HAT2165H
硅N通道功率MOS FET电源开关
REJ03G0004-0500Z
（上ADE - 208-1632C （ Z） ）
Rev.5.00
Apr.09.2003
特点
高速开关
能够4.5 V门极驱动
低驱动电流
高密度安装
低导通电阻
R
DS （ ON）
= 2.5毫欧（典型值） 。 （在V
GS
= 10 V)
概要
LFPAK
5
5
D
3
1 2
4
4
G
1，2， 3源
4
门
5
漏
S S S
1 2 3
Rev.5.00 ， Apr.09.2003 ，页10 1
HAT2165H
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
雪崩电流
雪崩能量
散热通道
通道到外壳热阻
通道温度
储存温度
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(pulse)Note1
I
DR
I
AP
注2
评级
30
±20
55
220
55
30
90
30
4.17
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
mJ
W
° C / W
°C
°C
E
AR注2
PCH
Note3
θch -C
总胆固醇
TSTG
注意事项： 1， PW
≤
10
s,
占空比
≤
1%
2.价值在总胆固醇= 25°C ， RG
≥
50
3， TC = 25℃
Rev.5.00 ， Apr.09.2003 ， 10个2页
HAT2165H
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿
电压
栅源击穿
电压
门源漏电流
零栅极电压漏极电流
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
体漏二极管的正向
电压
体漏二极管的反向
恢复时间
注： 4.脉冲测试
符号最小值
V
（ BR ） DSS
30
典型值
—
—
—
—
—
2.5
3.4
100
5180
1200
380
0.5
33
15
7.1
13
65
60
9.5
0.81
40
最大
—
—
± 10
1
2.5
3.3
5.3
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
1.06
—
单位
V
V
A
A
V
m
m
S
pF
pF
pF
nc
nc
nc
ns
ns
ns
ns
V
ns
V
DD
= 10 V
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 55 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 27.5 A
V
DD
10 V
R
L
= 0.36
RG = 4.7
IF = 55 A，V
GS
= 0
Note4
IF = 55 A，V
GS
= 0
DIF / DT = 100 A / μs的
测试条件
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0
I
G
= ±100
A,
V
DS
= 0
V
GS
= ±16 V, V
DS
= 0
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0
V
DS
= 10 V，I
D
= 1毫安
I
D
= 27.5 A，V
GS
= 10 V
Note4
I
D
= 27.5 A，V
GS
= 4.5 V
V
DS
= 10 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
Note4
V
（ BR ） GSS
± 20
I
GSS
I
DSS
V
GS （ OFF ）
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
Rg
Qg
QGS
QGD
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DF
t
rr
—
—
1.0
—
—
60
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
I
D
= 27.5 A，V
DS
= 10 V
Note4
Rev.5.00 ， Apr.09.2003 ， 10 3页
HAT2165H
主要特点
功率与温度降额
40
P沟（W）的
I
D
(A)
最高安全工作区
500
100
DC
10
30
PW
Op
10
=1
ERA
1m
0
s
s
10
s
0m
n
散热通道
20
漏电流
TIO
s
10
1在操作
这个区域是
限于由R
DS （ ON）
0.1
0.01
0.1 0.3
1
3
10
30
100
漏极至源极电压V
DS
(V)
TC = 25°C
1次脉冲
0
50
100
150
TC （ ℃）
200
外壳温度
典型的输出特性
100
10 V
4.5 V
脉冲测试
100
3.0 V
(A)
典型的传输特性
V
DS
= 10 V
脉冲测试
80
I
D
(A)
80
2.8 V
60
2.6 V
40
2.4 V
I
D
漏电流
60
25°C
TC = 75℃
-25°C
漏电流
40
20
20
V
GS
= 2.2 V
0
2
4
6
漏源极电压
8
V
DS
(V)
10
0
1
2
3
栅极至源极电压
4
V
GS
(V)
5
Rev.5.00 ， Apr.09.2003 ， 10第4页
HAT2165H
漏极至源极饱和电压与
栅极至源极电压
脉冲测试
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流
10
脉冲测试
V
DS （ ON）
（毫伏）
200
漏极至源极导通电阻
R
DS （ ON）
(m
)
250
5
V
GS
= 4.5 V
10 V
2
漏源极电压
150
I
D
= 50 A
100
20 A
10 A
0
4
8
12
栅极至源极电压
16
20
V
GS
(V)
50
1
1
3
10
100 300
30
漏电流I
D
(A)
1000
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
(m
)
正向转移导纳| YFS | （ S）
静态漏极至源极通态电阻
与温度的关系
8
脉冲测试
6
I
D
= 10 A, 20 A
50 A
4 V
GS
= 4.5 V
正向转移导纳主场迎战
漏电流
1000
300
100
30
10
3
1
0.3
0.1
0.1
0.3
1
3
V
DS
= 10 V
脉冲测试
10
30
100
25°C
75°C
TC = -25°C
2
10 V
0
-25
10 A, 20 A, 50 A
0
25 50 75 100 125 150
壳温度（ ° C）
漏电流I
D
(A)
Rev.5.00 ， Apr.09.2003 ， 10个5页
HAT2165H
反向漏电流 -
源极到漏极电压
最大雪崩能量 -
通道温度降额
反向漏电流I
DR
(A)
（兆焦耳）
100
100
10 V
60
5V
V
GS
= 0
重复性雪崩能量ê
AR
80
80
60
I
AP
= 30 A
V
DD
= 15 V
值班< 0.1 ％
Rg
≥
50
40
40
20
脉冲测试
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
20
0
25
50
75
100
125
150
源极到漏极电压
V
SD
(V)
沟道温度Tch （ ° C）
归瞬态热阻抗与脉冲宽度
归瞬态热阻抗
γs
(t)
3
TC = 25°C
1
D=1
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
θch
- C （T ） =
γs
(t)
θch
- c
θch
- C = 4.17 ° C / W ，TC = 25°C
P
DM
u
tp
LSE
0.05
0.03
0.02
1
0.0
1s
D=
PW
T
PW
T
ho
0.01
10
100
1m
10 m
100 m
1
10
脉冲宽度PW （S ）
雪崩测试电路
雪崩波形
1
2
L
I
AP2
V
DSS
V
DSS
– V
DD
V
（ BR ） DSS
I
AP
V
DD
V
DS
V
DS
MONITOR
L
I
AP
MONITOR
E
AR
=
Rg
D. U.牛逼
I
D
VIN
15 V
50
0
V
DD
Rev.6.00 2005年9月20日第5页7
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