档编号： 72786
S- 40444 -REV 。 A， 15 -MAR -04
www.vishay.com
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