HAT2165H
硅N沟道功率MOS FET
电源开关
REJ03G0004-0600
Rev.6.00
2005年9月20日
特点
高速开关
可7 V栅极驱动
低驱动电流
高密度安装
低导通电阻
R
DS （ ON）
= 2.5 m
（典型值） 。 （在V
GS
= 10 V)
概要
瑞萨封装代码： PTZZ0005DA -A ）
（包名称： LFPAK ）
5
D
5
4
4
G
1，2， 3源
4
门
5
漏
S S S
1 2 3
3
12
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
雪崩电流
雪崩能量
散热通道
通道到外壳热阻
通道温度
储存温度
注意事项： 1， PW
≤
10
s,
占空比
≤
1%
2.价值在总胆固醇= 25
°
C， RG
≥
50
3.锝= 25
°
C
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）
I
DR
I
AP注2
E
AR注2
PCH
Note3
θch -C
总胆固醇
TSTG
Note1
评级
30
±20
55
220
55
30
90
30
4.17
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
mJ
W
°
C / W
°
C
°
C
Rev.6.00 2005年9月20日第1页7
