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SUD50N04-05L
新产品
Vishay Siliconix公司
N沟道40 V（D -S）， 175_C的MOSFET
产品概述
V
（ BR ） DSS
(V)
40
特点
I
D
(A)
c
115
102
r
DS （ ON）
(W)
0.0054 @ V
GS
= 10 V
0.0069 @ V
GS
= 4.5 V
D
TrenchFETr功率MOSFET，
D
175_C结温
应用
D
汽车如：
高边开关
电机驱动
阀门驱动器
D
TO-252
G
的漏极连接到选项卡
G
D
S
S
N沟道MOSFET
顶视图
订购信息： SUD50N04-05L -E3
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 175_C)
漏电流脉冲
单脉冲雪崩电流
单脉冲重复雪崩能量
a
功耗
工作结存储温度范围
L = 0 1毫亨
0.1
T
C
= 25_C
T
C
= 25_C
T
C
= 100_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
AS
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
极限
40
"20
115
c
81
c
100
50
125
136
55
175
单位
V
A
mJ
W
_C
热电阻额定值
参数
结到环境
b
J
TI T A双向吨
结到外壳
t
v
10秒
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJC
典型
15
40
0.85
最大
18
50
1.1
单位
° C / W
C / W
注意事项：
一。占空比
v
1%.
B 。表面装在1 “ FR4板。
。基于最大允许结温。套餐限制电流为50 A.
文档编号： 72786
S- 40444 -REV 。 A， 15 -MAR -04
www.vishay.com
1
SUD50N04-05L
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
DS
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 40 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
g
通态漏电流
a
I
DSS
I
D（上）
V
DS
= 40 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125_C
V
DS
= 40 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 175_C
V
DS
= 5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A
漏极 - 源极导通状态
漏源导通状态电阻
a
r
DS （ ）
DS （ ON）
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A，T
J
= 125_C
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A，T
J
= 175_C
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 20 A
正向跨导
a
g
fs
V
DS
= 15 V，I
D
= 15 A
20
0.0055
80
50
0.0044
0.0054
0.0083
0.0130
0.0069
S
W
40
1
3
"100
1
50
150
A
m
mA
V
nA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
输入电容
输出电容
Reversen传输电容
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
c
栅极 - 漏极电荷
c
栅极电阻
导通延迟时间
c
上升时间
c
打开-O FF延迟时间
c
下降时间
c
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 20 V ，R
L
= 0.4
W
I
D
]
50 A，V
根
= 10 V ，R
g
= 2.5
W
V
DS
= 20 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 50 A
,
,
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
5600
590
365
90
19
19
1.6
15
20
65
11
25
30
100
20
ns
W
135
nC
pF
源极 - 漏极Ciode额定值和特性（T
C
= 25_C)
b
连续电流
脉冲电流
正向电压
a
反向恢复时间
I
s
I
SM
V
SD
t
rr
I
F
= 30 A，V
GS
= 0 V
I
F
= 30 A ， di / dt的= 100 A / MS
0.90
30
50
100
1.50
45
A
V
ns
注意事项：
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
。独立的工作温度。
www.vishay.com
2
文档编号： 72786
S- 40444 -REV 。 A， 15 -MAR -04
SUD50N04-05L
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
120
V
GS
= 10直通5 V
100
I
D
漏电流（ A）
80
60
40
20
0
0
2
4
6
8
10
V
DS
漏极至源极电压（ V）
4V
100
I
D
漏电流（ A）
80
60
40
20
0
0.0
120
Vishay Siliconix公司
传输特性
T
C
= 125_C
25_C
3V
55_C
3.0
3.5
4.0
4.5
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
跨
200
T
C
=
55
_
C
r
DS （ ON）
导通电阻（
)
160
g
fs
跨导（S ）
25
_
C
125
_
C
0.008
0.010
导通电阻与漏电流
120
0.006
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 10 V
80
0.004
40
0.002
0
0
10
20
30
40
50
60
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
8000
7000
6000
5000
4000
3000
2000
1000
0
0
C
RSS
8
16
24
32
40
C
OSS
C
国际空间站
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
0.000
0
20
40
60
80
100
120
I
D
漏电流（ A）
10
V
DS
= 20 V
I
D
= 50 A
电容
栅极电荷
8
C
电容（pF）
6
4
2
0
0
20
40
60
80
100
V
DS
漏极至源极电压（ V）
Q
g
总栅极电荷（ NC）
文档编号： 72786
S- 40444 -REV 。 A， 15 -MAR -04
www.vishay.com
3
SUD50N04-05L
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
2.0
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 20 A
I
S
源电流（ A）
100
源极 - 漏极二极管正向电压
1.7
r
DS （ ON）
上Resiistance
（归一化）
T
J
= 150
_
C
T
J
= 25
_
C
10
1.4
1.1
0.8
0.5
50
25
0
25
50
75
100
125
150
175
1
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
V
SD
源极到漏极电压（V ）
T
J
结温（ ° C）
热额定值
最大雪崩和漏极电流与
外壳温度
125
安全工作区
200
100
限于由R
DS （ ON）
10
ms
100
ms
100
I
D
漏电流（ A）
I
D
漏电流（ A）
1毫秒
10毫秒
100毫秒
dc
1
T
C
= 25_C
单脉冲
0.1
0
25
50
75
100
125
150
175
0.1
1
10
50
T
C
外壳温度（ ° C）
V
DS
漏极至源极电压（ V）
75
10
50
不限按包
25
0
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
归瞬态热阻抗，结至外壳
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.02
0.05
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
方波脉冲持续时间（秒）
10
1
1
www.vishay.com
4
文档编号： 72786
S- 40444 -REV 。 A， 15 -MAR -04
SUD50N04-05L
新产品
Vishay Siliconix公司
N沟道40 V（D -S）， 175_C的MOSFET
产品概述
V
（ BR ） DSS
(V)
40
特点
I
D
(A)
c
115
102
r
DS （ ON）
(W)
0.0054 @ V
GS
= 10 V
0.0069 @ V
GS
= 4.5 V
D
TrenchFETr功率MOSFET，
D
175_C结温
应用
D
汽车如：
高边开关
电机驱动
阀门驱动器
D
TO-252
G
的漏极连接到选项卡
G
D
S
S
N沟道MOSFET
顶视图
订购信息： SUD50N04-05L -E3
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 175_C)
漏电流脉冲
单脉冲雪崩电流
单脉冲重复雪崩能量
a
功耗
工作结存储温度范围
L = 0 1毫亨
0.1
T
C
= 25_C
T
C
= 25_C
T
C
= 100_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
AS
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
极限
40
"20
115
c
81
c
100
50
125
136
55
175
单位
V
A
mJ
W
_C
热电阻额定值
参数
结到环境
b
J
TI T A双向吨
结到外壳
t
v
10秒
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJC
典型
15
40
0.85
最大
18
50
1.1
单位
° C / W
C / W
注意事项：
一。占空比
v
1%.
B 。表面装在1 “ FR4板。
。基于最大允许结温。套餐限制电流为50 A.
文档编号： 72786
S- 40444 -REV 。 A， 15 -MAR -04
www.vishay.com
1
SUD50N04-05L
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
DS
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 40 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
g
通态漏电流
a
I
DSS
I
D（上）
V
DS
= 40 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125_C
V
DS
= 40 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 175_C
V
DS
= 5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A
漏极 - 源极导通状态
漏源导通状态电阻
a
r
DS （ ）
DS （ ON）
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A，T
J
= 125_C
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A，T
J
= 175_C
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 20 A
正向跨导
a
g
fs
V
DS
= 15 V，I
D
= 15 A
20
0.0055
80
50
0.0044
0.0054
0.0083
0.0130
0.0069
S
W
40
1
3
"100
1
50
150
A
m
mA
V
nA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
输入电容
输出电容
Reversen传输电容
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
c
栅极 - 漏极电荷
c
栅极电阻
导通延迟时间
c
上升时间
c
打开-O FF延迟时间
c
下降时间
c
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 20 V ，R
L
= 0.4
W
I
D
]
50 A，V
根
= 10 V ，R
g
= 2.5
W
V
DS
= 20 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 50 A
,
,
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
5600
590
365
90
19
19
1.6
15
20
65
11
25
30
100
20
ns
W
135
nC
pF
源极 - 漏极Ciode额定值和特性（T
C
= 25_C)
b
连续电流
脉冲电流
正向电压
a
反向恢复时间
I
s
I
SM
V
SD
t
rr
I
F
= 30 A，V
GS
= 0 V
I
F
= 30 A ， di / dt的= 100 A / MS
0.90
30
50
100
1.50
45
A
V
ns
注意事项：
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
。独立的工作温度。
www.vishay.com
2
文档编号： 72786
S- 40444 -REV 。 A， 15 -MAR -04
SUD50N04-05L
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
120
V
GS
= 10直通5 V
100
I
D
漏电流（ A）
80
60
40
20
0
0
2
4
6
8
10
V
DS
漏极至源极电压（ V）
4V
100
I
D
漏电流（ A）
80
60
40
20
0
0.0
120
Vishay Siliconix公司
传输特性
T
C
= 125_C
25_C
3V
55_C
3.0
3.5
4.0
4.5
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
跨
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T
C
=
55
_
C
r
DS （ ON）
导通电阻（
)
160
g
fs
跨导（S ）
25
_
C
125
_
C
0.008
0.010
导通电阻与漏电流
120
0.006
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 10 V
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0
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20
30
40
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V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
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5000
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3000
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RSS
8
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24
32
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C
OSS
C
国际空间站
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
0.000
0
20
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60
80
100
120
I
D
漏电流（ A）
10
V
DS
= 20 V
I
D
= 50 A
电容
栅极电荷
8
C
电容（pF）
6
4
2
0
0
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40
60
80
100
V
DS
漏极至源极电压（ V）
Q
g
总栅极电荷（ NC）
文档编号： 72786
S- 40444 -REV 。 A， 15 -MAR -04
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3
SUD50N04-05L
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
2.0
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 20 A
I
S
源电流（ A）
100
源极 - 漏极二极管正向电压
1.7
r
DS （ ON）
上Resiistance
（归一化）
T
J
= 150
_
C
T
J
= 25
_
C
10
1.4
1.1
0.8
0.5
50
25
0
25
50
75
100
125
150
175
1
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
V
SD
源极到漏极电压（V ）
T
J
结温（ ° C）
热额定值
最大雪崩和漏极电流与
外壳温度
125
安全工作区
200
100
限于由R
DS （ ON）
10
ms
100
ms
100
I
D
漏电流（ A）
I
D
漏电流（ A）
1毫秒
10毫秒
100毫秒
dc
1
T
C
= 25_C
单脉冲
0.1
0
25
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T
C
外壳温度（ ° C）
V
DS
漏极至源极电压（ V）
75
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不限按包
25
0
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
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0.2
0.1
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10
4
10
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2
方波脉冲持续时间（秒）
10
1
1
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S- 40444 -REV 。 A， 15 -MAR -04
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S25FL001D0FNAI011
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