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增强型三速以太网（ eTSEC ） ， MII管理
8
增强型三速以太网（ eTSEC ）
MII管理
本节提供交流和直流电气特性增强三速和MII
管理。
8.1
增强型三速以太网控制器（ eTSEC ）
（ 10/100/1000 Mbps）的-GMII / MII / TBI / RGMII / RTBI / RMII / FIFO
电气特性
此处指定的电气特性适用于所有千兆媒体独立接口（ GMII ）的8位
FIFO接口（FIFO） ，介质无关接口（MII ） ， 10位接口（TBI） ，降低的千兆媒体
独立接口（ RGMII ） ，降低的10位接口（ RTBI ） ，并降低了媒体独立
接口（RMII ），所不同的管理数据输入信号/输出（ MDIO）和管理数据时钟
（MDC） 。 8位FIFO接口可在3.3或2.5伏。 RGMII操作和RTBI接口定义
2.5 V，而MII ， GMII ， TBI ，以及RMII接口可在3.3或2.5 V.操作是否
GMII ， MII ，或TBI的接口设置在3.3或2.5 V操作时，定时是符合IEEE 802.3 。该
RGMII与RTBI接口遵循
降低了千兆媒体独立接口（ RGMII ）
规范版本1.3
（二〇〇〇年十二月一十日） 。在RMII接口如下
RMII联盟RMII
规范版本1.2
（ 1998年3月20日） 。的电特性为MDIO和MDC在指定
第9条， “以太网管理接口电气特性。 ”
8.2
eTSEC直流电气特性
所有GMII ，信息产业部，脑外伤， RGMII ， RTBI ， RMII和FIFO驱动器和接收器符合直流参数
在指定的属性
表21
和
表22 。
施加到GMII ， MII ，脑外伤， RTBI的输入端的电势，
RMII和FIFO接收器可能超过接收器的电源的电势（即，一个GMII驱动
从3.6 V电源驱动V供电
OH
成GMII接收器采用2.5 V电源供电） 。公差
对于不同的GMII驱动器和接收器的供应潜力是隐含在这些规范。该RGMII
和RTBI信号基于一个2.5 - V CMOS接口电压由JEDEC EIA / JESD8-5所限定。
表21. GMII ，信息产业部，脑外伤， RMII和FIFO直流电气特性
参数
电源电压3.3 V
输出高电压（LV
DD
/ TV
DD
=最小，我
OH
= -4.0毫安）
输出低电压（LV
DD
/ TV
DD
=最小，我
OL
= 4.0 mA）的
输入高电压
输入低电压
输入高电流（V
IN
？ LV
DD
, V
IN
=电视
DD
)
符号
LV
DD
TV
DD
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IH
民
3.135
2.4
—
1.95
—
—
最大
3.465
—
0.5
—
0.90
40
单位
V
V
V
V
V
μA
笔记
1, 2
—
—
—
—
1, 2, 3
MPC8533E的PowerQUICC III集成处理器的硬件规格，第3版
24
飞思卡尔半导体公司
